廣州pcb板電阻測(cè)試市場(chǎng)

使用類(lèi)似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過(guò)程中，噴嘴比組件小得多，且能滿足組件與板的高度差。局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見(jiàn)來(lái)源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無(wú)意的污染?？紤]到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來(lái)調(diào)查在過(guò)程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開(kāi)發(fā)過(guò)程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。類(lèi)型1-500V，通道數(shù)16-256/128/64/32(通道可選)，測(cè)試速度快: 20ms/所有通道。廣州pcb板電阻測(cè)試市場(chǎng)

當(dāng)一個(gè)較小的偏置電壓不能有效地區(qū)別更多不同的耐CAF材料和制程時(shí)，更高的偏置電壓由于會(huì)線性地影響失效時(shí)間，應(yīng)該被避免采用。這是因?yàn)檫^(guò)高的偏置電壓會(huì)抵消掉相對(duì)濕度的影響，而相對(duì)濕度由于局部加熱的原因是非常重要的失效機(jī)制部分。LK_ling:因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的偏壓加載后，可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而，**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試，來(lái)作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。廣西SIR表面絕緣電阻測(cè)試性?xún)r(jià)比從而使絕緣體處于離子導(dǎo)電狀態(tài)。顯然，這將使絕緣體的絕緣性能下降甚至成為導(dǎo)體而造成短路故障。

CAF測(cè)試方法案例:1、保持測(cè)試樣品無(wú)污染，做好標(biāo)記，用無(wú)污染手套移動(dòng)樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開(kāi)路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時(shí)。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對(duì)濕度至少24h。2、在該測(cè)試方法中相對(duì)濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對(duì)濕度偏差會(huì)造成電阻量測(cè)結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測(cè)試樣品表面，有可能會(huì)造成表面樹(shù)枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時(shí)候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹(shù)枝狀晶體的生長(zhǎng)。這樣的情況必須被排除，確保能夠得到有意義的測(cè)試結(jié)果。雖然環(huán)境試驗(yàn)箱被要求能夠提供并記錄溫度為65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH的環(huán)境，其相對(duì)濕度的波動(dòng)時(shí)間越短越好，不允許超過(guò)5分鐘。

J-STD-004B要求使用65°C，相對(duì)濕度為88.5%的箱體，并且按照方法來(lái)制備測(cè)試樣板。表面絕緣電阻要穩(wěn)定96小時(shí)以后進(jìn)行測(cè)試。然后施加低電壓進(jìn)行500小時(shí)的測(cè)試。測(cè)試結(jié)束時(shí)，在相同的電壓下再次測(cè)試表面絕緣電阻。除了滿足絕緣電阻值少于10倍的衰減之外，還需要觀察樣板是否有晶枝生長(zhǎng)和腐蝕現(xiàn)象。這個(gè)測(cè)試結(jié)果可以定義助焊劑等級(jí)是L、M還是H,電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來(lái)評(píng)估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類(lèi)型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過(guò)測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開(kāi)始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過(guò)。也就是說(shuō)，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。系統(tǒng)標(biāo)配≥256通道，可分為16組測(cè)試單元，同時(shí)測(cè)試16種不同樣品。

廣州維柯信息技術(shù)有限公司的SIR表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)，集成了行業(yè)的測(cè)量技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了檢測(cè)精度與測(cè)試效率的雙重提升。該系統(tǒng)采用高靈敏度傳感器，每秒20ms/所有通道的速度即便是在低電阻范圍內(nèi)也能準(zhǔn)確讀取數(shù)據(jù)，誤差率極低，確保了測(cè)試結(jié)果的科學(xué)性和可靠性。同時(shí)，其內(nèi)置的算法能迅速處理大量數(shù)據(jù)，縮短測(cè)試周期，對(duì)于大規(guī)模生產(chǎn)線上追求快速反饋和質(zhì)量控制的企業(yè)來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是提升競(jìng)爭(zhēng)力的利器。廣州維柯SIR系統(tǒng)，以精度與速度，平齊行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。其中作為陽(yáng)極的一方發(fā)生離子化并在電場(chǎng)作用下通過(guò)絕緣體向另一邊的金屬（陰極）遷移。海南sir電阻測(cè)試系統(tǒng)

智能電阻具有更加便捷的操作和數(shù)據(jù)處理能力。廣州pcb板電阻測(cè)試市場(chǎng)

廣州維柯多通道SIR-CAF實(shí)時(shí)離子遷移監(jiān)測(cè)系統(tǒng)——GWHR256-（2000/5000），測(cè)試電壓高達(dá)2000V/5000V可選精度高:1x106-1x109Ω≤±2%；取值速度快:20ms/所有通道；限流電阻:每個(gè)通道設(shè)有1MΩ限流電阻，保護(hù)金屬絲晶體做失效分析；配置靈活:模塊化設(shè)計(jì)，可選擇16模塊*N（1≤N≤16);16通道/模塊；測(cè)試配置靈活:每塊模塊可設(shè)置不同的測(cè)試電壓，可同時(shí)完成多工況測(cè)試；授權(quán)手機(jī)APP可以遠(yuǎn)程進(jìn)行相關(guān)管理、操作，查看樣品監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)；操作方便：充分考慮實(shí)驗(yàn)室應(yīng)用場(chǎng)景，方便工程師實(shí)施工作；數(shù)據(jù)可曲線顯示；配不間斷電源UPS；接口友好:軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)；廣州pcb板電阻測(cè)試市場(chǎng)