廣州SIR絕緣電阻測(cè)試注意事項(xiàng)

電子元器件篩選的目的：剔除早期失效產(chǎn)品。提高產(chǎn)品批次使用的可靠性。元器件篩選的特點(diǎn)：篩選試驗(yàn)為非破壞性試驗(yàn)。不改變?cè)骷逃惺C(jī)理和固有可靠性。對(duì)批次產(chǎn)品進(jìn)行*篩選。篩選等級(jí)由元器件預(yù)期工作條件和使用壽命決定。電子元器件篩選常規(guī)測(cè)試項(xiàng)目：檢查篩選：顯微鏡檢查、紅外線非破壞檢查、 X射線非破壞性檢查。密封性篩選：液浸檢漏、氦質(zhì)譜檢漏、放射性示 蹤檢漏、濕度試驗(yàn)、顆粒碰撞噪聲檢測(cè)。環(huán)境應(yīng)?篩選：高低溫貯存、高溫反偏、振動(dòng)、沖擊、離?加速度、溫度沖擊、綜合應(yīng)?、動(dòng)態(tài)老煉。 電子元器件篩選覆蓋范圍：半導(dǎo)體集成電路：時(shí)基電路、總線收發(fā)器、緩沖器、驅(qū)動(dòng)器、電平轉(zhuǎn)換器、門器件、觸發(fā)器、LVDS線收發(fā)器、運(yùn)算放大器、電壓調(diào)整器、電壓比較器、電源類芯片（穩(wěn)壓器、開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器、電源監(jiān)控器、電源管理等）、致模轉(zhuǎn)換器（A/D、D/A、SRD）、存儲(chǔ)器、可編程邏輯器件、單片機(jī)、微處理器、控制器等;測(cè)試配置靈活:每塊模塊可設(shè)置不同的測(cè)試電壓，可同時(shí)完成多工況測(cè)試。廣州SIR絕緣電阻測(cè)試注意事項(xiàng)

另一方面，工藝的優(yōu)化和控制可能會(huì)遺漏一些關(guān)鍵的失效來(lái)源。其次，由于組件處于生產(chǎn)過(guò)程中，無(wú)法實(shí)時(shí)收集結(jié)果。根據(jù)測(cè)試方法的不同，測(cè)試時(shí)間**少為72小時(shí)，**多為28天，這使得測(cè)試對(duì)于過(guò)程控制來(lái)說(shuō)太長(zhǎng)了。從而促使制造商尋求能快速有效地表征電化學(xué)遷移傾向的測(cè)試方法，以控制組裝工藝。幾十年來(lái)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)一直認(rèn)為SIR測(cè)試是比較好的方法。然而，在實(shí)踐中，這種方法有一些局限性。首先，它是在標(biāo)準(zhǔn)梳狀測(cè)試樣板上進(jìn)行的，而不是實(shí)際的組裝產(chǎn)品。根據(jù)不同的PCB表面處理、回流工藝條件、處理工序等，需要進(jìn)行**的測(cè)試設(shè)置。而且測(cè)試方法的選擇，可能需要組裝元器件，也可能不需要。由于和助焊劑分類有關(guān)，這些因素的標(biāo)準(zhǔn)化是區(qū)分可比較的助焊劑類別的關(guān)鍵。廣西CAF電阻測(cè)試分析電阻測(cè)試設(shè)備的售后服務(wù)對(duì)于用戶來(lái)說(shuō)非常重要。

使用類似SIR測(cè)試模塊的68針LCC。這種設(shè)計(jì)有足夠的熱量，允許一個(gè)范圍內(nèi)的回流曲線。元件的高度和底部端子**了一個(gè)典型的組裝案例，其中助焊劑殘留物和其他污染物可以被截留在元件底部。在局部萃取過(guò)程中，噴嘴比組件小得多，且能滿足組件與板的高度差。局部萃取法會(huì)把板子表面所有殘留離子都溶解。電路板上離子材料的常見來(lái)源是多種多樣的，包括電路板制造和電鍍殘留物、人機(jī)交互殘留物、助焊劑殘留物等。這包括有意添加的化學(xué)物質(zhì)和無(wú)意的污染。考慮到這一點(diǎn)，每當(dāng)遇到不可接受的結(jié)果時(shí)，這種方法就被用來(lái)調(diào)查在過(guò)程和材料清單中發(fā)生了什么變化。在流程開發(fā)過(guò)程中，應(yīng)該定義一個(gè)“正?！钡慕Y(jié)果范圍，但是當(dāng)結(jié)果超出預(yù)期范圍時(shí)，可能會(huì)有許多潛在的原因。

J-STD-004B要求使用65°C，相對(duì)濕度為88.5%的箱體，并且按照方法來(lái)制備測(cè)試樣板。表面絕緣電阻要穩(wěn)定96小時(shí)以后進(jìn)行測(cè)試。然后施加低電壓進(jìn)行500小時(shí)的測(cè)試。測(cè)試結(jié)束時(shí)，在相同的電壓下再次測(cè)試表面絕緣電阻。除了滿足絕緣電阻值少于10倍的衰減之外，還需要觀察樣板是否有晶枝生長(zhǎng)和腐蝕現(xiàn)象。這個(gè)測(cè)試結(jié)果可以定義助焊劑等級(jí)是L、M還是H,電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來(lái)評(píng)估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過(guò)測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過(guò)。也就是說(shuō)，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。在電子設(shè)備領(lǐng)域，表面阻抗測(cè)試SIR測(cè)試被認(rèn)為是評(píng)估用戶線路板組裝材料可靠性的有效評(píng)估手段。

電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。所以，通過(guò)在樣品上施加各類綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。維柯表面絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)能幫助第三方實(shí)驗(yàn)室有效監(jiān)測(cè)，檢測(cè)。電阻測(cè)試是一種常見的電子測(cè)試方法。廣州SIR絕緣電阻測(cè)試注意事項(xiàng)

選擇智能電阻時(shí)，用戶需要根據(jù)具體需求考慮精度、穩(wěn)定性、接口等因素，以便選擇適合的智能電阻產(chǎn)品。廣州SIR絕緣電阻測(cè)試注意事項(xiàng)

CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1)樹脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳；2)玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良；3)樹脂之硬化劑不良，容易吸水；4)膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽造成氣泡殘存。CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹脂半固化后制成；2、樹脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。廣州SIR絕緣電阻測(cè)試注意事項(xiàng)