浙江制造電阻測(cè)試以客為尊

剖面結(jié)構(gòu)觀察通過(guò)SEM觀察失效電阻鑲樣的橫截面，如圖4所示。由圖4可發(fā)現(xiàn)：電阻一端外電極有一個(gè)明顯的腐蝕凹坑，這是由電化學(xué)反中陽(yáng)極溶解所產(chǎn)生的，腐蝕形態(tài)主要為點(diǎn)蝕。根據(jù)文獻(xiàn)[5]報(bào)道，在電解液中存在Cl-的電化學(xué)過(guò)程中，陽(yáng)極表面的鈍化膜易溶解于含Cl-的溶液中，或Cl-直接滲透陽(yáng)極表面的鈍化膜，造成鈍化膜開(kāi)裂或形成微孔誘發(fā)局部腐蝕，**終形成點(diǎn)蝕坑的腐蝕形貌。電化學(xué)遷移失效復(fù)現(xiàn)根據(jù)失效分析，得出離子、潮氣及電場(chǎng)為失效的敏感因子，故設(shè)計(jì)故障復(fù)現(xiàn)試驗(yàn)。將樣品分為兩組，1000h潮熱加電實(shí)驗(yàn)。電阻漂移指電阻器所表現(xiàn)的電阻值，每經(jīng)過(guò)1000小時(shí)的老化測(cè)試之后，其劣化的百分比數(shù)值。浙江制造電阻測(cè)試以客為尊

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開(kāi)始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。湖南pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試廠家供應(yīng)PCB/PCBA絕緣失效分析導(dǎo)通電阻測(cè)試系統(tǒng)。

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱(chēng)BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱(chēng)CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱(chēng)ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒(méi)有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無(wú)法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生?？煽啃则?yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見(jiàn)的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見(jiàn)免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二項(xiàng)DOE樣品做助焊劑清潔(Flux Clean)，DOE結(jié)果可清楚看到，未做Flux Clean的樣品，出現(xiàn)了ECM現(xiàn)象(圖五(左))，而有做Flux Clean的樣品，盡管同樣出現(xiàn)ECM現(xiàn)象(圖五(右))，但非常細(xì)微。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：基于可靠性的產(chǎn)品標(biāo)定。

ROSE是用2-丙醇和水溶液，通過(guò)手工、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)三種方法萃取板表面的任何殘留物。通常是將整個(gè)板子浸入溶液中，然后測(cè)量這種萃取物的電阻率，測(cè)量值由板子表面所有可溶性離子種類(lèi)的離子含量決定。每種萃取方法在如何準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)這一過(guò)程上各不相同。通常，**測(cè)試電阻率是不夠的，因?yàn)樗荒軈^(qū)分是哪些離子導(dǎo)致萃取電阻率下降。為了評(píng)估哪些離子存在，必須進(jìn)行額外的離子色譜檢測(cè)。通過(guò)允許操作人員從過(guò)程中識(shí)別離子含量的來(lái)源，來(lái)完成測(cè)試。此外，過(guò)程控制從組裝工藝的開(kāi)始就要進(jìn)行，線路板和元器件的進(jìn)廠清潔度與組裝的**終清潔度同樣重要。這也可以通過(guò)一種能夠在較小規(guī)模上從表面萃取的測(cè)試方法更有效地實(shí)現(xiàn)。測(cè)試電壓可在1.0-500V(2000V)之間以0.1V步進(jìn)任意可調(diào)。浙江制造電阻測(cè)試以客為尊

接口友好：軟件可定制，或開(kāi)放數(shù)據(jù)接口，或接入實(shí)驗(yàn)室LIMS系統(tǒng)。浙江制造電阻測(cè)試以客為尊

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類(lèi)。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟拢煌苿?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無(wú)論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問(wèn)題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。浙江制造電阻測(cè)試以客為尊

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