湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

可靠性試驗(yàn)中，有一項(xiàng)，叫做高加速應(yīng)力試驗(yàn)(簡(jiǎn)稱(chēng)HAST)，主要是在測(cè)試IC封裝體對(duì)溫濕度的抵抗能力，藉以確保產(chǎn)品可靠性。這項(xiàng)試驗(yàn)方式是需透過(guò)外接電源供應(yīng)器，將DC電壓源送入高壓鍋爐機(jī)臺(tái)設(shè)備內(nèi)，再連接到待測(cè)IC插座(Socket)與測(cè)試版(HASTboard)，進(jìn)行待測(cè)IC的測(cè)試。然而這項(xiàng)試驗(yàn)，看似簡(jiǎn)單，但在宜特20多年的可靠性驗(yàn)證經(jīng)驗(yàn)中，卻發(fā)現(xiàn)客戶都會(huì)遇到一些難題需要克服。特別是芯片應(yīng)用日益復(fù)雜，精密度不斷提升，芯片采取如球柵數(shù)組封裝(Ball Grid Array，簡(jiǎn)稱(chēng)BGA)和芯片尺寸構(gòu)裝(Chip Scale package，簡(jiǎn)稱(chēng)CSP）封裝比例越來(lái)越高，且錫球間距也越來(lái)越小，在執(zhí)行HAST時(shí)，非常容易有電化學(xué)遷移(簡(jiǎn)稱(chēng)ECM）現(xiàn)象的產(chǎn)生，造成芯片于可靠性實(shí)驗(yàn)過(guò)程中發(fā)生電源短路異常。相對(duì)的電極還原成本來(lái)的金屬并析出樹(shù)枝狀金屬的現(xiàn)象（類(lèi)似錫須，容易造成短路），這種現(xiàn)象稱(chēng)為離子遷移。湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹(shù)枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作梳形電路“多指狀”互相交錯(cuò)的密集線路圖形，用板面清潔度、綠油絕緣性等，高電壓測(cè)試的一種特殊線路圖形。

隨著電子產(chǎn)品向小型化/集成化的發(fā)展，線路和層間間距越來(lái)越小，電遷移問(wèn)題也日益受到關(guān)注。一旦發(fā)生電遷移會(huì)造成電子產(chǎn)品絕緣性能下降，甚至短路。電遷移失效同常規(guī)的過(guò)應(yīng)力失效不同，它的發(fā)生需要一個(gè)時(shí)間累積，失效通常會(huì)發(fā)生在**終客戶的使用過(guò)程中，可能在使用幾個(gè)月后，也可能在幾年后，往往會(huì)造成經(jīng)濟(jì)上的重大損失。但是，電遷移的發(fā)生不僅同離子有關(guān)，它需要離子，電壓差，導(dǎo)體，傳輸通道，濕氣以及溫度等各種因素綜合作用，在長(zhǎng)期累積下產(chǎn)生的失效。所以，通過(guò)在樣品上施加各類(lèi)綜合應(yīng)力來(lái)評(píng)估產(chǎn)品后期使用的電遷移風(fēng)險(xiǎn)就顯得異常重要。

CAF測(cè)試方法案例:  1、保持測(cè)試樣品無(wú)污染，做好標(biāo)記，用無(wú)污染手套移動(dòng)樣品。做好預(yù)先準(zhǔn)備，防止短路和開(kāi)路。清潔后連接導(dǎo)線，連接后再清潔。烘干，在105±2℃下烘烤6小時(shí)。進(jìn)行預(yù)處理，在中立環(huán)境下，保持23±2℃和50±5%的相對(duì)濕度至少24h。2、在該測(cè)試方法中相對(duì)濕度的嚴(yán)格控制是關(guān)鍵性的。5%的相對(duì)濕度偏差會(huì)造成電阻量測(cè)結(jié)果有0.5到1.0decade的偏差。在有偏置電壓加載的情況下，一旦水凝結(jié)在測(cè)試樣品表面，有可能會(huì)造成表面樹(shù)枝狀晶體的失效。當(dāng)某些烤箱的空氣循環(huán)是從后到前的時(shí)候，也可能發(fā)現(xiàn)水分。凝結(jié)在冷凝器窗口上的水有可能形成非常細(xì)小的水滴**終掉落在樣品表面上。這樣可能造成樹(shù)枝狀晶體的生長(zhǎng)。這樣的情況必須被排除，確保能夠得到有意義的測(cè)試結(jié)果。雖然環(huán)境試驗(yàn)箱被要求能夠提供并記錄溫度為65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH的環(huán)境，其相對(duì)濕度的波動(dòng)時(shí)間越短越好，不允許超過(guò)5分鐘。SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：考核裸板供應(yīng)商資質(zhì)。

SIR測(cè)試模型允許將此測(cè)試組件安裝在溫度為40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體中，如IPC TM-650所述。有一個(gè)輕微的偏差，因?yàn)榘鍥](méi)有固定，并有不同的方向相對(duì)于氣流確保在測(cè)試期間SIR測(cè)試模塊上沒(méi)有明顯的冷凝現(xiàn)象。根據(jù)IPC標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)測(cè)試的模塊，在整個(gè)測(cè)試過(guò)程中，其電阻都高于108Ω。測(cè)試結(jié)果將根據(jù)這個(gè)限定值判定為通過(guò)或失敗。相關(guān)研究的目的是描述不同回流曲線對(duì)助焊劑殘留物的影響。在以前的工作中，據(jù)說(shuō)曾經(jīng)觀察到與回流工藝產(chǎn)出的組件相比，使用電烙鐵加熱和更快冷卻速度的返工工位完成的組件顯示出更高的離子殘留物水平。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)！湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

SIR表面絕緣電阻測(cè)試的目的之一：變更助焊劑和/或錫膏。湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

表面絕緣電阻（SIR）IPC-TM-650方法定義了在高濕度環(huán)境下表面絕緣電阻的測(cè)試條件。SIR測(cè)試在40°C和相對(duì)濕度為90%的箱體里進(jìn)行。樣板的制備和ECM測(cè)試一樣，都是依據(jù)方法制備（如圖1）。***版本的測(cè)試要求規(guī)定每20分鐘要檢查一次樣板。在七天的測(cè)試中，不同模塊之間的表面絕緣電阻值衰減必須少于10Ohms，但是要排除**開(kāi)始24小時(shí)的穩(wěn)定時(shí)間。電壓是恒定不變的。這和ECM測(cè)試在很多方面不一樣。兩者的不同點(diǎn)是：持續(xù)時(shí)間、測(cè)試箱體條件和頻繁測(cè)量數(shù)據(jù)的目的。樣板同樣需要目測(cè)檢查枝晶生長(zhǎng)是否超過(guò)間距的20%和是否有任何腐蝕引起的變色問(wèn)題。湖南pcb絕緣電阻測(cè)試誠(chéng)信合作

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