湖南電阻測(cè)試操作

表面電子組件的電化學(xué)遷移的發(fā)生機(jī)理取決于四個(gè)因素：銅、電壓、濕度和離子種類。當(dāng)環(huán)境中的濕氣在電路板上形成水滴時(shí)，能夠與表面上的任何離子相互作用，使離子沿著電路板表面移動(dòng)。離子與銅發(fā)生反應(yīng)，它們?cè)陔妷旱淖饔孟拢煌苿?dòng)著在銅電路之間遷移。這通常被總結(jié)為一系列步驟：水吸附、陽(yáng)極金屬溶解或離子生成、離子積累、離子遷移到陰極和金屬枝晶狀生長(zhǎng)。線路板表面的每一種材料都有可能是電遷移產(chǎn)生的影響因素：無論是線路板材料和阻焊層、元器件的清潔度，還是制板工藝或組裝工藝產(chǎn)生的任何殘留物（包括助焊劑殘留物）。由于這種失效機(jī)制是動(dòng)態(tài)變化的，理想狀況是對(duì)每種設(shè)計(jì)和裝配都進(jìn)行測(cè)試。但這是不可行的。這就提出了一個(gè)問題：如何比較好地描述一個(gè)組件的電化學(xué)遷移傾向。測(cè)量離子與非離子污染物對(duì)PCB可靠性的影響，其效果遠(yuǎn)比其它方法（如清潔度試驗(yàn)、鉻酸銀試驗(yàn)等）有效方便。湖南電阻測(cè)試操作

電子元器件失效分析項(xiàng)目1、元器件類失效電感、電阻、電容：開裂、破裂、裂紋、參數(shù)變化2、器件/模塊失效二極管、三極管、LED燈3、集成電路失效DIP封裝芯片、PGA封裝芯片、SOP/SSOP系列芯片、QFP系列芯片、BGA封裝芯片4、PCB&PCBA焊接失效PCB板面起泡、分層、阻焊膜脫落、發(fā)黑，遷移氧化，腐蝕，開路，短路、CAF短時(shí)失效；板面變色，錫面變色，焊盤變色；孔間絕緣性能下降；深孔開裂；爆板等PCBA（ENIG、化鎳沉金、電鍍鎳金、OSP、噴錫板）焊接不良；端子（引腳）上錫不良，表面異物、電遷移、元件脫落等5、DPA分析電阻器/電容器/熱敏電阻器/二極管等電子元器件可靠性驗(yàn)證服務(wù)江蘇多功能電阻測(cè)試以客為尊電阻漂移指電阻器所表現(xiàn)的電阻值，每經(jīng)過1000小時(shí)的老化測(cè)試之后，其劣化的百分比數(shù)值。

局部萃取的離子色譜法在過去的十年中，一種新興的方法得到了***的應(yīng)用，那就是局部萃取，然后用離子色譜(IC)分析來控制重要的清潔度，通常被稱為C3測(cè)試。這種方法使用冷蒸汽直接通過一個(gè)小噴嘴，并在選定的電路板和組件表面冷凝，用以溶解各種離子。然后噴嘴將水和離子的溶液萃取回測(cè)試池中進(jìn)行測(cè)試。電流通過萃取物，并測(cè)量達(dá)到持續(xù)狀態(tài)的時(shí)間。然后用離子色譜法對(duì)萃取物進(jìn)行檢測(cè)，以確定其中存在的離子種類及數(shù)量。這種類型的測(cè)試特別適用于對(duì)電路板上潛在的問題區(qū)域進(jìn)行抽查，例如低間距組件、高熱質(zhì)量區(qū)域、選擇性焊接的部件和清洗過的組件。**重要的是，局部萃取方法可以很容易地集成到質(zhì)量保證協(xié)議中，以驗(yàn)證測(cè)試結(jié)果隨時(shí)間變化的一致性和很多不同組裝工藝的一致性。

在96個(gè)小時(shí)的靜置時(shí)間后，測(cè)試電壓和偏置電壓的極性必須是始終一致的。在整個(gè)測(cè)試過程中，建議每24到100個(gè)小時(shí)需要換用另外的電阻檢測(cè)器，確保測(cè)試電壓和偏置電壓的極性始終一致。在電阻測(cè)量過程中，為了保證測(cè)試的準(zhǔn)確性，如果觀察到周期性的電阻突降，也應(yīng)該被算作一次失效。因?yàn)殛?yáng)極導(dǎo)電絲是很細(xì)的，很容易被破壞掉。當(dāng)50%的部分已經(jīng)失效了，測(cè)試即可停止。當(dāng)CAF發(fā)生時(shí)，電阻偏小，施加到CAF失效兩端的電壓會(huì)下降。當(dāng)測(cè)試網(wǎng)絡(luò)的阻值接近限流電阻的阻值時(shí)，顯得尤為明顯。所以在整個(gè)測(cè)試過程中，并不需要調(diào)整電壓。9、500個(gè)小時(shí)的偏置電壓后（一共596個(gè)小時(shí)），像之前一樣重新進(jìn)行絕緣電阻的測(cè)量。10、在500小時(shí)的偏壓加載后，可以進(jìn)行額外的T/H/B條件。然而，**少要進(jìn)行500小時(shí)加載偏置電壓的測(cè)試，來作為CAF測(cè)試的結(jié)果之一。系統(tǒng)測(cè)試可在IPC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的環(huán)境條件下對(duì)試驗(yàn)樣品進(jìn)行高效、準(zhǔn)確的絕緣電阻測(cè)試和漏電流監(jiān)測(cè)！

何謂電化學(xué)遷移。金屬離子在電場(chǎng)的作用下，電路的陽(yáng)極和陰極之間會(huì)形成一個(gè)導(dǎo)電信道產(chǎn)生電解腐蝕(Electrolytic Corrosion。樣式如樹枝狀結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，造成不同區(qū)域的金屬互相連接，進(jìn)而導(dǎo)致電路短路。ECM現(xiàn)象好發(fā)于電路板上。造成電化學(xué)遷移(ECM)比較大因素造成ECM形成的比較大因素為「電解質(zhì)層形成」，電解質(zhì)層的形成會(huì)產(chǎn)生自由離子進(jìn)而增加導(dǎo)電率。而會(huì)加速電解質(zhì)層形成的原因大多為濕度、溫度、汗水、環(huán)境中的污染物、助焊劑化學(xué)物、板材材料、表面粗糙度…等因素，因此，如何預(yù)防電解質(zhì)層形成極為重要。GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)適用于IPC-TM-650標(biāo)準(zhǔn)，測(cè)試速度 20mS/所有通道。湖南電阻測(cè)試操作

SIR表面絕緣阻抗測(cè)試，可通過加速溫濕度的變化，測(cè)量測(cè)試在特定時(shí)間內(nèi)電流的變化。湖南電阻測(cè)試操作

測(cè)量電阻。采用50V的直流偏置電壓，用100V的測(cè)試電壓測(cè)試每塊板的菊花鏈網(wǎng)絡(luò)的絕緣電阻前至少充電60S的時(shí)間。偏置電壓的極性和測(cè)試電壓的極性必須隨時(shí)保持一致。4、在初始的絕緣電阻測(cè)量后關(guān)閉測(cè)試系統(tǒng)，使樣品在65±2℃或85±2℃、相對(duì)濕度為87+3/-2%RH、無偏壓的環(huán)境下靜置96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）。96個(gè)小時(shí)（±30分鐘）的靜置期后，在每個(gè)菊花鏈網(wǎng)絡(luò)和地之間測(cè)試絕緣電阻。5、確認(rèn)所有的測(cè)試樣品的連接是有效的，每個(gè)測(cè)試電路對(duì)應(yīng)適當(dāng)?shù)南蘖麟娮琛Ｈ缓髮y(cè)試板與電源相連開始進(jìn)行T/H/B部分的CAF測(cè)試。廣州維柯信息技術(shù)有限公司的高低阻（CAF/TCH）測(cè)試系統(tǒng)可以做到湖南電阻測(cè)試操作

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