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電化學(xué)遷移(ECM)IPC-TM-650方法用來(lái)評(píng)估表面電化學(xué)遷移的傾向性。助焊劑會(huì)涂敷在下圖1所示的標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板上。標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試板是交錯(cuò)梳狀設(shè)計(jì)，并模擬微電子學(xué)**小電氣間隙要求。然后按照助焊劑不同類(lèi)型的要求進(jìn)行加熱。為了能通過(guò)測(cè)試，高活性的助焊劑在測(cè)試前需要被清洗掉。清洗不要在密閉的空間進(jìn)行。隨后帶有助焊劑殘留的樣板放置在潮濕的箱體內(nèi)，以促進(jìn)梳狀線路之間枝晶的生長(zhǎng)。分別測(cè)試實(shí)驗(yàn)開(kāi)始和結(jié)束時(shí)的不同模塊線路的絕緣電阻值。第二次和***次測(cè)量值衰減低于10倍時(shí)，測(cè)試結(jié)果視為通過(guò)。也就是說(shuō)，通常測(cè)試阻值為10XΩ，X值必須保持不變。這個(gè)方法概括了幾種不同的助焊劑和工藝測(cè)試條件。J-STD-004B要求使用65°C，相對(duì)濕度為88.5%的箱體，并且按照方法來(lái)制備測(cè)試樣板。表面絕緣電阻要穩(wěn)定96小時(shí)以后進(jìn)行測(cè)試。然后施加低電壓進(jìn)行500小時(shí)的測(cè)試。測(cè)試結(jié)束時(shí)，在相同的電壓下再次測(cè)試表面絕緣電阻。除了滿足絕緣電阻值少于10倍的衰減之外，還需要觀察樣板是否有晶枝生長(zhǎng)和腐蝕現(xiàn)象。這個(gè)測(cè)試結(jié)果可以定義助焊劑等級(jí)是L、M還是H。多通道導(dǎo)通電阻實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)，32 通道/組，各、組所有參數(shù)可以獨(dú)自設(shè)置。貴州pcb絕緣電阻測(cè)試服務(wù)電話

銅鏡和銅板腐蝕測(cè)試了助焊劑或者助焊劑殘留物里面離子之間的反應(yīng)分別對(duì)電化學(xué)遷移的潛在影響。***，鹵化物含量測(cè)量表明了助焊劑中多少的離子來(lái)自鹵離子。需要注意的是這是有別于無(wú)鹵和低鹵助焊劑的要求。也需要提供附加測(cè)量值，比如助焊劑黏度、酸值固體物含量等根據(jù)J-STD-004定義的附加測(cè)試方法的測(cè)試結(jié)果。當(dāng)供應(yīng)商提供了助焊劑活性等級(jí)，相當(dāng)于給了工程師一個(gè)規(guī)格，這個(gè)規(guī)格定義了在標(biāo)準(zhǔn)條件下助焊劑的表現(xiàn)如何，這其中包括了指定的溫度循環(huán)和測(cè)試板。這有別于在特定設(shè)計(jì)和工藝中認(rèn)證助焊劑。某些助焊劑等級(jí)的測(cè)試方法可以修改，以適應(yīng)其設(shè)計(jì)特性。但是這些修改可能改變預(yù)期的結(jié)果，并且會(huì)影響到測(cè)試合格/失敗的極限。廣東pcb離子遷移絕緣電阻測(cè)試供應(yīng)商GWHR-256多通道 SIR/CAF實(shí)時(shí)監(jiān)控測(cè)試系統(tǒng)搭配廣州維柯CAF測(cè)試軟件，更好更快速完成檢測(cè)。

失效機(jī)理分析及防護(hù)策略結(jié)合以上結(jié)果，電阻失效是由于經(jīng)典電化學(xué)遷移引起（ElectrochemicalMigration,ECM）。其中失效模型包含Ag、Sn、Pb等金屬元素，指的是在一定的偏壓電場(chǎng)條件下，作為陽(yáng)極的電子元件發(fā)生陽(yáng)極金屬溶解，溶解到電解質(zhì)中的金屬離子在電場(chǎng)作用下遷移到陰極，并發(fā)生沉積還原的行為，**終導(dǎo)致金屬離子以樹(shù)枝狀結(jié)晶形式向陽(yáng)極生長(zhǎng)[6]。因此電化學(xué)遷移現(xiàn)象有三個(gè)必要的過(guò)程：(1)陽(yáng)極溶解形成金屬離子過(guò)程；(2)金屬離子遷移過(guò)程；(3)金屬離子在陰極沉積過(guò)程[7]。

焊點(diǎn)助焊劑(Flux)清潔與否，將影響ECM發(fā)生多寡IC芯片封裝成BGA后，于植球時(shí)會(huì)使用助焊劑(Flux)確保兩種不同的金屬或合金連接順利。宜特可靠性驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室就觀察到，F(xiàn)lux工藝后，若沒(méi)有進(jìn)行清潔動(dòng)作，不僅殘留物將阻礙Underfill流動(dòng)路徑(圖四)，導(dǎo)致填充膠無(wú)法填滿芯片底部，造成許多的氣泡(延伸閱讀:如何利用真空壓力烤箱消滅UnderfillVoid)，更會(huì)加劇ECM的發(fā)生?？煽啃则?yàn)證實(shí)驗(yàn)室，特別做了兩項(xiàng)實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)，實(shí)驗(yàn)條件套用HAST常見(jiàn)的溫度:130°C/濕度:85%RH，使用助焊劑為坊間常見(jiàn)免清洗型助焊劑。***項(xiàng)DOE樣品不做助焊劑清潔(Flux clean)，第二項(xiàng)DOE樣品做助焊劑清潔(Flux Clean)，DOE結(jié)果可清楚看到，未做Flux Clean的樣品，出現(xiàn)了ECM現(xiàn)象(圖五(左))，而有做Flux Clean的樣品，盡管同樣出現(xiàn)ECM現(xiàn)象(圖五(右))，但非常細(xì)微。摒棄老的設(shè)備系統(tǒng)集成觀念！

CAF形成過(guò)程：1、常規(guī)FR4 P片是由玻璃絲編輯成玻璃布，然后涂環(huán)氧樹(shù)脂半固化后制成；2、樹(shù)脂與玻纖之間的附著力不足，或含浸時(shí)親膠性不良，兩者之間容易出現(xiàn)間隙；3、鉆孔等機(jī)械加工過(guò)程中，由于切向拉力及縱向沖擊力的作用對(duì)樹(shù)脂的粘合力進(jìn)一步破壞；4、距離較近的兩孔若電勢(shì)不同，則正極部分銅離子在電壓驅(qū)動(dòng)下逐漸向負(fù)極遷移。CAF產(chǎn)生的原因：1、原料問(wèn)題1) 樹(shù)脂身純度不良，如雜質(zhì)太多而招致附著力不佳 ；2) 玻纖束之表面有問(wèn)題，如耦合性不佳，親膠性不良 ；3) 樹(shù)脂之硬化劑不良，容易吸水 ；4) 膠片含浸中行進(jìn)速度太快；常使得玻纖束中應(yīng)有的膠量尚未全數(shù)充實(shí)填飽  造成氣泡殘存。SIR測(cè)試參考標(biāo)準(zhǔn)：JIS Z 3197 Test methods for soldering fluxes釬焊熔劑的試驗(yàn)方法。廣西pcb絕緣電阻測(cè)試銷(xiāo)售廠家

測(cè)試速度快：20ms/所有通道。貴州pcb絕緣電阻測(cè)試服務(wù)電話

為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。為SAC305開(kāi)發(fā)了加熱曲線，其熔點(diǎn)范圍為217–220°C。針對(duì)相似的工藝窗口的四種回流曲線，分別為標(biāo)準(zhǔn)回流曲線、模擬返修站的自然(快速)冷卻曲線、自然冷卻條件下的較低峰值曲線，以及延長(zhǎng)冷卻條件下的低峰值曲線。圖4中所示的爐溫曲線是由一臺(tái)爐溫測(cè)試儀測(cè)試的回流爐的曲線，和由電偶測(cè)量的返工臺(tái)的曲線。返修工位曲線升溫時(shí)間更短，為了便于峰位和TAL的比較，對(duì)溫度曲線進(jìn)行了輕微的偏移。貴州pcb絕緣電阻測(cè)試服務(wù)電話

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