貴州雙晶硅太陽能電池片組件

太陽能分為晶硅電池和非晶硅電池，晶硅電池分為多晶和單晶硅電池（尺寸有125和156兩種），非晶硅薄膜電池按原料分很多種：砷化鎵、碲化鎘、銦銅鎵錫等等?。尉剩?8-19%）比多晶高（16.5%-17.5%),單晶成本比多晶高!晶體硅電池成本比非晶硅電池高，效率也比非晶硅（9%-11%）高，但非晶硅比晶體硅有特色：比如非晶柔性電池、透光效果等，是晶體硅做不到的！太陽能電池比較大的優(yōu)點(diǎn)是綠色、環(huán)保、壽命長（60年），缺點(diǎn)是投資大、資源間歇性！非晶硅與單晶硅和多晶硅的太陽能電池板區(qū)別？貴州雙晶硅太陽能電池片組件

    鋼化玻璃其作用為保護(hù)發(fā)電主體（如電池片），透光其選用是有要求的，1.透光率必須高（一般91%以上）；2.超白鋼化處理EVA用來粘結(jié)固定鋼化玻璃和發(fā)電主體（如電池片），透明EVA材質(zhì)的優(yōu)劣直接影響到組件的壽命，暴露在空氣中的EVA易老化發(fā)黃，從而影響組件的透光率，從而影響組件的發(fā)電質(zhì)量除了EVA本身的質(zhì)量外，組件廠家的層壓工藝影響也是非常大的，如EVA膠連度不達(dá)標(biāo)，EVA與鋼化玻璃、背板粘接強(qiáng)度不夠，都會(huì)引起EVA提早老化，影響組件壽命。電池片主要作用就是發(fā)電，發(fā)電主體市場上主流的是晶體硅太陽電池片、薄膜太陽能電池片，兩者各有優(yōu)劣。晶體硅太陽能電池片,設(shè)備成本相對(duì)較低，但消耗及電池片成本很高，但光電轉(zhuǎn)換效率也高，在室外陽光下發(fā)電比較適宜；薄膜太陽能電池，相對(duì)設(shè)備成本較高，但消耗和電池成本很低，但光電轉(zhuǎn)化效率相對(duì)晶體硅電池片一半多點(diǎn)，但弱光效應(yīng)非常好，在普通燈光下也能發(fā)電，如計(jì)算器上的太陽能電池。 上海雙晶太陽能電池片逆電流太陽能電池片有什么壞處？

多晶硅薄膜太陽能電池通常的晶體硅太陽能電池是在厚度350～450μm的高質(zhì)量硅片上制成的，這種硅片從提拉或澆鑄的硅錠上鋸割而成。因此實(shí)際消耗的硅材料更多。為了節(jié)省材料，人們從70年代中期就開始在廉價(jià)襯底上沉積多晶硅薄膜，但由于生長的硅膜晶粒大小，未能制成有價(jià)值的太陽能電池。為了獲得大尺寸晶粒的薄膜，人們一直沒有停止過研究，并提出了很多方法。目前制備多晶硅薄膜電池多采用化學(xué)氣相沉積法，包括低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）和等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）工藝。此外，液相外延法（LPPE）和濺射沉積法也可用來制備多晶硅薄膜電池?；瘜W(xué)氣相沉積主要是以SiH2Cl2、SiHCl3、Sicl4或SiH4,為反應(yīng)氣體,在一定的保護(hù)氣氛下反應(yīng)生成硅原子并沉積在加熱的襯底上，襯底材料一般選用Si、SiO2、Si3N4等。

單片的電壓0.5-0.6V轉(zhuǎn)換機(jī)率該太陽能電池板的功率為5W,面積為:0.03平方米,則它的效率為:5/0.03/1000=0.167=16.7%,也就是它將平方米1000W太陽光能量的16．7%轉(zhuǎn)換成了電能太陽能電池的能量轉(zhuǎn)化效率η表示入射的太陽光能量有多少能轉(zhuǎn)換為有效的電能。η=（太陽能電池的輸出功率/入射的太陽光功率）x=（VopxIop/PinxS）X=（Voc.Isc.FF）/（Pin.S）其中Pin是入射光的能量密度，S為太陽能電池的面積，當(dāng)S是整個(gè)太陽能電池面積時(shí)，η稱為實(shí)際轉(zhuǎn)換效率，當(dāng)S是指電池中的有效發(fā)電面積時(shí)，η叫本征轉(zhuǎn)換效率。Voc開路電壓，Isc閉路電流，F(xiàn)F填充因子（應(yīng)在0.70-0.85之間）晶硅太陽能電池片，每一片瓦數(shù)是多少？

    太陽能電池需要一個(gè)大面積的PN結(jié)以實(shí)現(xiàn)光能到電能的轉(zhuǎn)換，而擴(kuò)散爐即為制造太陽能電池PN結(jié)的設(shè)備。管式擴(kuò)散爐主要由石英舟的上下載部分、廢氣室、爐體部分和氣柜部分等四大部分組成。擴(kuò)散一般用三氯氧磷液態(tài)源作為擴(kuò)散源。把P型硅片放在管式擴(kuò)散爐的石英容器內(nèi)，在850---900攝氏度高溫下使用氮?dú)鈱⑷妊趿讕胧⑷萜?，通過三氯氧磷和硅片進(jìn)行反應(yīng)，得到磷原子。經(jīng)過一定時(shí)間，磷原子從四周進(jìn)入硅片的表面層，并且通過硅原子之間的空隙向硅片內(nèi)部滲透擴(kuò)散，形成了N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的交界面，也就是PN結(jié)。這種方法制出的PN結(jié)均勻性好,方塊電阻的不均勻性小于百分之十,少子壽命可大于10ms。制造PN結(jié)是太陽電池生產(chǎn)基本也是關(guān)鍵的工序。因?yàn)檎荘N結(jié)的形成，才使電子和空穴在流動(dòng)后不再回到原處，這樣就形成了電流，用導(dǎo)線將電流引出，就是直流電。 太陽能電池片連接問題！貴州太陽能電池片公司

太陽能電池片的技術(shù)參數(shù)?。。≠F州雙晶硅太陽能電池片組件

    鍍減反射膜拋光硅表面的反射率為35%,為了減少表面反射,提高電池的轉(zhuǎn)換效率,需要沉積一層氮化硅減反射膜。工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。一般情況下，使用這種等離子增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積的方法沉積的薄膜厚度在70nm左右。這樣厚度的薄膜具有光學(xué)的功能性。利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大為減少，電池的短路電流和輸出就有很大增加，效率也有相當(dāng)?shù)奶岣摺?貴州雙晶硅太陽能電池片組件

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