貴州硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-26

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)用到硅光芯片,我們一起來(lái)了解硅光芯片的重要性。為什么未來(lái)需要硅光芯片,這是由于隨著5G時(shí)代的到來(lái),芯片對(duì)傳輸速率和穩(wěn)定性要求更高,硅光芯片相比傳統(tǒng)硅芯的性能更好,在通信器件的高級(jí)市場(chǎng)上,硅光芯片的作用更加明顯。未來(lái)人們對(duì)流量的速度要求比較高,作為技術(shù)運(yùn)營(yíng)商,5G的密集組網(wǎng)對(duì)硅光芯片的需求大增。之所以說(shuō)硅光芯片定位通信器件的高級(jí)市場(chǎng),這是由于未來(lái)的5G將應(yīng)用在生命科學(xué)、超算、量子大數(shù)據(jù)、無(wú)人駕駛等,這些領(lǐng)域?qū)νㄓ嵉囊蟾?,不同?G網(wǎng)絡(luò),零延時(shí)、無(wú)差錯(cuò)是較基本的要求。目前,國(guó)內(nèi)中心的光芯片及器件依然嚴(yán)重依賴于進(jìn)口,高級(jí)光芯片與器件的國(guó)產(chǎn)化率不超過(guò)10%,這是國(guó)內(nèi)加大研究光芯的內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力。圖像處理軟件能自動(dòng)測(cè)量出各項(xiàng)偏差,然后軟件驅(qū)動(dòng)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)和運(yùn)動(dòng)平臺(tái)來(lái)補(bǔ)償偏差,以及給出提示。貴州硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

貴州硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng),硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)

實(shí)驗(yàn)中我們經(jīng)常使用硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)獲得了超過(guò)50%的耦合效率測(cè)試以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對(duì)一個(gè)基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對(duì)利用側(cè)向外延生長(zhǎng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來(lái)阻止InP種子層中的線位錯(cuò)在外延生長(zhǎng)中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺(tái)對(duì)于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。福建分路器硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)廠家硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):易于大規(guī)模測(cè)試。

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硅硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中硅光耦合結(jié)構(gòu)需要具備:硅光半導(dǎo)體元件,在其上表面具有發(fā)硅光受硅光部,且在下表面?zhèn)缺话惭b于基板;硅光傳輸路,其具有以規(guī)定的角度與硅光半導(dǎo)體元件的硅光軸交叉的硅光軸,且與基板的安裝面分離配置;以及硅光耦合部,其變換硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間的硅光路,且將硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路之間硅光學(xué)地耦合。硅光耦合部由相對(duì)于傳輸?shù)墓韫馔该鞯臉?shù)脂構(gòu)成,樹(shù)脂分別緊貼硅光半導(dǎo)體元件的發(fā)硅光受硅光部的至少一部分以及硅光傳輸路的端部的至少一部分,硅光半導(dǎo)體元件與硅光傳輸路通過(guò)構(gòu)成硅光耦合部的樹(shù)脂本身被粘接。

在光芯片領(lǐng)域,芯片耦合封裝問(wèn)題是硅光芯片實(shí)用化過(guò)程中的關(guān)鍵問(wèn)題,芯片性能的測(cè)試也是尤其重要的一個(gè)步驟,現(xiàn)有的硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動(dòng)微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光,并依靠對(duì)輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控,再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測(cè)試則是將測(cè)試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起,形成一個(gè)測(cè)試站。具體的,所有的測(cè)試設(shè)備通過(guò)光纖,設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測(cè)試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過(guò)光纖連接到光功率計(jì),就可以測(cè)試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過(guò)光線連接到光譜儀,就可以測(cè)試光芯片的光譜等。硅光芯片是將硅光材料和器件通過(guò)特殊工藝制造的集成電路。

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硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試站包含自動(dòng)硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)客戶端程序,其程序流程如下:首先向自動(dòng)耦合臺(tái)發(fā)送耦合請(qǐng)求信息,并且信息包括待耦合芯片的通道號(hào),然后根據(jù)自動(dòng)耦合臺(tái)返回的相應(yīng)反饋信息進(jìn)入自動(dòng)耦合等待掛起,直到收到自動(dòng)耦合臺(tái)的耦合結(jié)束信息后向服務(wù)器發(fā)送測(cè)試請(qǐng)求信息,以進(jìn)行光芯片自動(dòng)指標(biāo)測(cè)試。自動(dòng)耦合臺(tái)包含輸入端、輸出端與中間軸三部分,其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動(dòng)反饋微調(diào)架,精度可達(dá)50nm,滿足光芯片耦合精度要求。特別的,為監(jiān)控調(diào)光耦合功率,完成自動(dòng)化耦合過(guò)程,測(cè)試站應(yīng)連接一個(gè)PD光電二極管,以實(shí)時(shí)獲取當(dāng)前光功率。硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn):操作方便。福建分路器硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)廠家

光通信的一個(gè)發(fā)展趨勢(shì)是實(shí)現(xiàn)集成化,類似于集成電路,將光通信系統(tǒng)集成在單一光電子芯片。貴州硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)

硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)中的硅光與芯片的耦合方法及其硅光芯片,方法包括以下步驟:1、使用微調(diào)架將光纖端面與模斑變換器區(qū)域精確對(duì)準(zhǔn),調(diào)節(jié)至合適耦合間距后采用紫外膠將光纖分別與固定塊和墊塊粘接固定;2、將硅光芯片粘貼固定在基板上,硅光芯片的端面耦合波導(dǎo)為懸臂梁結(jié)構(gòu),具有模斑變換器;通過(guò)圖像系統(tǒng),微調(diào)架將光纖端面與耦合波導(dǎo)的模斑變換器耦合對(duì)準(zhǔn),固定塊從側(cè)面緊挨光纖并固定在基板上;3、硅光芯片的輸入端和輸出端分別粘貼墊塊并支撐光纖未剝除涂覆層的部分。貴州硅光芯片耦合測(cè)試系統(tǒng)供應(yīng)