上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

在光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是光子芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光，并依靠對輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個(gè)測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過光纖，設(shè)備連接線等連接成一個(gè)測試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì)，就可以測試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀，就可以測試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：功耗低。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

耦合掉電，即在耦合的過程中斷電致使設(shè)備連接不上的情況，如果電池電量不足或者使用程控電源時(shí)供電電壓過低、5V觸發(fā)電壓未接觸好、測試連接線不良等都會導(dǎo)致耦合掉電的現(xiàn)象。與此相似的耦合充電也是常見的故障之一，在硅光芯片耦合測試系統(tǒng)過程中，點(diǎn)擊HQ_CFS的“開始”按鈕進(jìn)行測試時(shí)一定要等到“請稍后”出現(xiàn)后才能插上USB進(jìn)行硅光芯片耦合測試系統(tǒng)，否則就會出現(xiàn)耦合充電，若測試失敗，可重新插拔電池再次進(jìn)行測試，排除以上操作手法沒有問題后，還是出現(xiàn)充電現(xiàn)象，則是耦合驅(qū)動的問題了，若識別不到端口則是測試用的數(shù)據(jù)線損壞的緣故。吉林振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)公司硅光芯片耦合測試該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾。

基于設(shè)計(jì)版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng)進(jìn)行介紹,該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇?cái)?shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點(diǎn),獲取與第1測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點(diǎn),獲取與第二測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過測試點(diǎn)圖形與測試點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時(shí)短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。

目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過開發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在此基礎(chǔ)之上,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：在一個(gè)指令周期內(nèi)可完成一次乘法和一次加法。

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料?；贗II-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路。吉林振動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)公司

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：體積小。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

目前,基于SOI(絕緣體上硅)材料的波導(dǎo)調(diào)制器成為當(dāng)前的研究熱點(diǎn),也取得了許多的進(jìn)展,但在硅光芯片調(diào)制器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中,面臨著一系列的問題,波導(dǎo)芯片與光纖的有效耦合就是難題之一。從懸臂型耦合結(jié)構(gòu)出發(fā),模擬設(shè)計(jì)了懸臂型倒錐耦合結(jié)構(gòu),通過開發(fā)相應(yīng)的有效地耦合工藝來實(shí)現(xiàn)耦合實(shí)驗(yàn),驗(yàn)證了該結(jié)構(gòu)良好的耦合效率。在這個(gè)基礎(chǔ)之上,對硅光芯片調(diào)制器進(jìn)行耦合封裝,并對封裝后的調(diào)制器進(jìn)行性能測試分析。主要研究基于硅光芯片調(diào)制技術(shù)的硅基調(diào)制器芯片的耦合封裝及測試技術(shù)其實(shí)就是硅光芯片耦合測試系統(tǒng)。上海單模硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商