廣東光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

在光芯片領(lǐng)域，芯片耦合封裝問題是光子芯片實(shí)用化過程中的關(guān)鍵問題，芯片性能的測試也是至關(guān)重要的一步驟，現(xiàn)有的硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)是將光芯片的輸入輸出端光纖置于顯微鏡下靠人工手工移動微調(diào)架轉(zhuǎn)軸進(jìn)行調(diào)光，并依靠對輸出光的光功率進(jìn)行監(jiān)控，再反饋到微調(diào)架端進(jìn)行調(diào)試。芯片測試則是將測試設(shè)備按照一定的方式串聯(lián)連接在一起，形成一個測試站。具體的，所有的測試設(shè)備通過光纖，設(shè)備連接線等連接成一個測試站。例如將VOA光芯片的發(fā)射端通過光纖連接到光功率計(jì)，就可以測試光芯片的發(fā)端光功率。將光芯片的發(fā)射端通過光線連接到光譜儀，就可以測試光芯片的光譜等。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)的優(yōu)勢：背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。廣東光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

測試站包含自動硅光芯片耦合測試系統(tǒng)客戶端程序，其程序流程如下：首先向自動耦合臺發(fā)送耦合請求信息，并且信息包括待耦合芯片的通道號，然后根據(jù)自動耦合臺返回的相應(yīng)反饋信息進(jìn)入自動耦合等待掛起，直到收到自動耦合臺的耦合結(jié)束信息后向服務(wù)器發(fā)送測試請求信息，以進(jìn)行光芯片自動指標(biāo)測試。自動耦合臺包含輸入端、輸出端與中間軸三部分，其中輸入端與輸出端都是X、Y、Z三維電傳式自動反饋微調(diào)架，精度可達(dá)50nm，滿足光芯片耦合精度要求。特別的，為監(jiān)控調(diào)光耦合功率，完成自動化耦合過程，測試站應(yīng)連接一個PD光電二極管，以實(shí)時獲取當(dāng)前光功率。江西射頻硅光芯片耦合測試系統(tǒng)哪里有硅光芯片耦合測試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)：功耗低。

我們分析了一種可以有效消除偏振相關(guān)性的偏振分級方案,并提出了兩種新型結(jié)構(gòu)以實(shí)現(xiàn)該方案中的兩種關(guān)鍵元件。通過理論分析以及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,一個基于一維光柵的偏振分束器被證明能夠?qū)崿F(xiàn)兩種偏振光的有效分離。該分束器同時還能作為光纖與硅光芯片之間的高效耦合器。實(shí)驗(yàn)中我們獲得了超過50%的耦合效率以及低于-20dB的偏振串?dāng)_。我們還對一個基于硅條形波導(dǎo)的超小型偏振旋轉(zhuǎn)器進(jìn)行了理論分析,該器件能夠?qū)崿F(xiàn)100%的偏轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化效率,并擁有較大的制造容差。在這里,我們還對利用側(cè)向外延生長硅光芯片耦合測試系統(tǒng)技術(shù)實(shí)現(xiàn)Ⅲ-Ⅴ材料與硅材料混集成的可行性進(jìn)行了初步分析,并優(yōu)化了諸如氫化物氣相外延,化學(xué)物理拋光等關(guān)鍵工藝。在該方案中,二氧化硅掩膜被用來阻止InP種子層中的線位錯在外延生長中的傳播。初步實(shí)驗(yàn)結(jié)果和理論分析證明該集成平臺對于實(shí)現(xiàn)InP和硅材料的混合集成具有比較大的吸引力。

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)系統(tǒng)，該設(shè)備主要由極低/變溫控制子系統(tǒng)、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)、機(jī)械力學(xué)加載控制子系統(tǒng)、非接觸多場環(huán)境下的宏/微觀變形測量子系統(tǒng)五個子系統(tǒng)組成。其中極低/變溫控制子系統(tǒng)采用GM制冷機(jī)進(jìn)行低溫冷卻，實(shí)現(xiàn)無液氦制冷，并通過傳導(dǎo)冷方式對杜瓦內(nèi)的試樣機(jī)磁體進(jìn)行降溫。系統(tǒng)產(chǎn)品優(yōu)勢：1、可視化杜瓦，可實(shí)現(xiàn)室溫~4.2K變溫環(huán)境下光學(xué)測試根據(jù)測試。2、背景強(qiáng)磁場子系統(tǒng)能夠提供高達(dá)3T的背景強(qiáng)磁場。3、強(qiáng)電流加載控制子系統(tǒng)采用大功率超導(dǎo)電源對測試樣品進(jìn)行電流加載，較大可實(shí)現(xiàn)1000A的測試電流。4、該測量系統(tǒng)不與極低溫試樣及超導(dǎo)磁體接觸，不受強(qiáng)磁場、大電流及極低溫的影響和干擾，能夠高精度的測量待測試樣的三維或二維的全場測量。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：具有低開銷或無開銷循環(huán)及跳轉(zhuǎn)的硬件支持。

伴隨著光纖通信技術(shù)的快速發(fā)展,小到芯片間,大到數(shù)據(jù)中心間的大規(guī)模數(shù)據(jù)交換處理,都迫切需求高速,可靠,低成本,低功耗的互聯(lián)。當(dāng)前,我們把主流的光互聯(lián)技術(shù)分為兩類。一類是基于III-V族半導(dǎo)體材料,另一類是基于硅等與現(xiàn)有的成熟的微電子CMOS工藝兼容的材料。基于III-V族半導(dǎo)體材料的光互聯(lián)技術(shù),在光學(xué)性能方面較好,但是其成本高,工藝復(fù)雜,加工困難,集成度不高的缺點(diǎn)限制了未來大規(guī)模光電子集成的發(fā)展。硅光芯片器件可將光子功能和智能電子結(jié)合在一起以及提供潛力巨大的高速光互聯(lián)的解決方案。硅光芯片耦合測試系統(tǒng)主要是用整機(jī)模擬一個實(shí)際使用的環(huán)境,測試設(shè)備在無線環(huán)境下的射頻性能。廣東光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

硅光芯片耦合測試系統(tǒng)硅光芯片的好處：具有在單周期內(nèi)操作的多個硬件地址產(chǎn)生器。廣東光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

基于設(shè)計(jì)版圖對硅光芯片進(jìn)行光耦合測試的方法及系統(tǒng),該方法包括:讀取并解析設(shè)計(jì)版圖,得到用于構(gòu)建芯片圖形的坐標(biāo)簇數(shù)據(jù),驅(qū)動左側(cè)光纖對準(zhǔn)第1測試點(diǎn),獲取與第1測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第1選中信息,驅(qū)動右側(cè)光纖對準(zhǔn)第二測試點(diǎn),獲取與第二測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第二選中信息,獲取與目標(biāo)測試點(diǎn)相對應(yīng)的測試點(diǎn)圖形的第三選中信息,通過測試點(diǎn)圖形與測試點(diǎn)的對應(yīng)關(guān)系確定目標(biāo)測試點(diǎn)的坐標(biāo),以驅(qū)動左或右側(cè)光纖到達(dá)目標(biāo)測試點(diǎn),進(jìn)行光耦合測試;該系統(tǒng)包括上位機(jī),電機(jī)控制器,電機(jī),夾持載臺及相機(jī)等;本發(fā)明具有操作簡單,耗時短,對用戶依賴程度低等優(yōu)點(diǎn),能夠極大提高硅光芯片光耦合測試的便利性。廣東光子晶體硅光芯片耦合測試系統(tǒng)供應(yīng)商

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