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一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的,由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能,一是晶閘管模塊電壓失效,就是我們常說(shuō)的降伏,電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問(wèn)題,線路中產(chǎn)生了過(guò)電壓,且對(duì)晶閘管模塊所采取的保護(hù)措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡,甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷,一般部是門(mén)極或放大門(mén)極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成,門(mén)極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用,目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)將其放大,然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通,然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過(guò)大,主可控硅還沒(méi)有完全導(dǎo)通,大的電流主要通過(guò)相當(dāng)于門(mén)極的可控硅流過(guò),而此可控硅的承載電流的能力是很小的,所以造成此可控硅燒壞,表面看就是門(mén)極或放大門(mén)極附近燒成一小黑點(diǎn)。至于dv/dt其本身是不會(huì)燒壞晶閘管模塊的,只是高的dv/dt會(huì)使晶閘管模塊誤觸發(fā)導(dǎo)通,其表面現(xiàn)象跟電流燒壞的現(xiàn)象差不多。淄博正高電氣尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。東營(yíng)雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件
所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上,考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素,在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT,即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件,器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中,當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí),各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多數(shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作,通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些,一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。3.選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽(yáng)極電流減少為0以后,假如馬上就加上正朝陽(yáng)極電壓,即使無(wú)門(mén)極信號(hào),它也會(huì)再次導(dǎo)通,假如在再次加上正朝陽(yáng)極電壓之前使器件承受一定時(shí)間的反向偏置電壓,也不會(huì)誤導(dǎo)通,這說(shuō)明晶閘管模塊關(guān)斷后需要一定的時(shí)間恢復(fù)其阻斷能力。從電流過(guò)O到器件能阻斷重加正向電壓的瞬間為止的小時(shí)聞間隔是可控硅的關(guān)斷時(shí)間tg,由反向恢復(fù)時(shí)間t和門(mén)極恢復(fù)時(shí)間t構(gòu)成,普通晶閘管模塊的tg約150-200μs。通常能滿足一般工頻下變流器的使用,但在大感性負(fù)載的情況下可作一些選擇。廣西小功率晶閘管調(diào)壓模塊配件淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。
傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離的單只晶閘管和晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓;加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣,粉塵飛揚(yáng),溫度變化較大,濕度較高,長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常,造成晶閘管擊穿,導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn),產(chǎn)品報(bào)廢等,給生產(chǎn)造成眼中損失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作,必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題,采用密封性好,工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng),安裝維修方便的可控硅智能調(diào)壓模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式??煽毓柚悄苷{(diào)壓模塊是把主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)(即觸發(fā)板)集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi),從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線,減小了接線錯(cuò)誤的幾率,維護(hù)方便,普通電工即可完成操作,省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi),環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會(huì)對(duì)其產(chǎn)生影響,增加了可靠性。一、工作原理可控硅智能調(diào)壓模塊用于電加熱控制柜內(nèi),通過(guò)溫控儀表的溫度傳感器來(lái)采集爐內(nèi)溫度,然后由恒溫儀表來(lái)控制智能可控硅調(diào)壓模塊的輸出電壓,形成一個(gè)溫度閉環(huán)系統(tǒng),來(lái)保持爐內(nèi)溫度恒定二、可控硅智能調(diào)壓模塊的選擇可控硅智能調(diào)壓模塊是由電加熱爐控制裝置中關(guān)鍵的功率器件。
正高教你區(qū)分可控硅模塊損壞的原因當(dāng)可控硅模塊損壞后,一定要及時(shí)找到損壞的原因,然后立即進(jìn)行故障處理,下面正高教你如何區(qū)分可控硅模塊損壞的原因。當(dāng)可控硅模塊損壞后需求查看剖析其緣由時(shí),可把管芯從冷卻套中取出,翻開(kāi)芯盒再取出芯片,調(diào)查其損壞后的痕跡,以判別是何緣由。下面介紹幾種常見(jiàn)表象剖析。電流損壞。電流損壞的痕跡特征是芯片被燒成一個(gè)凹坑,且粗糙,其方位在遠(yuǎn)離操控極上。電壓擊穿??煽毓枰虿荒芙邮茈妷憾鴵p壞,其芯片中有一個(gè)光亮的小孔,有時(shí)需用擴(kuò)展鏡才干看見(jiàn)。其緣由可能是管子自身耐壓降低或被電路斷開(kāi)時(shí)發(fā)生的高電壓擊穿。電流上升率損壞。其痕跡與電流損壞一樣,而其方位在操控極鄰近或就在操控極上。邊際損壞。他發(fā)生在芯片外圓倒角處,有細(xì)微光亮小孔。用放大鏡可看到倒角面上有細(xì)細(xì)金屬物劃痕。這是制作廠家裝置不小心所形成的。它致使電壓擊穿。以上4種緣由都是可控硅模塊的常見(jiàn)損壞緣由,遇到可控硅模塊損壞事情,應(yīng)剖析。淄博正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。
相信大家對(duì)于可控硅模塊并不陌生了,現(xiàn)代在電氣行業(yè)的不斷發(fā)展,可控硅模塊的使用范圍越來(lái)越廣,但是你對(duì)可控硅模塊的了解有多少呢,它的主要參數(shù)有哪些你知道嗎?下面為大家講解??煽毓枘K的主要參數(shù)有:(1)額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。(2)正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的正向峰值電壓??煽毓枘K承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。(3)反向陰斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),可以重復(fù)加在可控硅模塊兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。(4)控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽(yáng)極——陰極間加有一定電壓時(shí),可控硅模塊從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的較小控制極電流和電壓。(5)維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的較小陽(yáng)極正向電流。近年來(lái),許多新型可控硅模塊相繼問(wèn)世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅模塊,可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅模塊,可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通。淄博正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié),保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問(wèn)題。東營(yíng)雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件
淄博正高電氣不斷從事技術(shù)革新,改進(jìn)生產(chǎn)工藝,提高技術(shù)水平。東營(yíng)雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件
正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應(yīng)用晶閘管模塊,出現(xiàn)在1957年,而后隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,使晶閘管模塊在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用,但是,過(guò)去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大,安裝調(diào)試麻煩,可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產(chǎn)的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問(wèn)題,下面一起來(lái)看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發(fā)電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內(nèi)的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,功能電路由單片機(jī)完成,并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過(guò)模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤(pán),進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,并可進(jìn)行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達(dá)1000A,電壓達(dá)1600~2200V,智能晶閘管模塊實(shí)際上已是一個(gè)準(zhǔn)電力電子裝置,不論在體積、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面與傳統(tǒng)裝置相比都有很大優(yōu)勢(shì),且安裝、使用特別方便。毫無(wú)疑問(wèn),有了這種模塊,今后將會(huì)使配電系統(tǒng)內(nèi)的各種電氣控制發(fā)生重大變化。智能晶閘管模塊一般由電力晶閘管,移相觸發(fā)器,軟件控制的單片機(jī)。東營(yíng)雙向晶閘管調(diào)壓模塊配件
淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū),是專業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,并可根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工。近年來(lái),本公司堅(jiān)持以人為本,始終立足于科技的前沿,狠抓產(chǎn)品質(zhì)量,產(chǎn)品銷往全國(guó)各地,深受用戶的好評(píng)。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,在社會(huì)各界及客戶的大力支持下,生機(jī)勃發(fā),春意盎然。面向未來(lái),前程似錦,豪情滿懷。今后,我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì),堅(jiān)持科技創(chuàng)新,一切為用戶著想,以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高、精、尖的優(yōu)良產(chǎn)品,不斷改進(jìn)、不斷提高是我們不變的追求,用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀指導(dǎo),恰談業(yè)務(wù)!