山西單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-01-04

可控硅模塊在電源設(shè)備中的應(yīng)用可以說是相當(dāng)廣了,它的優(yōu)勢也是人人皆知的,那么可控硅模塊具體電流應(yīng)用是怎么的您知道嗎?下面正高電氣在給您講解一下??煽毓枘K可以用在交流電路中,也可以用在直流電路中。用于直流電路時(shí)好使用直流下可關(guān)斷可控硅,可控硅模塊主回路的在導(dǎo)通情況下關(guān)斷時(shí),要滿足主回路電流小于其維持電流的條件才能被關(guān)斷,一般可控硅模塊的維持電流在幾毫安——幾十毫安范圍內(nèi)??刂平涣麟娐窌r(shí),由于交流電流有過零時(shí)刻,可控硅模塊主回路電流小于維持電流,因此能夠滿足關(guān)斷條件。直流電路中也可以采用產(chǎn)生反向電流的電路使主回路電流瞬間小于維持電流,而被關(guān)斷。用可控硅模塊控制交流的應(yīng)用很廣,單結(jié)晶體管交流調(diào)壓電路就是一種典型的交流調(diào)壓電路。調(diào)壓原理是:通過改變單結(jié)晶體管發(fā)出觸發(fā)脈沖的導(dǎo)通角度來控制可控硅的導(dǎo)通時(shí)間,來實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓。此電路中,單結(jié)晶體管是接在交流電路中的,通過半波整流和降壓獲取工作電源。通常在調(diào)壓電路中,觸發(fā)電路由控制電路產(chǎn)生,控制電路工作在直流電路中。其實(shí),不必深究是否是直流控制交流,只要知道可控硅模塊的控制原理就行了,其基本的原理就是用觸發(fā)脈沖控制可控硅的導(dǎo)通。淄博正高電氣愿與各界朋友攜手共進(jìn),共創(chuàng)未來!山西單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

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加在控制極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí),就能改變其導(dǎo)通電流的大小。雙向可控硅模塊與單向可控硅模塊的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)脈沖的極性改變時(shí),其導(dǎo)通方向就隨著極性的變化而改變,從而能夠控制交流電負(fù)載。而單向可控硅經(jīng)觸發(fā)后只能從陽極向陰極單方向?qū)?,所以可控硅有單雙向之分。雙向可控硅模塊按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按封裝分,分為一般半塑封裝、外絕緣式全塑封裝;按觸發(fā)電流來分,分為微觸型、高靈敏度型、標(biāo)準(zhǔn)觸發(fā)型;按電壓分,常規(guī)電壓品種、高壓品種。可控硅模塊由于它在電路應(yīng)用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn),自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科。可控硅模塊發(fā)展到現(xiàn)在,在工藝上已經(jīng)非常成熟,品質(zhì)更好,成品率大幅提高,并向高壓大電流發(fā)展??煽毓枘K在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實(shí)現(xiàn)交流→可變直流之轉(zhuǎn)變;無觸點(diǎn)功率靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):作為功率開關(guān)元件??煽毓枘K可以代替接觸器、繼電器用于開關(guān)頻率很高的場合。廣西恒壓晶閘管調(diào)壓模塊供應(yīng)商淄博正高電氣以發(fā)展求壯大,就一定會贏得更好的明天。

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選購可控硅模塊,質(zhì)量重要還是品牌重要,您在購買東西的時(shí)候是比較注重質(zhì)量呢還是品牌呢?如果是在購買服裝類物品可以注重品牌,但是可控硅模塊類產(chǎn)品的質(zhì)量問題是不容小視的,輕則損壞設(shè)備,重則會產(chǎn)生安全隱患??煽毓枘K類的產(chǎn)品質(zhì)量問題比品牌重要的多??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長足發(fā)展??煽毓枘K的重點(diǎn)不在于它是什么牌子,而是工藝、芯片直流,和壓降大小。所以品質(zhì)比牌子更重要??煽毓枘K采用德國設(shè)備工藝中國制造、體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、重復(fù)性好、外接線簡單、反應(yīng)極快,在微秒級內(nèi)開通、關(guān)斷、無觸點(diǎn)開關(guān)、無火花、無噪音、芯片與底板絕緣、真空焊接結(jié)構(gòu)、正向壓降小。

晶閘管模塊在現(xiàn)代使用的范圍很廣,相信很多人都聽說過晶閘管模塊,但是晶閘管模塊的相關(guān)知識你了解多少?是否深入了解了呢?下面的十個(gè)問題讓你深度了解晶閘管模塊的全部知識。一:晶閘管模塊的簡介晶閘管模塊又叫可控硅模塊。自從20世紀(jì)50年代問世以來已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶閘管、快速晶閘管,等等。大家使用的是單向晶閘管模塊,也就是人們常說的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來,通過開關(guān)S接在直流電源上。注意陽極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過按鈕開關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管模塊,若采用KP1型,應(yīng)接在)。淄博正高電氣受行業(yè)客戶的好評,值得信賴。

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軟啟動(dòng)器可控硅降溫的重要性軟啟動(dòng)器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動(dòng)器的使用壽命。可控硅模塊與其它功率器件一樣,工作時(shí)由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動(dòng)器設(shè)備有,主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,所以我們要先解決軟啟動(dòng)器工作環(huán)境的溫度問題,若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動(dòng)器的工作,導(dǎo)致軟啟動(dòng)器過熱保護(hù)跳閘。保證軟起動(dòng)器具有良好的運(yùn)行環(huán)境,須對變頻器及運(yùn)行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動(dòng)器預(yù)留一定的空間,定期給軟啟動(dòng)器進(jìn)行清灰處理,都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。淄博正高電氣秉承團(tuán)結(jié)、奮進(jìn)、創(chuàng)新、務(wù)實(shí)的精神,誠實(shí)守信,厚德載物。湖南單向晶閘管調(diào)壓模塊分類

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可控硅模塊的作用和優(yōu)勢大家都知道,它的應(yīng)用范圍是非常廣的,在不同設(shè)備上的使用方法也是不一樣的,那么在整流電路中可控硅模塊的使用方法是什么呢?下面正高來講一下在整流電路中可控硅模塊的使用方法。在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來得晚,可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅模塊導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來表示可控硅模塊在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?。山西單向晶閘管調(diào)壓模塊分類