寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類(lèi)

晶閘管的主要電參數(shù)有正向轉(zhuǎn)折電壓VBO、正向平均漏電流IFL、反向漏電流IRL、斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM、反向重復(fù)峰值電壓VRRM、正向平均壓降VF、通態(tài)平均電流IT、門(mén)極觸發(fā)電壓VG、門(mén)極觸發(fā)電流IG、門(mén)極反向電壓和維持電流IH等。(一)晶閘管正向轉(zhuǎn)折電壓VBO晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓VBO是指在額定結(jié)溫為100℃且門(mén)極(G)開(kāi)路的條件下，在其陽(yáng)極(A)與陰極(K)之間加正弦半波正向電壓、使其由關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)時(shí)所對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(二)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM，是指晶閘管在正向阻斷時(shí)，允許加在A、K(或T1、T2)極間大的峰值電壓。此電壓約為正向轉(zhuǎn)折電壓減去100V后的電壓值。(三)晶閘管通態(tài)平均電流IT通態(tài)平均電流IT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，晶閘管正常工作時(shí)A、K(或T1、T2)極間所允許通過(guò)電流的平均值。(四)反向擊穿電壓VBR反向擊穿電壓是指在額定結(jié)溫下，晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門(mén)極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。。淄博正高電氣公司自成立以來(lái)，一直專(zhuān)注于對(duì)產(chǎn)品的精耕細(xì)作。寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類(lèi)

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng)，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不只是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣，有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極（A）、陰極（C）和控制極（G），管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引入，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)?？煽毓钁?yīng)用時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。江西單向可控硅調(diào)壓模塊淄博正高電氣全力打造良好的企業(yè)形象。

可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理?？梢园褟年帢O向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1，經(jīng)放大，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2。

會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞，如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞，就要了解過(guò)電壓的產(chǎn)生原因，從而去避免防止受損，下面正高電氣就來(lái)講講過(guò)電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞？以及過(guò)電壓產(chǎn)生的原因?？煽毓枘K對(duì)過(guò)電壓非常敏感，當(dāng)正向電壓超過(guò)udrm值時(shí)，可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障；當(dāng)施加的反向電壓超過(guò)urrm值時(shí)，可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此，需要研究過(guò)電壓產(chǎn)生的原因和過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化，使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚，或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn)，由于外界沖擊引起的過(guò)電壓主要有兩種類(lèi)型，如雷擊和開(kāi)關(guān)開(kāi)啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰，對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。開(kāi)關(guān)的開(kāi)啟和關(guān)閉引起的脈沖電壓分為以下兩類(lèi)：（1）交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓如交流開(kāi)關(guān)分合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過(guò)電壓，由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路、電容分壓等原因，這些過(guò)電壓值是正常值的2～10倍以上。一般來(lái)說(shuō)，開(kāi)閉速度越快，過(guò)電壓越高，則在無(wú)負(fù)載下斷開(kāi)晶閘管模塊時(shí)過(guò)電壓就越高。直流側(cè)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如，如果切斷電路的電感較大。淄博正高電氣具備雄厚的實(shí)力和豐富的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

晶閘管陽(yáng)極與陰極之間施加正弦半波反向電壓，當(dāng)其反向漏電電流急劇增加時(shí)反對(duì)應(yīng)的峰值電壓。(五)晶閘管反向重復(fù)峰值電壓VRRM反向重復(fù)峰值電壓VRRM，是指晶閘管在門(mén)極G斷路時(shí)，允許加在A、K極間的大反向峰值電壓。此電壓約為反向擊穿電壓減去100V后的峰值電壓。(六)晶閘管正向平均電壓降VF正向平均電壓降VF也稱(chēng)通態(tài)平均電壓或通態(tài)壓降VT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和標(biāo)準(zhǔn)散熱條件下，當(dāng)通過(guò)晶閘管的電流為額定電流時(shí)，其陽(yáng)極A與陰極K之間電壓降的平均值，通常為。(七)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電壓VGT門(mén)極觸發(fā)VGT，是指在規(guī)定的環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值正向電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門(mén)極直流電壓，一般為。(八)晶閘管門(mén)極觸發(fā)電流IGT門(mén)極觸發(fā)電流IGT，是指在規(guī)定環(huán)境溫度和晶閘管陽(yáng)極與陰極之間為一定值電壓的條件下，使晶閘管從阻斷狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)所需要的小門(mén)極直流電流。(九)晶閘管門(mén)極反向電壓門(mén)極反向電壓是指晶閘管門(mén)極上所加的額定電壓，一般不超過(guò)10V。(十)晶閘管維持電流IH維持電流IH是指維持晶閘管導(dǎo)通的小電流。當(dāng)正向電流小于IH時(shí)，導(dǎo)通的晶閘管會(huì)自動(dòng)關(guān)斷。(十一)晶閘管斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR斷態(tài)重復(fù)峰值電流IDR。淄博正高電氣重信譽(yù)、守合同，嚴(yán)把產(chǎn)品質(zhì)量關(guān)，熱誠(chéng)歡迎廣大用戶前來(lái)咨詢考察，洽談業(yè)務(wù)！上海整流可控硅調(diào)壓模塊價(jià)格

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可控硅模塊裝置中產(chǎn)生過(guò)電流保護(hù)的原因有很多，是多種多樣的，那么它采用的保護(hù)措施有哪些？下面可控硅模塊廠家?guī)黄饋?lái)看下?？煽毓枘K產(chǎn)生出的過(guò)電流的原因有很多種，當(dāng)變流裝置內(nèi)部的結(jié)構(gòu)元件損壞、控制或者觸發(fā)系統(tǒng)之間發(fā)生的一些故障、可逆?zhèn)鲃?dòng)環(huán)流過(guò)大或逆變失敗、交流電壓過(guò)高或過(guò)低或缺相、負(fù)載過(guò)載等原因，都會(huì)引起裝置中電力電子元器件耳朵電流超過(guò)正常的工作電流。由于可控硅模塊的過(guò)流比一般的電氣設(shè)備的能力要低得多，因此，我們必須采取防過(guò)電流保護(hù)可控硅模塊的措施。接下來(lái)可控硅生產(chǎn)廠家正高為大家詳細(xì)講解一些可控硅模塊裝置中可能采用的4種過(guò)電流保護(hù)管理措施：1、交流進(jìn)線串接漏電阻大的整流變壓器，利用短路電流受電抗限制，但交流電流大時(shí)會(huì)存在交流壓降。2、電檢測(cè)和過(guò)電流檢測(cè)繼電器電流與設(shè)定值進(jìn)行比較，當(dāng)取樣電流超過(guò)設(shè)定值時(shí)，比較器輸出信號(hào)使所述相移角增加以減小電流或拉逆變器相比較。有時(shí)一定要停止。3、直流快速開(kāi)關(guān)對(duì)于變流裝置功率大且短路可能性較多的場(chǎng)合，可采用動(dòng)作時(shí)間只有2ms的直流快速開(kāi)關(guān)，它可以先于快速熔斷器斷開(kāi)。從而保護(hù)了可控硅模塊，但價(jià)格昂貴所以使用不多。4、將快速熔斷器與普通熔斷器進(jìn)行對(duì)比。寧夏雙向可控硅調(diào)壓模塊分類(lèi)