天津圓環(huán)陣相控陣探頭

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-12-26

相控陣探頭能影響檢測(cè)性能的參數(shù)有哪些?分辨力表示超聲波相控陣探傷儀和探頭組合后,能夠區(qū)分橫向或深度方向相距較近的兩個(gè)相鄰缺陷的能力。分辨力的優(yōu)劣,以能區(qū)分的兩個(gè)缺陷的較小距離表示?;夭l率是指透人工件并經(jīng)界面反射返回的超聲波相控陣頻率,通常與探頭所標(biāo)稱(chēng)的頻率不同,其誤差應(yīng)限制在一定范圍內(nèi)。波束中心軸線(xiàn)偏斜角是指發(fā)射超聲波相控陣束中心軸線(xiàn)與晶片表面不垂直的程度。斜探頭人射點(diǎn)是斜探頭的超聲波相控陣束中心入射于工件探測(cè)面上的一點(diǎn),即超聲波相控陣透人工件材料的起始點(diǎn),它是計(jì)算缺陷位置的相對(duì)參考點(diǎn)。相控陣探頭按陣列形式通??煞譃榫€(xiàn)形、矩陣形、環(huán)形和扇形等等。天津圓環(huán)陣相控陣探頭

相控陣探頭的應(yīng)用:超聲相控陣是超聲探頭晶片的組合,由多個(gè)壓電晶片按一定的規(guī)律分布排列,然后逐次按預(yù)先規(guī)定的延遲時(shí)間激發(fā)各個(gè)晶片,所有晶片發(fā)射的超聲波形成一個(gè)整體波陣面,能有效地控制發(fā)射超聲束(波陣面)的形狀和方向,能實(shí)現(xiàn)超聲波的波束掃描、偏轉(zhuǎn)和聚焦。它為確定不連續(xù)性的形狀、大小和方向提供出比單個(gè)或多個(gè)探頭系統(tǒng)更大的能力。超聲相控陣檢測(cè)技術(shù)使用不同形狀的多陣元換能器產(chǎn)生和接收超聲波束,通過(guò)控制換能器陣列中各陣元發(fā)射(或接收)脈沖的不同延遲時(shí)間,改變聲波到達(dá)(或來(lái)自)物體內(nèi)某點(diǎn)時(shí)的相位關(guān)系,實(shí)現(xiàn)焦點(diǎn)和聲束方向的變化,從而實(shí)現(xiàn)超聲波的波束掃描、偏轉(zhuǎn)和聚焦。然后采用機(jī)械掃描和電子掃描相結(jié)合的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)圖像成像。浙江水楔塊相控陣探頭供應(yīng)商較常用的相控陣探頭一般有16到128個(gè)晶片。

相控陣探頭的應(yīng)用發(fā)展:相控陣技術(shù)作為無(wú)損檢測(cè)行業(yè)的新興技術(shù),起源于醫(yī)療行業(yè)。80年代中期,隨著復(fù)合壓電材料的發(fā)明,相控陣技術(shù)得到了快速的發(fā)展。90年代初,相控陣技術(shù)作為一種新的無(wú)損評(píng)估技術(shù)出現(xiàn)在超聲手冊(cè)和培訓(xùn)手冊(cè)中。90年代末,隨著復(fù)合壓電技術(shù),微加工技術(shù),微電子技術(shù)和計(jì)算技術(shù)的發(fā)展,使得相控陣技術(shù)日趨成熟,尤其是計(jì)算處理能力的增強(qiáng)使得軟件功能得到極大提升。相控陣探傷技術(shù)可普遍用于石油石化、金屬加工制造、航空航天等領(lǐng)域,尤其以石油石化行業(yè)的焊縫檢測(cè)是相控陣技術(shù)應(yīng)用的重點(diǎn)。

相控陣探頭的應(yīng)用:一維線(xiàn)陣是目前相控陣探頭中應(yīng)用較多的一種形式,其特點(diǎn)是能在相控陣的軸平面實(shí)現(xiàn)聲束偏轉(zhuǎn)和軸向聚焦。與一維線(xiàn)陣相比,環(huán)形陣的優(yōu)勢(shì)是能在聲束剖面實(shí)現(xiàn)二維聚焦(一維線(xiàn)陣只能實(shí)現(xiàn)一個(gè)方向上的聲束聚焦),聲束剖面呈圓形,能獲得較大的能量集中,并且不要求大數(shù)目的陣列,因此其能在采用高頻檢測(cè)時(shí)仍保證較高的穿透力;但環(huán)形陣的缺點(diǎn)是不能進(jìn)行聲束偏轉(zhuǎn)控制,因此主要應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像和脈沖多普勒體積流量計(jì)中。扇形陣和二維矩陣都可實(shí)現(xiàn)所有方向的聲束偏轉(zhuǎn)和軸向聚焦,扇形陣多用于棒材檢測(cè),二維矩陣由于加工工藝限制、電路復(fù)雜及制作成本高等原因,仍主要應(yīng)用于醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用較少,但其聲束不只能實(shí)現(xiàn)沿晶片排列方向的掃查,還可以縱向擺動(dòng)掃查,因此其具有三維成像的優(yōu)勢(shì),這將會(huì)是未來(lái)超聲相控陣換能器的發(fā)展方向。一般大多數(shù)相控陣探頭使用的頻率可根據(jù)被檢測(cè)工件的需求而定制。

相控陣探頭的應(yīng)用技術(shù):聲衰減和聲散射的數(shù)學(xué)理論較為復(fù)雜。聲束經(jīng)過(guò)特定聲程時(shí)出現(xiàn)衰減而引起的波幅損失是材料吸收和聲波散射共同作用的結(jié)果。吸收程度會(huì)隨著頻率的增加而呈線(xiàn)性增加,而散射情況則根據(jù)波長(zhǎng)對(duì)晶粒邊界大小的比率,或?qū)ζ渌⑸潴w的比率,在通過(guò)3個(gè)區(qū)域時(shí)會(huì)發(fā)生變化。在所有情況下,散射程度都會(huì)隨頻率的更加而增強(qiáng)。在某種特定的溫度下,以某種特定的頻率進(jìn)行檢測(cè)的某種特定的材料,都有一個(gè)特定的衰減系數(shù),這個(gè)系數(shù)通常以Np/cm為單位表示,即每厘米耗損的奈培。相控陣探頭組合件包含一個(gè)保護(hù)性匹配層、一個(gè)背襯層、線(xiàn)纜連接器以及一個(gè)外殼。河南相控陣探頭采購(gòu)

相控陣探頭的聲波散射程度會(huì)隨頻率的更加而增強(qiáng)。天津圓環(huán)陣相控陣探頭

常規(guī)縱波超聲探頭工作的方式如同可發(fā)出高頻機(jī)械振動(dòng)的活塞,探頭產(chǎn)生的這種振動(dòng)即為聲波。在壓電換能器晶片(通常被稱(chēng)作晶片)被施與電壓時(shí),垂直于晶片表面的方向會(huì)受壓變形。電壓消失后,一般在一微秒之內(nèi),晶片反彈,產(chǎn)生機(jī)械能脈沖,形成超聲波。同樣道理,如果晶片受到射入超聲波的壓力,也會(huì)在其表面產(chǎn)生電壓。這樣,同一個(gè)壓電晶片既可以作為超聲脈沖的發(fā)射器,又可以充當(dāng)超聲脈沖的接收器。根據(jù)探頭的功能可將探頭劃分為接觸式、延遲線(xiàn)式、角度聲束、或水浸式等類(lèi)型。天津圓環(huán)陣相控陣探頭

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