安徽相控陣探頭訂購(gòu)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-05-28

無(wú)損檢測(cè)用超聲相控陣探頭陣列主要有線形、面狀和環(huán)形。其設(shè)計(jì)基于惠更斯原理。陣列是相控陣探頭晶片的組合,在確定不連續(xù)性的大小、形狀和方向上,它比單個(gè)或多個(gè)探頭系統(tǒng)具有更強(qiáng)的能力。環(huán)形相控陣探頭不能進(jìn)行轉(zhuǎn)角控制。例如:一個(gè)頻率為10MHz的環(huán)形相控陣探頭,由16個(gè)環(huán)組成,晶片由壓電復(fù)合材料制成,較大直徑<32mm。可將環(huán)形相控陣探頭想象成一個(gè)圓形的單晶探頭,將其切成同軸環(huán)形,每片都構(gòu)成一個(gè)單獨(dú)的探頭,這些環(huán)上的發(fā)射和接收時(shí)間用電子系統(tǒng)控制。通過(guò)控制各環(huán)的時(shí)間延遲,產(chǎn)生在不同深度的動(dòng)態(tài)聚焦,可控制整個(gè)波陣面的形狀和焦點(diǎn)。焦點(diǎn)總是在相控陣探頭的軸線上,能相當(dāng)明顯地增加聲束向中心軸線的聚焦能力。相控陣探頭具有能夠區(qū)分橫向或深度方向相距較近的兩個(gè)相鄰缺陷的能力。安徽相控陣探頭訂購(gòu)

相控陣陣列探頭的陣元間距是標(biāo)定相控陣陣列探頭的關(guān)鍵參數(shù)之一,較大的陣元間距能夠提高陣列的指向性,但陣元間距設(shè)置過(guò)大,掃描時(shí)就會(huì)在實(shí)空間出現(xiàn)不希望有的柵瓣,柵瓣的能量很大,是形成偽像的主要原因。陣元間距是影響主瓣寬度的重要因素之一,隨著陣元間距的增加,主瓣寬度逐漸變窄,但是當(dāng)陣元間距過(guò)大時(shí),柵瓣就會(huì)出現(xiàn)。為了避免柵瓣的產(chǎn)生,同時(shí)為了提高陣列的橫向分辨率,在確定陣元間距時(shí),選擇小于dmax的較大值。凸面陣能很好地匹配相同曲率管子的內(nèi)徑,但在陣列凸面排列的狀態(tài)下,聲場(chǎng)旁瓣十分明顯,特別是小徑管中的聚焦聲場(chǎng)更容易向空間擴(kuò)散;凸面陣多用于醫(yī)學(xué)B超超聲診斷領(lǐng)域。安徽相控陣探頭訂購(gòu)相控陣探頭電子聚焦的優(yōu)點(diǎn)是通過(guò)一個(gè)探頭能聚焦在聲場(chǎng)覆蓋的每一個(gè)深度。

水浸相控陣探頭性能要求:探頭標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了兩類聚焦或非聚焦式超聲波探頭的檢驗(yàn)方法,包括產(chǎn)生橫波或縱波的單換能器或雙換能器接觸式探頭和液浸式探頭。脈沖寬度誤差的較大允許值為制造者規(guī)定的技術(shù)指標(biāo)的±10%。相對(duì)脈沖回波靈敏度偏差的較大允許值為制造者規(guī)定指標(biāo)的±3dB。在焦區(qū)長(zhǎng)度內(nèi),規(guī)定反射體(例如3mm橫孔)的回波與噪聲電平的dB差不應(yīng)比制造者規(guī)定的數(shù)值小3dB。測(cè)得的阻抗模和相位或靜電容偏差的較大允許值為制造者規(guī)定指標(biāo)的±20%。

常規(guī)超聲探頭和相控陣探頭的優(yōu)點(diǎn):相控陣可以成功克服許多常規(guī)超聲手動(dòng)探傷的不一致性。相控陣探頭是由一行或一組特定的小陣元組成的。通過(guò)刺激多個(gè)陣元,并向每個(gè)陣元施加特定的電壓,可以產(chǎn)生預(yù)定的聲束角度或不同角度的聲束。此外,相控陣探頭無(wú)需移動(dòng),通過(guò)設(shè)定的聚焦法則分時(shí)激勵(lì)相控陣探頭的陣元,可以使聲束以類似于常規(guī)超聲手動(dòng)技術(shù)的移動(dòng)方式向前/向后移動(dòng)。當(dāng)相控陣探頭楔塊置于特定位置在母材上沿焊縫移動(dòng),數(shù)據(jù)可以被收集和成像為C(平面)的焊接,就像一個(gè)傳統(tǒng)的X光片。當(dāng)然,超聲成像系統(tǒng)還可以顯示傳統(tǒng)A掃,一個(gè)B掃(端面看),一個(gè)D掃描(側(cè)視圖),在不同的角度下s掃(扇形掃描)。柔性相控陣探頭主要應(yīng)用于輪廓不規(guī)則工件的檢測(cè)中。

相控陣探頭的應(yīng)用技術(shù):聲衰減和聲散射的數(shù)學(xué)理論較為復(fù)雜。聲束經(jīng)過(guò)特定聲程時(shí)出現(xiàn)衰減而引起的波幅損失是材料吸收和聲波散射共同作用的結(jié)果。吸收程度會(huì)隨著頻率的增加而呈線性增加,而散射情況則根據(jù)波長(zhǎng)對(duì)晶粒邊界大小的比率,或?qū)ζ渌⑸潴w的比率,在通過(guò)3個(gè)區(qū)域時(shí)會(huì)發(fā)生變化。凹面陣相控陣探頭:凹面陣多用于管道的外檢測(cè),因其能很好地匹配相同曲率管子的外徑,并且其陣列的排列方式有物理聚焦的特點(diǎn),聲束比平面陣列更加容易匯聚。凸面陣能很好地匹配相同曲率管子的內(nèi)徑,但在陣列凸面排列的狀態(tài)下,聲場(chǎng)旁瓣十分明顯,特別是小徑管中的聚焦聲場(chǎng)更容易向空間擴(kuò)散;凸面陣多用于醫(yī)學(xué)B超超聲診斷領(lǐng)域。水浸相控陣探頭是一種與水浸技術(shù)等效的的檢測(cè)技術(shù)。安徽相控陣探頭訂購(gòu)

無(wú)損檢測(cè)用超聲相控陣探頭陣列主要有線形、面狀和環(huán)形。安徽相控陣探頭訂購(gòu)

線陣探頭是一維的相控陣探頭,可視為一個(gè)長(zhǎng)方形壓電晶片被切割成多個(gè)小晶片。每個(gè)線陣探頭單個(gè)晶片的物理是固定的,因此確定好激發(fā)晶片的數(shù)量,也就確定了激發(fā)孔徑。激發(fā)的晶片數(shù)量越多,激發(fā)孔徑越大,指向性越好,主聲束的能量大,柵瓣也越大,易形成偽像影響檢測(cè)結(jié)果??讖皆龃?,也會(huì)使近場(chǎng)長(zhǎng)度增加,盲區(qū)增大。因此,在實(shí)踐使用相控陣線陣探頭時(shí),須根據(jù)被檢材料來(lái)設(shè)置相控陣探頭晶片數(shù)量,有時(shí)候并不是越多越好??梢愿鶕?jù)需要靈活調(diào)整激發(fā)孔徑才是相控陣探頭技術(shù)較大的優(yōu)勢(shì)。安徽相控陣探頭訂購(gòu)

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