柔性相控陣探頭可使用戶完成新的檢測(cè)應(yīng)用。使用一種柔性陣列探頭，對(duì)管道的彎頭區(qū)域進(jìn)行腐蝕檢測(cè)。這種解決方案所使用的探頭包含64個(gè)晶片，頻率為7.5MHz，晶片間距為1毫米，晶片高度為7毫米。探頭被放置在水楔上，不但可以使形狀復(fù)雜的檢測(cè)區(qū)域獲得優(yōu)良的耦合效果，而且還有助于保護(hù)探頭。常規(guī)線陣探頭陣元排列方式分為一維線形陣列，線形陣列具有容易加工，發(fā)射接收延遲控制電路較簡(jiǎn)單，容易實(shí)現(xiàn)等優(yōu)點(diǎn)，在實(shí)際應(yīng)用中使用較多。常規(guī)線陣探頭適用于各種角度和深度的相控陣探傷：常規(guī)無損檢測(cè)，焊縫檢測(cè)。超聲相控陣探頭可使用較高的分辨率迅速掃查較大的區(qū)域。測(cè)距相控陣探頭生產(chǎn)廠家
相控陣探頭根據(jù)以下基本參數(shù)從功能上被分成不同的類別：晶片數(shù)量：較常用的相控陣探頭一般有16到128個(gè)晶片，有些探頭的晶片多達(dá)256個(gè)。隨著晶片數(shù)量的增多，聲波聚焦與電子偏轉(zhuǎn)的能力會(huì)增強(qiáng)，同時(shí)檢測(cè)所覆蓋的區(qū)域也會(huì)擴(kuò)大，然而探頭和儀器的成本費(fèi)用也會(huì)增加。每個(gè)晶片被單獨(dú)脈沖激勵(lì)，以創(chuàng)建希望得到的波前。因此這些晶片排列方向的維度通常被稱為主動(dòng)方向或偏轉(zhuǎn)方向。頻率：超聲缺陷探測(cè)一般使用2MHz到10MHz之間的頻率，因此大多數(shù)相控陣探頭都屬于這個(gè)頻率范圍。此外，還有頻率更低或更高的探頭。使用常規(guī)探頭，穿透性能會(huì)隨著頻率的降低而增加，而分辨率及聚焦銳利度會(huì)隨著頻率的升高而增強(qiáng)。測(cè)距相控陣探頭生產(chǎn)廠家相控陣探頭產(chǎn)生的振動(dòng)即為聲波。
相控陣探頭的優(yōu)點(diǎn):探頭尺寸更?。粰z測(cè)難以接近的部位；檢測(cè)速度快，檢測(cè)靈活性更強(qiáng)；可實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜結(jié)構(gòu)件和盲區(qū)位置缺陷的檢測(cè)；通過局部晶片單元組合對(duì)聲場(chǎng)控制，可實(shí)現(xiàn)高速電子掃描，對(duì)試件進(jìn)行高速，多方位和多角度檢測(cè)；可以節(jié)約系統(tǒng)成本：探頭更少，機(jī)械部分少。高溫探頭分為兩類，雙晶探頭和延遲楔探頭。在這兩種探頭中，延遲楔材料(對(duì)雙晶探頭而言延遲楔材料在內(nèi)部)在實(shí)際探頭晶片和熱檢測(cè)表面之間作為熱絕緣體。所有的標(biāo)準(zhǔn)高溫探頭設(shè)計(jì)時(shí)都考慮到工作周期。對(duì)大部分的雙晶探頭和延遲線探頭，對(duì)表面溫度在約90℃到500℃時(shí)，推薦的工作周期為接觸熱表面的時(shí)間不超過10秒(推薦5秒).
相控陣探頭的波形持續(xù)：波形持續(xù)是指每次探頭被脈沖觸發(fā)后生成的波動(dòng)周期的數(shù)量。窄帶寬探頭要比寬帶寬探頭生成的波動(dòng)周期數(shù)量多。晶片直徑、基底材料、電子調(diào)諧、探頭激勵(lì)的方式都會(huì)影響波形持續(xù)。帶寬：帶寬是指處于特定波幅范圍內(nèi)的頻率響應(yīng)的部分。在這種情況下，應(yīng)該注意的是典型的NDT探頭不會(huì)生成獨(dú)特頻率的聲波，而只能在以額定的頻率值為中心的頻率范圍內(nèi)生成聲波。工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)將這個(gè)帶寬確定在–6dB（或半波幅）的位置處。靈敏度：靈敏度是指激勵(lì)脈沖波幅與從指定目標(biāo)反射的回波波幅之間的關(guān)系。扇陣相控陣探頭由環(huán)陣再切割而成，聚焦的同時(shí)可實(shí)現(xiàn)偏轉(zhuǎn)。
相控陣按陣列形式通常可分為線形、矩陣形、環(huán)形和扇形。相控陣探頭有多種不同的陣列排布形式，其類型按陣元排列方式可分為：一維線陣、二維矩陣、環(huán)形陣、扇形陣、凹面陣、凸面陣、雙線型陣等。不同的陣列排布方式將會(huì)產(chǎn)生不同的聲場(chǎng)特性，使相控陣能應(yīng)用于不同工況下的檢測(cè)。一維線陣是目前相控陣探頭中應(yīng)用多的一種形式，其特點(diǎn)是能在相控陣的軸平面實(shí)現(xiàn)聲束偏轉(zhuǎn)和軸向聚焦。與一維線陣相比，環(huán)形陣的優(yōu)勢(shì)是能在聲束剖面實(shí)現(xiàn)二維聚焦(一維線陣只能實(shí)現(xiàn)一個(gè)方向上的聲束聚焦)，聲束剖面呈圓形，能獲得較大的能量集中，并且不要求大數(shù)目的陣列。相控陣探頭電子聚焦的優(yōu)點(diǎn)是通過一個(gè)探頭能聚焦在聲場(chǎng)覆蓋的每一個(gè)深度。測(cè)距相控陣探頭生產(chǎn)廠家
雙線陣相控陣探頭的特點(diǎn)：近表面盲區(qū)約1mm，可更換探頭楔塊，更經(jīng)濟(jì)。測(cè)距相控陣探頭生產(chǎn)廠家
相控陣探頭采用多陣元發(fā)射和接收超聲波波束。線陣或面陣相控陣探頭在一維或多維上排列若干換能器組成陣列。利用相控陣儀器軟件設(shè)定各陣元的發(fā)射和時(shí)間延遲來依次激勵(lì)一個(gè)或幾個(gè)陣元，產(chǎn)生具有可控性的預(yù)定相位的聲波。各陣元產(chǎn)生的超聲波在檢測(cè)對(duì)象產(chǎn)生的聲場(chǎng)中相互干涉疊加，從而得到預(yù)先希望的波束入射角度和焦點(diǎn)位置，形成發(fā)射聚焦或聲束偏轉(zhuǎn)等效果。高溫探頭中的壓電晶片需選用居里溫度較高的鈮酸鋰(1200℃)、石英(550℃)、鈦酸鉛(460℃)來制作，外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜，前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊使之形成高溫耦合層。這種探頭可在400~700℃高溫下進(jìn)行探傷。測(cè)距相控陣探頭生產(chǎn)廠家
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