浙江水浸相控陣探頭直銷

來源: 發(fā)布時間:2022-03-19

常規(guī)縱波超聲探頭工作的方式如同可發(fā)出高頻機械振動的活塞,探頭產(chǎn)生的這種振動即為聲波。在壓電換能器晶片(通常被稱作晶片)被施與電壓時,垂直于晶片表面的方向會受壓變形。電壓消失后,一般在一微秒之內(nèi),晶片反彈,產(chǎn)生機械能脈沖,形成超聲波。同樣道理,如果晶片受到射入超聲波的壓力,也會在其表面產(chǎn)生電壓。這樣,同一個壓電晶片既可以作為超聲脈沖的發(fā)射器,又可以充當超聲脈沖的接收器。根據(jù)探頭的功能可將探頭劃分為接觸式、延遲線式、角度聲束、或水浸式等類型。相控陣探頭能檢測出航空復合材料構(gòu)件中的裂紋及未貼合等缺陷。浙江水浸相控陣探頭直銷

相控陣探頭能檢測出航空復合材料構(gòu)件中的裂紋及未貼合等缺陷,是一種與水浸技術(shù)等效的的檢測技術(shù)。相控陣探頭的創(chuàng)新設計,改變了傳統(tǒng)探頭的移動方式,擁有更高的檢測效率。由于采用相控陣動態(tài)聚焦方式,檢測靈敏度高,并通過實時成像輸出檢測結(jié)果,實現(xiàn)圖像化和可記錄。相控陣探頭常用于檢測面積較大的航空復合材料如飛機復合材料零部件,用常規(guī)的超聲檢測方式進行檢測時,難度很大。而用超聲相控陣方式進行檢測可以在不移動探頭的情況下時,通過控制延時來控制超聲波束的偏轉(zhuǎn)和聚焦,達到多個角度和不同聚焦深度,從而提高檢測效率和準確度,減少了檢測人員的工作量。浙江水浸相控陣探頭直銷水浸相控陣探頭是一種與水浸技術(shù)等效的的檢測技術(shù)。

超聲相控陣探頭按陣列類別可分為線陣、面陣兩種。線陣相控陣探頭有單線陣和雙線陣兩種,線陣相控陣探頭中的晶片按照直線方向一維排布,只能實現(xiàn)晶片排列方向上的波束偏轉(zhuǎn)。雙線陣相控陣探頭可以得到更好的近場檢測效果。面陣相控陣探頭又有矩陣、環(huán)陣等類型。矩陣相控陣探頭中的晶片按照兩個方向排布,可實現(xiàn)兩個方向上的波束偏轉(zhuǎn)。環(huán)陣相控陣探頭晶片呈同心圓環(huán)狀排布,主要實現(xiàn)不同深度的聚焦功能。扇陣相控陣探頭由環(huán)陣再切割而成,聚焦的同時可實現(xiàn)偏轉(zhuǎn)。

相控陣探頭的應用:一維線陣是目前相控陣探頭中應用較多的一種形式,其特點是能在相控陣的軸平面實現(xiàn)聲束偏轉(zhuǎn)和軸向聚焦。與一維線陣相比,環(huán)形陣的優(yōu)勢是能在聲束剖面實現(xiàn)二維聚焦(一維線陣只能實現(xiàn)一個方向上的聲束聚焦),聲束剖面呈圓形,能獲得較大的能量集中,并且不要求大數(shù)目的陣列,因此其能在采用高頻檢測時仍保證較高的穿透力;但環(huán)形陣的缺點是不能進行聲束偏轉(zhuǎn)控制,因此主要應用于醫(yī)學成像和脈沖多普勒體積流量計中。扇形陣和二維矩陣都可實現(xiàn)所有方向的聲束偏轉(zhuǎn)和軸向聚焦,扇形陣多用于棒材檢測,二維矩陣由于加工工藝限制、電路復雜及制作成本高等原因,仍主要應用于醫(yī)學領域,工業(yè)領域應用較少,但其聲束不只能實現(xiàn)沿晶片排列方向的掃查,還可以縱向擺動掃查,因此其具有三維成像的優(yōu)勢,這將會是未來超聲相控陣換能器的發(fā)展方向。不同的相控陣探頭陣列排布方式將會產(chǎn)生不同的聲場特性。

相控陣探頭的應用發(fā)展:相控陣技術(shù)作為無損檢測行業(yè)的新興技術(shù),起源于醫(yī)療行業(yè)。80年代中期,隨著復合壓電材料的發(fā)明,相控陣技術(shù)得到了快速的發(fā)展。90年代初,相控陣技術(shù)作為一種新的無損評估技術(shù)出現(xiàn)在超聲手冊和培訓手冊中。90年代末,隨著復合壓電技術(shù),微加工技術(shù),微電子技術(shù)和計算技術(shù)的發(fā)展,使得相控陣技術(shù)日趨成熟,尤其是計算處理能力的增強使得軟件功能得到極大提升。相控陣探傷技術(shù)可普遍用于石油石化、金屬加工制造、航空航天等領域,尤其以石油石化行業(yè)的焊縫檢測是相控陣技術(shù)應用的重點。相控陣探頭按陣列形式通??煞譃榫€形、矩陣形、環(huán)形和扇形。江蘇奧氏體檢測相控陣探頭直銷

線陣相控陣探頭中的晶片按照直線方向一維排布,只能實現(xiàn)晶片排列方向上的波束偏轉(zhuǎn)。浙江水浸相控陣探頭直銷

相控陣探頭的聲束形狀:我們用以下這個比喻可以有效地說明這個概念。發(fā)自典型的未聚焦圓盤探頭的聲束經(jīng)常被想象成一束源自開啟晶片區(qū)域的能量柱,這個能量柱在直徑方向上擴散,后消失。探頭的聲場被分為兩個區(qū)域:近場和遠場。近場是指接近探頭的區(qū)域。在這個區(qū)域中聲壓反復幾次達到大值、小值。這個區(qū)域的終端為軸上后一次出現(xiàn)大聲壓值的位置。這個位置到探頭表面的距離表示為N,即近場距離。近場距離N證明探頭的自然焦距。遠場是近場距離(N值)以外的區(qū)域。在這個區(qū)域,隨著聲束直徑的擴展及聲能的消散,聲壓逐漸降低為零。近場距離是探頭頻率、晶片大小以及被測材料的聲速互相作用的一個函數(shù)。浙江水浸相控陣探頭直銷

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