Micro LED又稱微型發(fā)光二極管，是指高密度集成的LED陣列，陣列中的LED像素點(diǎn)距離在50um以內(nèi)，每一個(gè)LED像素都能自發(fā)光。微縮化使得Micro LED具有更高的發(fā)光亮度、分辨率與色彩飽和度，以及更快的顯示響應(yīng)速度，預(yù)期能夠應(yīng)用于對(duì)亮度要求較高的增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)微型投影裝置、車用平視顯示器(HUD)投影應(yīng)用、超大型顯示廣告牌等特殊顯示應(yīng)用產(chǎn)品，并有望擴(kuò)展到可穿戴/可植入器件、虛擬現(xiàn)實(shí)(VR)、光通訊/光互聯(lián)、醫(yī)療探測(cè)、智能車燈、空間成像等多個(gè)領(lǐng)域。MicroLED顯示屏具有哪些明顯的優(yōu)勢(shì)？廈門數(shù)據(jù)可視化Microled顯示屏
MicroLED顯示屏技術(shù)特點(diǎn)帶來(lái)的部分瓶頸：抗環(huán)境光干擾問(wèn)題：與LCD顯示技術(shù)不同，MicroLED顯示上表面沒有濾光片，抗環(huán)境光能力差。大角度色偏問(wèn)題：色偏問(wèn)題主要由紅綠藍(lán)三色芯片光場(chǎng)分布不同和相鄰像素之間發(fā)光串?dāng)_問(wèn)題造成。單色場(chǎng)和灰場(chǎng)均勻性的問(wèn)題：由于MicroLED顯示屏多為多塊拼接的，所以很難保證每一塊顯示單元上的所有芯片波長(zhǎng)都能滿足此要求，另外由于每顆芯片的典型驅(qū)動(dòng)電壓均有浮動(dòng)，就會(huì)造成單色場(chǎng)每一塊MicroLED顯示單元在光色一致性上有所差異。江西應(yīng)急管理Microled顯示屏Micro LED顯示技術(shù)的存在是建立在高精度基礎(chǔ)之上的。
除了上述優(yōu)勢(shì)之外，MicroLED顯示屏還具有廣視角、響應(yīng)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)。它可以在較大的角度下觀看仍然保持圖像的清晰和色彩鮮艷，同時(shí)響應(yīng)時(shí)間也很快，從而提高了用戶的視覺體驗(yàn)。MicroLED顯示屏的應(yīng)用場(chǎng)景非常廣。例如，在智能手機(jī)、筆記本電腦、電視、顯示器等領(lǐng)域都有很多的應(yīng)用。此外，它還可以用于交通指揮系統(tǒng)、廣告牌、虛擬現(xiàn)實(shí)等領(lǐng)域?？偟膩?lái)說(shuō)，MicroLED顯示屏具有許多明顯的優(yōu)勢(shì)，它的高亮度、低能耗、易于制造、廣視角、響應(yīng)時(shí)間短等優(yōu)點(diǎn)使得它成為未來(lái)顯示技術(shù)的重要的發(fā)展方向。
而MicroLED的設(shè)計(jì)采用了OLED的所有優(yōu)點(diǎn)，如自發(fā)光技術(shù)、完美的黑色和出色的色彩。與此同時(shí)，MicroLED還拋棄了有機(jī)化合物，使得其發(fā)光元件尺寸比miniLED更小。這使得MicroLED面板非常薄，并且能夠提供出色的視角。此外，由于不依賴有機(jī)化合物，MicroLED面板的生產(chǎn)成本應(yīng)該比OLED更低。重要的是，MicroLED在技術(shù)上能夠提供比OLED更明亮的畫面。這些特點(diǎn)使得MicroLED成為一種值得期待的新一代顯示技術(shù)。未來(lái)，我們可以期待MicroLED在各種顯示設(shè)備中的廣泛應(yīng)用，從智能手機(jī)到電視，甚至可能延伸到虛擬現(xiàn)實(shí)設(shè)備和自動(dòng)駕駛汽車中。MicroLED的出現(xiàn)將為用戶帶來(lái)更加精彩絢麗的視覺體驗(yàn)，并且為顯示技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)新的突破和可能。隨著科技不斷進(jìn)步，我們可以對(duì)未來(lái)的顯示技術(shù)充滿期待，MicroLED的出現(xiàn)是一個(gè)重要的里程碑，它將為我們帶來(lái)更加逼真和震撼的畫面，為我們的生活帶來(lái)更多樂趣和便利。 MicroLED顯示屏可以實(shí)現(xiàn)更高的分辨率和更細(xì)的像素間距。
隨著Micro LED顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，其產(chǎn)業(yè)化也越發(fā)受到關(guān)注。蘋果、三星、索尼、LG、華星光電、京東方等公司紛紛加入Micro LED的開發(fā)中。此外，很多從事Micro LED顯示技術(shù)創(chuàng)業(yè)公司也相繼成立，如Ostendo、Luxvue、PlayNitride（錼創(chuàng)科技）、顯耀等。以2014年蘋果公司收購(gòu)Luxvue為起點(diǎn)，Micro LED顯示技術(shù)進(jìn)入快速發(fā)展階段。與此同時(shí)，國(guó)內(nèi)的終端廠和芯片廠也陸續(xù)加入Micro LED陣營(yíng)，在襯底、外延片、巨量轉(zhuǎn)移等領(lǐng)域開始發(fā)力，但盡管如此，Micro LED的大規(guī)模應(yīng)用預(yù)計(jì)要到2025年前后，目前該領(lǐng)域還存在很多問(wèn)題需要解決。MicroLED顯示屏的顯示效果非常出色，可以吸引更多的眼球。廈門數(shù)據(jù)可視化Microled顯示屏
由于Micro LED顯示終端多為多塊拼接的，所以很難保證每一塊顯示單元上的所有芯片波長(zhǎng)都能滿足此要求。廈門數(shù)據(jù)可視化Microled顯示屏
人眼睛極其敏感，2nm波長(zhǎng)差異，人的眼睛可以非常清晰的捕捉到，因此對(duì)于整個(gè)MicroLED生產(chǎn)過(guò)程中，對(duì)外延的均勻性提出了更高的要求。普遍業(yè)界認(rèn)為，外延的均勻性要做到2nm以內(nèi)無(wú)分選，并且滿足后續(xù)巨量轉(zhuǎn)移的要求。此外，對(duì)襯底的翹曲率、顆粒、缺陷也要嚴(yán)格的卡控，這是為后續(xù)的芯片工藝所考慮。目前的主流GaN外延技術(shù)有兩種，一種是基于藍(lán)寶石襯底，還有一種是基于硅襯底，這也與上文提到的兩種襯底路線相對(duì)應(yīng)?；谒{(lán)寶石襯底外延GaN的技術(shù)已經(jīng)比較成熟，適用性也廣，但由于硅襯底外延片可以將封裝、巨量轉(zhuǎn)移等新技術(shù)更好的串聯(lián)，業(yè)內(nèi)也把該技術(shù)認(rèn)作未來(lái)MicroLED發(fā)展技術(shù)。但是目前，基于硅襯底的GaN外延仍然不是業(yè)內(nèi)的主流，目前主要原因有以下幾點(diǎn)：GaN與Si的晶格常數(shù)有17%的差異，造成高錯(cuò)位密度（藍(lán)寶石為5*108，Si為107），這種差異容易導(dǎo)致GaN表面產(chǎn)生缺陷；GaN和Si有超過(guò)56%熱膨脹系數(shù)的差異，導(dǎo)致應(yīng)力無(wú)法釋放，造成翹曲、龜裂；GaN中的Ga原子本身與Si會(huì)發(fā)生刻蝕反應(yīng)。如果把GaN直接長(zhǎng)到Si上面，就會(huì)被刻蝕反應(yīng)掉；Si吸收可見光會(huì)降低LED的外量子效率。 廈門數(shù)據(jù)可視化Microled顯示屏
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