天津正裝LED芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

芯片測(cè)試的過程是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專門測(cè)試，看是否能滿足客戶的特殊需求，以決定是否須為客戶設(shè)計(jì)專門使用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。芯片測(cè)試機(jī)能夠支持自動(dòng)測(cè)量硬件，并確定大多數(shù)問題，以確保芯片在正常運(yùn)行。天津正裝LED芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

以下以一個(gè)具體的例子對(duì)中轉(zhuǎn)裝置60的功能進(jìn)行進(jìn)一步說明。例如一個(gè)tray盤中較多可以放置50個(gè)芯片，自動(dòng)上料裝置40的每一個(gè)tray盤中都裝有50個(gè)芯片。移載裝置20吸取自動(dòng)上料裝置40的tray盤中的芯片到測(cè)試裝置30進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試合格的芯片移載至自動(dòng)下料裝置50的空的tray盤中。當(dāng)出現(xiàn)一個(gè)不良品時(shí)，該不良品則被移動(dòng)至不良品放置臺(tái)60，當(dāng)自動(dòng)上料裝置40的一個(gè)tray盤中的芯片全部完成測(cè)試后，自動(dòng)下料裝置50的tray盤中只裝了49個(gè)測(cè)試合格的芯片。此時(shí)，移載裝置20則把自動(dòng)上料裝置40的空的tray盤移載至tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上，然后移載裝置20從下方的另一個(gè)tray盤中吸取芯片進(jìn)行測(cè)試，直至把自動(dòng)下料裝置50的tray盤中裝滿50個(gè)芯片，然后把tray盤中轉(zhuǎn)臺(tái)63上的空的tray盤移載至自動(dòng)下料裝置50。晶圓芯片測(cè)試機(jī)價(jià)位在芯片制造完成后進(jìn)行測(cè)試，對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，從而分析失效模式，驗(yàn)證研發(fā)。

優(yōu)先選擇地，所述機(jī)架上還設(shè)置有加熱裝置，所述加熱裝置至少包括高溫加熱機(jī)構(gòu)，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)位于所述測(cè)試裝置的上方，所述高溫加熱機(jī)構(gòu)包括高溫加熱頭、頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)及下壓機(jī)構(gòu)，所述下壓機(jī)構(gòu)與所述頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)相連，所述高溫加熱頭與所述下壓機(jī)構(gòu)相連。優(yōu)先選擇地，所述加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)位于所述自動(dòng)上料裝置與所述測(cè)試裝置之間，所述預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)包括預(yù)加熱工作臺(tái)，所述預(yù)加熱工作臺(tái)上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位。

頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72固定于機(jī)架10的上頂板上，頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)72包括兩個(gè)頭一移動(dòng)固定塊721、頭一移動(dòng)固定底板722、兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的頭一移動(dòng)導(dǎo)軌723、頭一移動(dòng)氣缸724。兩個(gè)頭一移動(dòng)固定塊721相對(duì)設(shè)置于機(jī)架10的上頂板上，兩個(gè)頭一移動(dòng)導(dǎo)軌723分別固定于兩個(gè)頭一移動(dòng)固定塊721上，頭一移動(dòng)固定底板722通過滑塊分別與兩個(gè)頭一移動(dòng)導(dǎo)軌723相連。頭一移動(dòng)氣缸724與頭一移動(dòng)固定底板722相連，頭一移動(dòng)氣缸724通過氣缸固定板與機(jī)架10的上頂板相連。封裝好的芯片,根據(jù)實(shí)際應(yīng)用的需求,有很多種形式,這個(gè)部分由芯片產(chǎn)業(yè)價(jià)值鏈中的封裝工廠進(jìn)行完成。

優(yōu)先選擇地，所述移載裝置包括y軸移動(dòng)組件、x軸移動(dòng)組件、頭一z軸移動(dòng)組件、第二z軸移動(dòng)組件、真空吸盤及真空吸嘴，所述x軸移動(dòng)組件與所述y軸移動(dòng)組件相連，所述頭一z軸移動(dòng)組件、第二z軸移動(dòng)組件分別與所述x軸移動(dòng)組件相連，所述真空吸盤與所述頭一z軸移動(dòng)組件相連，所述真空吸嘴與所述第二z軸移動(dòng)組件相連。優(yōu)先選擇地，所述測(cè)試裝置包括測(cè)試負(fù)載板、測(cè)試座外套、測(cè)試座底板、測(cè)試座中間板及測(cè)試座蓋板，所述測(cè)試座外套固定于所述測(cè)試負(fù)載板上表面，所述測(cè)試座底板固定于所述測(cè)試座外套上，所述測(cè)試座中間板位于所述測(cè)試座底板與所述測(cè)試座蓋板之間，所述測(cè)試座底板與所述測(cè)試座蓋板通過定位銷連接固定。芯片由集成電路經(jīng)過設(shè)計(jì)、制造、封裝等一系列操作后形成。mini LED芯片測(cè)試機(jī)生產(chǎn)商

FT測(cè)試是芯片出廠前篩選質(zhì)量可靠芯片的重要步驟，是針對(duì)批量封裝芯片按照測(cè)試規(guī)范進(jìn)行全方面的電性能檢測(cè)。天津正裝LED芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)

伺服電機(jī)43、行星減速機(jī)44均固定于頭一料倉41或第二料倉51的底部，滾珠絲桿45、頭一移動(dòng)底板46、第二移動(dòng)底板47及兩個(gè)導(dǎo)向軸48均固定于頭一料倉41或第二料倉51的內(nèi)部，伺服電機(jī)43的驅(qū)動(dòng)主軸與行星減速機(jī)44相連，行星減速機(jī)44通過聯(lián)軸器與滾珠絲桿45相連。頭一料倉41、第二料倉51的上方設(shè)有絲桿固定板49，滾珠絲桿45的底部通過絲桿固定座451固定于頭一料倉41或第二料倉51的底板上，滾珠絲桿45的頂部通過絲桿固定座451固定于絲桿固定板49上。兩個(gè)導(dǎo)向軸48的底部也固定于頭一料倉41或第二料倉51的底板上，兩個(gè)導(dǎo)向軸48的頂部也固定于絲桿固定板49上。滾珠絲桿45及兩個(gè)導(dǎo)向軸48分別與頭一移動(dòng)底板46相連，頭一移動(dòng)底板46與第二移動(dòng)底板47相連。天津正裝LED芯片測(cè)試機(jī)平臺(tái)