河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)公司

動(dòng)態(tài)測(cè)試原理（或者叫功能測(cè)試或叫跑pattern方式），使用動(dòng)態(tài)測(cè)試法進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試比之前介紹的靜態(tài)測(cè)試法更快，成本也更低，適合管腳比較多的芯片，減少測(cè)試時(shí)間。使用測(cè)試機(jī)動(dòng)態(tài)電流負(fù)載單元為前端偏置的 VDD 保護(hù)二極管提供電流，通過(guò)輸出比較電平確定PASS區(qū)域（中間態(tài)或“Z”態(tài)）。兩種測(cè)量方法對(duì)比：利用功能測(cè)試進(jìn)行開(kāi)短路測(cè)試的優(yōu)點(diǎn)是速度相對(duì)比較快；不利之處在于datalog所能顯示的結(jié)果信息有限，當(dāng)fail產(chǎn)生，我們無(wú)法直接判斷失效的具體所在和產(chǎn)生原因。通常在測(cè)試中因?yàn)樾酒_不多，對(duì)時(shí)間影響不明顯，大部分選擇靜態(tài)（DC測(cè)試）方法.IC芯片測(cè)試是確保集成電路(IC)在制造和使用過(guò)程中的質(zhì)量和可靠性的重要環(huán)節(jié)。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)公司

芯片測(cè)試設(shè)備漏電流測(cè)試是指測(cè)試模擬或數(shù)字芯片高阻輸入管腳電流，或者是把輸出管腳設(shè)置為高阻狀態(tài)，再測(cè)量輸出管腳上的電流。盡管芯片不同，漏電大小會(huì)不同，但在通常情況下，漏電流應(yīng)該小于 1uA。測(cè)試芯片每個(gè)電源管腳消耗的電流是發(fā)現(xiàn)芯片是否存在災(zāi)難性缺陷的比較快的方法之一。每個(gè)電源管腳被設(shè)置為預(yù)定的電壓，接下來(lái)用自動(dòng)測(cè)試設(shè)備的參數(shù)測(cè)量單元測(cè)量這些電源管腳上的電流。這些測(cè)試一般在測(cè)試程序的開(kāi)始進(jìn)行，以快速有效地選出那些完全失效的芯片。電源測(cè)試也用于保證芯片的功耗能滿(mǎn)足終端應(yīng)用的要求。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)公司如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過(guò)程中需要被考慮的比重越來(lái)越多。

做一款芯片較基本的環(huán)節(jié)是設(shè)計(jì)->流片->封裝->測(cè)試，芯片成本構(gòu)成一般為人力成本20%，流片40%，封裝35%，測(cè)試5% 測(cè)試其實(shí)是芯片各個(gè)環(huán)節(jié)中較“便宜”的一步，在這個(gè)每家公司都喊著“Cost Down”的激烈市場(chǎng)中，人力成本逐年攀升，晶圓廠和封裝廠都在乙方市場(chǎng)中“叱咤風(fēng)云”，唯獨(dú)只有測(cè)試顯得不那么難啃，Cost Down的算盤(pán)落到了測(cè)試的頭上。但仔細(xì)算算，測(cè)試省50%，總成本也只省2.5%，流片或封裝省15%，測(cè)試就相當(dāng)于不收費(fèi)了。但測(cè)試是產(chǎn)品質(zhì)量然后一關(guān)，若沒(méi)有良好的測(cè)試，產(chǎn)品PPM過(guò)高，退回或者賠償都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是5%的成本能表示的。

本發(fā)明的芯片測(cè)試機(jī)還包括加熱裝置，部分型號(hào)的芯片在測(cè)試前可能需要進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻。當(dāng)待測(cè)試芯片移載至測(cè)試裝置后，可以通過(guò)頭一移動(dòng)機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭移動(dòng)至測(cè)試裝置的上方，然后由下壓機(jī)構(gòu)帶動(dòng)高溫加熱頭向下移動(dòng)，并由高溫加熱頭對(duì)芯片進(jìn)行高溫加熱或低溫冷卻，滿(mǎn)足對(duì)芯片高溫加熱或低溫冷卻的要求。加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)，當(dāng)芯片需要進(jìn)行高溫測(cè)試的時(shí)候，為了提高加熱效率，可以先將多個(gè)待測(cè)試芯片移動(dòng)至預(yù)加熱工作臺(tái)的多個(gè)預(yù)加熱工位進(jìn)行預(yù)加熱，在測(cè)試的時(shí)候，可以減少高溫加熱頭加熱的時(shí)間，提高測(cè)試效率。DC TEST: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。

當(dāng)芯片進(jìn)行高溫測(cè)試時(shí)，為了提供加熱的效率，本實(shí)施例的加熱裝置還包括預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90，預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90位于自動(dòng)上料裝置40與測(cè)試裝置30之間。預(yù)加熱緩存機(jī)構(gòu)90包括預(yù)加熱墊板91、隔離板92、加熱器93、導(dǎo)熱板94及預(yù)加熱工作臺(tái)95。預(yù)加熱墊板91固定于支撐板12上，隔離板92固定于預(yù)加熱墊板91的上表面，加熱器93固定于隔離板92上，且加熱器93位于隔離板92與導(dǎo)熱板94之間，預(yù)加熱工作臺(tái)95固定于導(dǎo)熱板94的上表面，預(yù)加熱工作臺(tái)95上設(shè)有多個(gè)預(yù)加熱工位96。芯片測(cè)試機(jī)能夠支持自動(dòng)測(cè)量硬件，并確定大多數(shù)問(wèn)題，以確保芯片在正常運(yùn)行。上海CPU芯片測(cè)試機(jī)設(shè)備

芯片由集成電路經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)、制造、封裝等一系列操作后形成。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)公司

測(cè)試系統(tǒng)的基本工作機(jī)制：對(duì)測(cè)試機(jī)進(jìn)行編寫(xiě)程序，從而使得測(cè)試機(jī)產(chǎn)生任何類(lèi)型的信號(hào)，多個(gè)信號(hào)一起組成測(cè)試模式或測(cè)試向量，在時(shí)間軸的某一點(diǎn)上向DUT施加一個(gè)測(cè)試向量，將DUT產(chǎn)生的輸出反饋輸入測(cè)試機(jī)的儀器中測(cè)量其參數(shù)，把測(cè)量結(jié)果與存儲(chǔ)在測(cè)試機(jī)中的“編程值”進(jìn)行比較，如果測(cè)量結(jié)果在可接受公差范圍內(nèi)匹配測(cè)試機(jī)中的“編程值”，那么這顆DUT就會(huì)被認(rèn)為是好品，反之則是壞品，按照其失效的種類(lèi)進(jìn)行記錄。晶圓測(cè)試(wafer test,或者CP-chip probering)：就是在晶圓上直接進(jìn)行測(cè)試，下面圖中就是一個(gè)完整的晶圓測(cè)試自動(dòng)化系統(tǒng)。河南半導(dǎo)體芯片測(cè)試機(jī)公司