濱湖區(qū)好的電子元件銷售多長時(shí)間

來源: 發(fā)布時(shí)間:2020-10-30

進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。70年代中期發(fā)展起來的單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管, 由于不受少子儲(chǔ)存效應(yīng)的限制,能夠在兆赫以上的頻率下工作。這種器件的導(dǎo)通電流具有負(fù)溫度特性,不易出現(xiàn)熱激發(fā)二次擊穿現(xiàn)象;需要擴(kuò)大電流容量時(shí),器件并聯(lián)簡單,且具有較好的線性輸出特性和較小的驅(qū)動(dòng)功率;在制造工藝上便于大規(guī)模集成。但它的通態(tài)壓降較大,制造時(shí)對(duì)材料和器件工藝的一致性要求較高。到80 年代中、后期電流容量jin達(dá)數(shù)十安,阻斷電壓近千伏。功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)。濱湖區(qū)好的電子元件銷售多長時(shí)間

按照電力電子器件能夠被控制電路信號(hào)所控制的程度分類: 1.半控型器件,例如晶閘管; 2.全控型器件,例如GTO(門極可關(guān)斷晶閘管)、GTR(電力晶體管),Power MOSFET(電力場效應(yīng)晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管); 3.不可控器件,例如電力二極管。 按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間信號(hào)的性質(zhì)分類: 1.電壓驅(qū)動(dòng)型器件,例如IGBT、Power MOSFET、SITH(靜電感應(yīng)晶閘管); 2.電流驅(qū)動(dòng)型器件,例如晶閘管、GTO、GTR。 根據(jù)驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間的有效信號(hào)波形分類: 1.脈沖觸發(fā)型,例如晶閘管、GTO; 2.電子控制型,例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。 按照電力電子器件內(nèi)部電子和空穴兩種載流子參與導(dǎo)電的情況分類: 1.雙極型器件,例如電力二極管、晶閘管、GTO、GTR; 2.單極型器件,例如PowerMOSFET、SIT、肖特基勢(shì)壘二極管; 3.復(fù)合型器件,例如MCT(MOS控制晶閘管)、IGBT、SITH和IGCT。惠山區(qū)標(biāo)準(zhǔn)電子元件銷售相關(guān)問題各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機(jī)、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費(fèi)電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。 除了保證這些設(shè)備的正常運(yùn)行以外,功率器件還能起到有效的節(jié)能作用。由于電子產(chǎn)品的需求以及能效要求的不斷提高,中國功率器件市場一直保持較快的發(fā)展速度。 國家統(tǒng)計(jì)局?jǐn)?shù)據(jù)顯示,2010年中國功率器件行業(yè)共有規(guī)模以上企業(yè)498家,全行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售收入1015.11億元,同比增長6.86%;實(shí)現(xiàn)利潤總額85.27億元,同比增長47.54%。從企業(yè)經(jīng)濟(jì)類型來看,三資企業(yè)數(shù)量*多,其企業(yè)數(shù)量占行業(yè)數(shù)量的47.19%。從企業(yè)數(shù)量、銷售收入以及資產(chǎn)規(guī)模來看,江蘇、廣東和浙江等省所占的份額居多

從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。這些電路十分廣fan地用在電解、電鍍、直流電機(jī)傳動(dòng)、發(fā)電機(jī)勵(lì)磁等整流裝置中,與傳統(tǒng)的汞弧整流裝置相比,不jin體積小、工作可靠,而且取得了十分明顯的節(jié)能效果(一般可節(jié)電10~40%,從中國的實(shí)際看,因風(fēng)機(jī)和泵類負(fù)載約占全國用電量的1/3,若采用交流電動(dòng)機(jī)調(diào)速傳動(dòng), 可平均節(jié)電20%以上,每年可節(jié)電400億千瓦時(shí)),因此電力電子技術(shù)的發(fā)展也越來越受到人們的重視。70年代中期出現(xiàn)的全控型可關(guān)斷晶閘管和功率晶體管,開關(guān)速度快,控制簡單,逆導(dǎo)可關(guān)斷晶閘管更兼容了可關(guān)斷晶閘管和快速整流二極管的功能。它們把電力電子技術(shù)的應(yīng)用推進(jìn)到了以逆變、斬波為中心內(nèi)容的新領(lǐng)域。這些器件已普遍應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源、靜止變頻等電力電子裝置中。電子元件的元件分類:電線與開關(guān)。

80年代初期出現(xiàn)的 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率集成電路的工作頻率達(dá)到兆赫級(jí)。集成電路的技術(shù)促進(jìn)了器件的小型化和功能化。這些新成就為發(fā)展高頻電力電子技術(shù)提供了條件,推動(dòng)電力電子裝置朝著智能化、高頻化的方向發(fā)展。 80年代發(fā)展起來的靜電感應(yīng)晶閘管、隔離柵晶體管,以及各種組合器件,綜合了晶閘管、 MOS功率場效應(yīng)晶體管和功率晶體管各自的優(yōu)點(diǎn),在性能上又有新的發(fā)展。例如隔離柵晶體管,既具有MOS功率場效應(yīng)晶體管的柵控特性,又具有雙極型功率晶體管的電流傳導(dǎo)性能,它容許的電流密度比雙極型功率晶體管高幾倍。靜電感應(yīng)晶閘管保存了晶閘管導(dǎo)通壓降低的優(yōu)點(diǎn),結(jié)構(gòu)上避免了一般晶閘管在門極觸發(fā)時(shí)必須在門極周圍先導(dǎo)通然后逐步橫向擴(kuò)展的過程,所以比一般晶閘管有更高的開關(guān)速度,而且容許的結(jié)溫升也比普通晶閘管高。這些新器件,在更高的頻率范圍內(nèi)滿足了電力電子技術(shù)的要求。進(jìn)一步提高其工作頻率仍然受到基區(qū)和集電區(qū)少子儲(chǔ)存效應(yīng)的影響。濱湖區(qū)正規(guī)電子元件銷售歡迎來電

從60年代到70年代初期,以半控型普通晶閘管為dai表的電力電子器件,主要用于相控電路。濱湖區(qū)好的電子元件銷售多長時(shí)間

功率集成電路指在一個(gè)芯片上把多個(gè)器件及其控制電路集he在一起。其制造工藝既概括了第yi代功率電子器件向大電流、高電壓發(fā)展過程中所積累起來的各種經(jīng)驗(yàn),又綜合了大規(guī)模集成電路的工藝特點(diǎn)。這種器件由于很大程度地縮小了器件及其控制電路的體積,因而能夠有效地減少當(dāng)器件處于高頻工作狀態(tài)時(shí)寄生參數(shù)的影響,這對(duì)提高電路工作頻率和抑zhi外界干擾十分重要。 近期進(jìn)展:2014年,美國奧巴馬政fu連同企業(yè)一道投資1.4億美元在NCSU成立The Next Generation Power Electronics Institute,發(fā)展新一代寬禁帶電力半導(dǎo)體器件。濱湖區(qū)好的電子元件銷售多長時(shí)間

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