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電子元器件迎來發(fā)展良機(jī),推進(jìn)國產(chǎn)化替代進(jìn)程。 我國電子元器件生產(chǎn)起步晚,早期主要以仿制進(jìn)口電子元器件為主。受各種客觀條件和進(jìn)口電子元器件知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)的限制,仿制元器件無法保證設(shè)計、材料、工藝與進(jìn)口元器件完全一致,且由于參數(shù)體系不完整、性能指標(biāo)測試覆蓋不全,測試合格的元器件仍然可能存在未被激發(fā)的缺陷。為了促進(jìn)我國電子元器件的發(fā)展,國家有關(guān)部門制定了一些管理辦法,采取了一些措施,旨在推動我國電子元器件的自主發(fā)展,促使我國電子設(shè)備企業(yè)實(shí)現(xiàn)自主和可控。 為了促進(jìn)國產(chǎn)元器件的原本質(zhì)量及可靠性保證技術(shù)水平的提高,要重視國產(chǎn)元器件的可靠性保證技術(shù),加強(qiáng)設(shè)計師的責(zé)任心,從元器件的選用和使用方面著手,提高元器件的可靠性保證技術(shù)水平,并總結(jié)經(jīng)驗(yàn)、分析數(shù)據(jù),從而確保國產(chǎn)元器件可靠性保證技術(shù)水平的提升。國產(chǎn)化替代任重而道遠(yuǎn),這其中還有許多未攻克的技術(shù)難關(guān)與物料國產(chǎn)化問題有待解決。軸向電子槍其有著一系列優(yōu)點(diǎn),使電子槍的壽命較大延長,故被國內(nèi)外普遍采用。山東電子槍瓷條價格
電子槍的基本參量: 1.發(fā)射度:表征電子注的品質(zhì)。 2.射程:射程表示電子槍陽極頭部到注腰之間的距離。 表示電子槍陽極頭到電子槍所形成的注腰之間的距離。一般來說人們希望射程足夠的大,使得電子注能夠以較佳的注入條件進(jìn)入高頻場作用區(qū)。 3.層流性: 所謂電子注的層流性,它只是一個定性的概念,通常用電子注軌跡交叉與否或交叉的程度來進(jìn)行層流性好壞的評判。層流性好的電子注,在磁聚焦時可以用較低的磁場獲得好的流通率,而高頻場引起的電子注的散焦也較小。反之,層流性差的電子注,會使得其流通率差,散焦加大。層流性是衡量電子注質(zhì)量的一個重要評判性質(zhì)。河南電子槍燈絲報價電子槍的射程表示電子槍陽極頭部到注腰之間的距離。
電子槍元器件的電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關(guān)。 容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率,C表示電容容量) 常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨(dú)石電容、鉭電容和滌綸電容等。 電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同,分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示,其它單位還有:毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。 其中:1法拉=10^3毫法=10^6微法=10^9納法=10^12皮法 容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明,如10uF/16V 容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數(shù)字表示。
電子元器件電解電容損壞的特點(diǎn): 電解電容在設(shè)備中的用量很大,故障率很高。電解電容損壞有以下幾種表現(xiàn): 一是失去容量或容量變?。?二是輕微或嚴(yán)重漏電; 三是失去容量或容量變小兼有漏電。 查找損壞的電解電容方法有: (1)看:有的電容損壞時會漏液,電容下面的電路板表面甚至電容外表都會有一層油漬,這種電容一定不能再用;有的電容損壞后會鼓起,這種電容也不能繼續(xù)使用;因此,在前期選擇電容的時候,就應(yīng)該把好質(zhì)量關(guān),盡量選擇有名品牌的電容,如電容巨頭——國巨電容。 (2)摸:開機(jī)后有些漏電嚴(yán)重的電解電容會發(fā)熱,用手指觸摸時甚至?xí)C手,這種電容更換; (3)電解電容內(nèi)部有電解液,長時間烘烤會使電解液變干,導(dǎo)致電容量減小,要重點(diǎn)檢查散熱片及大功率元器件附近的電容,離其越近,損壞的可能性就越大。在軸向電子槍中,發(fā)射電子束的陰極有兩種形式:直熱式陰極和間熱式陰極。
電子元器件是電子元件和小型的機(jī)器、儀器的組成部分,其本身常由若干零件構(gòu)成,可以在同類產(chǎn)品中通用;常指電器、無線電、儀表等工業(yè)的某些零件,是電容、晶體管、游絲、發(fā)條等電子器件的總稱。常見的有二極管等。 電子元器件包括:電阻、電容、電感、電位器、電子管、散熱器、機(jī)電元件、連接器、半導(dǎo)體分立器件、電聲器件、激光器件、電子顯示器件、光電器件、傳感器、電源、開關(guān)、微特電機(jī)、電子變壓器、繼電器、印制電路板、集成電路、各類電路、壓電、晶體、石英、陶瓷磁性材料、印刷電路用基材基板、電子功能工藝專門材料、電子膠(帶)制品、電子化學(xué)材料及部品等。 電子元器件在質(zhì)量方面國際上有歐盟的CE認(rèn)證,美國的UL認(rèn)證,德國的VDE和TUV以及中國的CQC認(rèn)證等國內(nèi)外認(rèn)證,來保證元器件的合格。環(huán)形電子槍的環(huán)形燈絲處于負(fù)高壓,用做熱電子發(fā)射源。福建電子槍電容使用方法
電子槍的直熱式陰極加工成絲狀,而直接通電加熱發(fā)射電子束。山東電子槍瓷條價格
電子元器件發(fā)展史: 1906年美國人發(fā)明真空三極管,用來放大電話的聲音電流。此后,人們強(qiáng)烈地期待著能夠誕生一種固體器件,用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年,點(diǎn)接觸型鍺晶體管的誕生,在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是,這種點(diǎn)接觸型晶體管在構(gòu)造上存在著接觸點(diǎn)不穩(wěn)定的致命弱點(diǎn)。在點(diǎn)接觸型晶體管開發(fā)成功的同時,結(jié)型晶體管論就已經(jīng)提出,但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導(dǎo)電類型以后,結(jié)型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年,具有使用價值的較早的鍺合金型晶體管誕生。1954年,結(jié)型硅晶體管誕生。此后,人們提出了場效應(yīng)晶體管的構(gòu)想。隨著無缺陷結(jié)晶和缺陷控制等材料技術(shù)、晶體外誕生長技術(shù)和擴(kuò)散摻雜技術(shù)、耐壓氧化膜的制備技術(shù)、腐蝕和光刻技術(shù)的出現(xiàn)和發(fā)展,各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn),電子元器件逐步從真空管時代進(jìn)入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術(shù)產(chǎn)業(yè)表示的半導(dǎo)體工業(yè)。山東電子槍瓷條價格
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