上海電子槍元器件生產(chǎn)商

國(guó)家為何如此重視基礎(chǔ)電子槍元器件產(chǎn)業(yè)？ 電子槍元器件是用于制造或組裝電子整機(jī)用的基本零件，根據(jù)內(nèi)部是否有源，可以分為主動(dòng)元件和被動(dòng)元件，一般來(lái)說(shuō)，被動(dòng)元器件不用接入外部電源就可以工作。主動(dòng)元器件主要包括集成電路和分立器件。被動(dòng)元器件可主要分為RCL元件、被動(dòng)射頻元器件、其他。 電容、電感、電阻等被動(dòng)元器件在原理上并不復(fù)雜，難的是如何實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的精益求精。這需要長(zhǎng)時(shí)間的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累。其行業(yè)壁壘主要集中在材料、設(shè)備、工藝三個(gè)方面，材料決定了性能，設(shè)備決定了效率，工藝決定了品質(zhì)。面積壓縮比指的是陰極面積和注腰截面面積之比。上海電子槍元器件生產(chǎn)商

光電子元器件： 下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的較有效途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個(gè)通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開(kāi)始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長(zhǎng)間隙已小到25GHz，還在向12.5GHz努力，使得商用系統(tǒng)的總通道數(shù)現(xiàn)為160~240個(gè)，實(shí)驗(yàn)室中較高達(dá)到1022個(gè)。為得到更大容量，有時(shí)不得不在上述兩者之間折衷考慮，同時(shí)還要采取抑制光纖中色散、非線性效應(yīng)的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問(wèn)題，而且較終還必須考慮低成本的問(wèn)題，這使得新原理、新結(jié)構(gòu)和新功能的器件不斷涌現(xiàn)。上海電子槍元器件生產(chǎn)商電子槍元器件本身常由若干零件構(gòu)成。

電子槍是產(chǎn)生電子束的部件，由直線狀螺旋鎢陰極、柵極和陽(yáng)極組成。加速電壓采用負(fù)高壓，陰極和柵極處于相同的負(fù)電位，陽(yáng)極接地電位。陰極由交流供電加熱，使之發(fā)射電子，電子受柵極電位的影響，在陽(yáng)極電壓加速下形成會(huì)聚的電子束。在X方向磁場(chǎng)(左為S極、右為N極)的作用下，電子束得到進(jìn)一步聚焦并偏轉(zhuǎn)270o射入裝有被鍍膜料的坩堝中，其動(dòng)能變成熱能使材料蒸發(fā)沉積于基片上，達(dá)到所需膜層的要求。改變X線圈電流大小，電子束可作前后移動(dòng)；改變Y線圈電流大小，電子束可作左右移動(dòng)。通過(guò)調(diào)整X、Y線圈電流大小，可使束斑射于膜料的所需位置上。通常使Y線圈偏轉(zhuǎn)電流為零，調(diào)整X線圈電流，使束斑居于坩堝中心位置。

電子元器件的組合電路： 數(shù)字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導(dǎo)體芯片上而制成的數(shù)字邏輯電路或系統(tǒng)。根據(jù)數(shù)字集成電路中包含的門電路或元器件數(shù)量，可將數(shù)字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集成(ULSI)電路。小規(guī)模集成電路包含的門電路在10個(gè)以內(nèi)，或元器件數(shù)不超過(guò)100個(gè)；中規(guī)模集成電路包含的門電路在10-100個(gè)之間，或元器件數(shù)在100-1000個(gè)之間；大規(guī)模集成電路包含的門電路在100個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10個(gè)之間；超大規(guī)模集成電路包含的門電路在1萬(wàn)個(gè)以上，或元器件數(shù)在10-10之間；特大規(guī)模集成電路的元器件數(shù)在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發(fā)器、寄存器、譯碼器、驅(qū)動(dòng)器、計(jì)數(shù)器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機(jī)、DSP等。在軸向電子槍中，發(fā)射電子束的陰極有兩種形式：直熱式陰極和間熱式陰極。

行波管電子光學(xué)系統(tǒng)由電子槍，磁聚焦系統(tǒng)和多級(jí)降壓收集極三部分組成，電子槍用于產(chǎn)生一定形狀和滿足相關(guān)參量的電子束，聚焦系統(tǒng)用來(lái)使電子束在通過(guò)高頻系統(tǒng)時(shí)維持一定的形狀，并與行波場(chǎng)之間相互作用，產(chǎn)生能量交換，以放大高頻信號(hào)。高質(zhì)量的電子注對(duì)于行波管得到滿意的增益、效率、穩(wěn)定的工作狀態(tài)和較小的噪聲等是非常重要的。所以，提高電子注的產(chǎn)生成形系統(tǒng)的技術(shù)水平將對(duì)研制新型行波管器件具有極大促進(jìn)作用，因此電子光學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)是行波管設(shè)計(jì)中的重要環(huán)節(jié)。一般來(lái)說(shuō)，人們希望射程足夠的大，使得電子注能夠以較佳的注入條件進(jìn)入高頻場(chǎng)作用區(qū)。上海電子槍元器件生產(chǎn)商

當(dāng)陽(yáng)極電流受空間電荷限制時(shí)，電子槍的陽(yáng)極電流（發(fā)射電流）與陰陽(yáng)極間電壓有關(guān)。上海電子槍元器件生產(chǎn)商

電子元器件半導(dǎo)體器件損壞特點(diǎn)：二、三極管的損壞是PN結(jié)擊穿或開(kāi)路，其中以擊穿短路居多。此外還有兩種損壞表現(xiàn)：一是熱穩(wěn)定性變差，表現(xiàn)為開(kāi)機(jī)時(shí)正常，工作一段時(shí)間后，發(fā)生軟擊穿；另一種是PN結(jié)的特性變差，用萬(wàn)用表R×1k測(cè)，各PN結(jié)均正常，但上機(jī)后不能正常工作，用R×10或R×1低量程檔測(cè)，就會(huì)發(fā)現(xiàn)其PN結(jié)正向阻值比正常值大。測(cè)量二、三極管可以用指針萬(wàn)用表在路測(cè)量，較準(zhǔn)確的方法是：將萬(wàn)用表置R×10或R×1檔（用R×10檔，不明顯時(shí)再用R×1檔）在路測(cè)二、三極管的PN結(jié)正、反向電阻，正向電阻不太大（正常值），反向電阻足夠大（正向值），表明該P(yáng)N結(jié)正常，反之就值得懷疑，需焊下后再測(cè)。這是電路的二、三極管外部電阻大多在幾百、幾千歐，用萬(wàn)用表低阻值檔在路測(cè)量，可以基本忽略外部電阻對(duì)PN結(jié)電阻的影響。上海電子槍元器件生產(chǎn)商

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