電子元器件機(jī)械沖擊試驗(yàn)?zāi)康呐c原理： 電子元器件的機(jī)械沖擊試驗(yàn)主要是通過模擬元器件在運(yùn)輸、搬運(yùn)和使用過程中遇到的各種不同程度的機(jī)械沖擊來確定電子元器件受到機(jī)械沖擊時的適應(yīng)性或評定其結(jié)構(gòu)的牢靠性。 基本原理為當(dāng)短時間內(nèi)極大的沖擊力（極大的沖量）作用在試驗(yàn)樣品上，從而引起試驗(yàn)樣品產(chǎn)生極大的瞬態(tài)振動（位移），在試驗(yàn)樣品內(nèi)產(chǎn)生極大的應(yīng)力和應(yīng)變，抗沖擊能力弱的試驗(yàn)樣品就會因沖擊而損壞或性能降低。 沖擊試驗(yàn)是瞬間性的，破壞性的。理論上跌落試驗(yàn)也算是沖擊的一種，一般沖擊試驗(yàn)機(jī)是將物品固定在平臺上，然后將平臺上升，利用重力加速度沖擊，沖擊波形有半正弦波、梯形波、三角波。軸向電子槍的由于聚焦線圈的應(yīng)用，使直形電子槍可以得到100kW/cm2以上的高能密度。山西電子槍元件燈絲板廠家
國家為何如此重視基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)？ 電子元器件是用于制造或組裝電子整機(jī)用的基本零件，根據(jù)內(nèi)部是否有源，可以分為主動元件和被動元件，一般來說，被動元器件不用接入外部電源就可以工作。主動元器件主要包括集成電路和分立器件。被動元器件可主要分為RCL元件、被動射頻元器件、其他。 對于國內(nèi)廠家來說，在技術(shù)方面與海外企業(yè)仍然存在較大差距，高級市場由海外把控，以堆疊層數(shù)為例，日、韓廠商普遍可以做到1至2μm薄膜介質(zhì)堆疊1000層以上，而我國的企業(yè)只能達(dá)到300至500層。 電容、電感、電阻等被動元器件在原理上并不復(fù)雜，難的是如何實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的精益求精。這需要長時間的技術(shù)和經(jīng)驗(yàn)積累。其行業(yè)壁壘主要集中在材料、設(shè)備、工藝三個方面，材料決定了性能，設(shè)備決定了效率，工藝決定了品質(zhì)。湖北電子槍主軸哪個品牌好電子槍的材料和工藝結(jié)構(gòu)必須考慮到電子槍易于加工和使用方便。
目前，我國電子元器件領(lǐng)域的市場空間在迅速增長。此外，隨著國際形勢不斷變化，各國科技發(fā)展競爭日趨激烈，電子元器件正在成為大國博弈的焦點(diǎn)。而國內(nèi)電子元器件的工業(yè)基礎(chǔ)相對薄弱，國內(nèi)電子設(shè)備企業(yè)使用的關(guān)鍵器件和高級通用芯片長期需要依賴進(jìn)口。在智能化、網(wǎng)聯(lián)化高速發(fā)展的當(dāng)代，迫切需要盡早掌握高級芯片、新型電子元器件等產(chǎn)品的關(guān)鍵技術(shù)，替代國外進(jìn)口產(chǎn)品，國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起刻不容緩。 影響元器件國產(chǎn)化替代的有哪些因素？由于航空航天裝備使用進(jìn)口電子元器件的保障困難，在安全隱患、質(zhì)量風(fēng)險(xiǎn)等方面的諸多問題，因此，大力推進(jìn)進(jìn)口電子元器件的國產(chǎn)化替代，已經(jīng)成為一項(xiàng)構(gòu)筑國家信息安全、保衛(wèi)國家單獨(dú)外交能力的緊迫而艱巨的任務(wù)。雖然，我國已在元器件國產(chǎn)化替代方面加大投入并取得了很大進(jìn)展，但是由于各單位在元器件國產(chǎn)化替代方面執(zhí)行力度不一，元器件國產(chǎn)化替代仍存在一些問題。
光電子元器件： 下一代光傳送網(wǎng)的基本特征是超大容量，從各種復(fù)用技術(shù)的發(fā)展?fàn)顩r看，密集波分復(fù)用（DWDM）被認(rèn)為是擴(kuò)大網(wǎng)絡(luò)容量和提高其靈活性的較有效途徑。采用DWDM可以使容量迅速地?cái)U(kuò)大數(shù)十倍至數(shù)百倍。由于市場驅(qū)動和技術(shù)突破的影響，波分復(fù)用系統(tǒng)發(fā)展極為迅速。因此各種新研制的光器件也都或多或少與波分復(fù)用有關(guān)。DWDM的發(fā)展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，商用系統(tǒng)大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統(tǒng)正在實(shí)用化，預(yù)計(jì)到2004年開始商業(yè)應(yīng)用，一些電信公司如阿爾卡特的實(shí)驗(yàn)室已進(jìn)行了160Gbit/s的傳輸實(shí)驗(yàn)。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz，還在向12.5GHz努力，使得商用系統(tǒng)的總通道數(shù)現(xiàn)為160~240個，實(shí)驗(yàn)室中較高達(dá)到1022個。為得到更大容量，有時不得不在上述兩者之間折衷考慮，同時還要采取抑制光纖中色散、非線性效應(yīng)的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題，而且較終還必須考慮低成本的問題，這使得新原理、新結(jié)構(gòu)和新功能的器件不斷涌現(xiàn)。電子槍元器件本身常由若干零件構(gòu)成。
電子槍的基本參量： 1.亮度：單位面積、單位立體角的束流強(qiáng)度。 2.束腰，或注腰：電子注中截面半徑較小處的半徑。 在軸對稱收斂型電子槍中，電子從陰極發(fā)出，在電子槍內(nèi)各電極及電子自身空間電荷形成的靜電場的作用下，形成一定的電子注形狀，人們將電子注中截面半徑較小的地方稱為束腰，或注腰。 3.面積壓縮比：陰極面積與注腰截面積之比,也是注腰平均電流密度與陰極發(fā)射平均電流密度之比。 指的是陰極面積和注腰截面面積之比，也是注腰的平均電流密度與陰極發(fā)射平均電流密度 之比。一般用陰極截面積代替陰極球面積。 壓縮比的大小主要取決于陰極發(fā)射電流密度。電子槍亮度鎖骨照顧單位面積、單位立體角的束流強(qiáng)度。山西電子槍元件燈絲板廠家
軸向電子槍的聚焦極對調(diào)制極初聚的電子流進(jìn)一步聚焦以獲得更細(xì)的合適束斑。山西電子槍元件燈絲板廠家
電子槍材料的選擇： 材料的選擇對電子槍的發(fā)射能力和壽命有決定作用。燈絲必須選用熔點(diǎn)高、電阻率大的材料，一般是用鎢絲制成的，通過強(qiáng)電流后，燈絲被加熱到一千度以上。陰極必須選用溢出功率低的材料，陰極表面原子的外層電子，受到一定的熱能或電能的激勵后，會脫離原子核的束縛越出軌道而成為自由電子。 選用氧化物作為材料，氧化物陰極的逸出功更低，例如氧化鋇的逸出功只有2.8電子伏，但其耐蝕性差，一般只適宜在10-5-10-6毫米汞柱的高真空下工作，在10-4毫米汞柱時，其發(fā)射本領(lǐng)顯著下降，在10-3毫米汞柱下工作時，甚至?xí)?yán)重地受空氣侵蝕。 選用鎢絲作為材料，其逸出功為4.55電子伏，在工作溫度為2500K時，J=0.5安/厘米2。鎢絲的熔點(diǎn)為3655K，在工作溫度為2750K時，蒸發(fā)率為0.0043毫克/厘米·秒，鎢絲的耐侵蝕性較強(qiáng)。山西電子槍元件燈絲板廠家
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