LM25085AMYE/NOPB穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時間：2023-05-29

集成輸入旁路電容器
如前所述，由于開關節(jié)點振鈴的增加，大輸入功率環(huán)路在高頻段會導致更高的發(fā)射。
在設備封裝內集成高頻輸入去耦電容器有助于將輸入回路寄生降至比較低，從而減少EMI。
該技術用于LMQ62440-Q1降壓轉換器，如下圖20所示。除了減少輸入功率回路電感外，輸入高頻電容器的封裝集成還有助于使解決方案更不受終端系統(tǒng)電路板布局變化的影響。
下頁的圖21比較了LMQ62440-Q1的輻射EMI（相同板上的相同條件），包括集成和不集成旁路電容器。結果表明，在**嚴格的電視頻段（200至230 MHz）內，發(fā)射降低了9 dB，這有助于系統(tǒng)保持在行業(yè)標準設定的EMI限值下，而無需在電路板上安裝其他組件。
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高壓電源-穩(wěn)壓IC：

交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅動器TI的100多個門驅動器產品組合提供了業(yè)界**快的開關電源，同時滿足了各種規(guī)格。優(yōu)點包括在高開關頻率下具有快速開啟/關閉時間的穩(wěn)健設計，可減少功率損耗并實現更好的系統(tǒng)性能。TI的門驅動器系列包括低壓側驅動器、半橋驅動器和隔離驅動器。

UCC2751x和UCC2752x

?選定產品的版本

?AEC-Q100適用于部分產品

?非對稱驅動和分離輸出選項可在選定的單通道驅動器上使用

?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開關更高的VDD兼容性

?兩個系列都具有TTL和CMOS輸入閾值

UCC27531，UCC27531-Q1

?可采用D和DBV包裝

?FET和IGBT單柵驅動器

?2.5A和5A，35V比較大VDD TPS40322RHBR穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團，原廠代理！專業(yè)產品顧問為您服務！

隔離

以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性-穩(wěn)壓IC技術趨勢
隔離是指在存在危險高壓時的可靠保護。電流隔離將兩個區(qū)域電隔離，允許功率或信號通過屏障傳輸，而不影響人身安全
安全性，同時防止接地電位差，提高抗噪性。TI的隔離技術組合，包括電容性SiO2絕緣屏障和集成變壓器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大標準協會（CSA）和美國保險商實驗室（UL）的標準，而不會影響性能。要了解有關隔離的更多信息，請參閱我們的所有隔離解決方案。
傳輸信號
?采用高質量隔離技術、低延遲數據傳輸和出色的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性和可靠性。
傳輸功率
?通過在單個封裝中集成傳輸電源所需的高壓隔離組件，減少熱負荷并簡化EMI合規(guī)性。

TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因為它有可能在設計階段后期造成重大挫折，這將耗費時間和金錢。
開關電源（SMPS）是現代技術中**普遍的電路之一，在大多數應用中，它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因為開關電源中的功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的開關使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關節(jié)點上的快速轉換率、，
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉換器拓撲在不同的頻帶中表現出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關頻率以減小尺寸和成本，并增加轉換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術不要影響電源設計。

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什么是TI穩(wěn)壓IC的EMI， 續(xù)。。。

TI穩(wěn)壓IC的EMI如 下頁的圖2顯示了傳導發(fā)射的通用測試設置，包括電源、線路阻抗穩(wěn)定網絡（LISN）、EMI接收器、電源線和被測設備（DUT）。LISN起著關鍵作用，充當低通濾波器，確保重復性和 特克電子，電源穩(wěn)壓IC**，專業(yè)產品顧問為您服務！專業(yè)顧問為您服務！TPS40021MPWPEP穩(wěn)壓IC

EMI測量的可比性，并為DUT提供精確的阻抗。圖2還說明了一個重要的細分
發(fā)射到共模（CM）和差模（DM）電流。DM電流在電源線及其回路之間流動，在低頻率下是主導因素。
CM電流在每條電源線和地面之間流動，是高頻下的主導因素。

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5.線性調節(jié)器（LDO）-穩(wěn)壓IC概述和選擇指南-

穩(wěn)壓IC概述穩(wěn)壓IC低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種簡單、有效的調節(jié)由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產品組合，其特點是小尺寸封裝、低靜態(tài)電流（低IQ）以擴展電池壽命長，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態(tài)響應速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環(huán)境。

穩(wěn)壓IC減少解決方案大?。?

使用小尺寸、高性能LDO，當今電子設計的復雜性和密度相當于有限的PCB空間。為了應對電子設備越來越小的趨勢，穩(wěn)壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規(guī)模。 LM25085AMYE/NOPB穩(wěn)壓IC

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