UCC3581D穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時間：2023-05-27

穩(wěn)壓IC專題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會導(dǎo)致高頻開關(guān)節(jié)點振鈴，從而進(jìn)一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 電源IC、穩(wěn)壓IC就找特克電子，德州儀器、亞德諾、英飛凌原裝現(xiàn)貨，專業(yè)顧問為您服務(wù)！UCC3581D穩(wěn)壓IC
下頁的圖7顯示了切換節(jié)點上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導(dǎo)致轉(zhuǎn)換速度變慢，導(dǎo)致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會導(dǎo)致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。

節(jié)能：使用低IQ穩(wěn)壓ICLDOTI的穩(wěn)壓IC

低IQLDO有助于在各種應(yīng)用程序中節(jié)省電源。通過將靜態(tài)電流消耗保持在比較低限度，這些LDO延長了電池壽命，管理了備用電源，并優(yōu)化了電池備份系統(tǒng)。清理電源：使用穩(wěn)壓IC低噪音LDO.TI的**噪聲LDO解決方案為**敏感的負(fù)載供電提供了一種簡單有效的方法。低噪聲LDO消除電壓紋波，提供清潔的直流電源，確保比較好信號完整性。

具有寬VIN和電流保護(hù)的魯棒LDO 穩(wěn)壓IC 增強(qiáng)了系統(tǒng)可靠性.

TI的寬輸入電壓LDO（高達(dá)100V）有助于管理自動化系統(tǒng)、電器和HVAC應(yīng)用的大瞬態(tài)電壓。寬VINLDO具有折疊電流、反向電流、熱穩(wěn)定性和對地短路保護(hù)等其他高性能功能，可保護(hù)任何系統(tǒng)免受損壞。 TPS51117PWRG4穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團(tuán)，原廠現(xiàn)貨！專業(yè)產(chǎn)品顧問為您服務(wù)！

低噪音和精度-TI穩(wěn)壓IC發(fā)展趨勢
增強(qiáng)電源和信號完整性，以提高系統(tǒng)級保護(hù)和準(zhǔn)確性。
為了比較大限度地提高系統(tǒng)性能和可靠性，監(jiān)控、調(diào)節(jié)和處理電源鏈中信號的能力至關(guān)重要。高精度系統(tǒng)需要精確的低噪聲基準(zhǔn)，以及低噪聲和紋波的供電軌。TI使用**工藝組件和先進(jìn)的電路和測試技術(shù)，以提高精度并將失真降至比較低。
減少和緩解IC錯誤源
?利用TI高度優(yōu)化的低噪聲互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）工藝，減少工藝的非理想性。
?利用先進(jìn)的電路和測試技術(shù)減少工藝非理想性的影響。

有源EMI濾波-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了大幅改善低頻頻譜中的發(fā)射，LM25149-Q1降壓控制器采用了有源EMI濾波方法。集成有源EMI濾波器通過充當(dāng)有效的低阻抗分流器，減少輸入端的DM傳導(dǎo)發(fā)射。圖12顯示了buck控制器的有源EMI濾波器如何連接到輸入線。傳感和注入引腳通過各自的電容器連接到輸入端。有源EMI濾波器塊內(nèi)的有源元件放大感測信號，并通過注入電容器注入適當(dāng)?shù)姆礃O性信號，以**小化輸入線上的整體干擾。這減少了
過濾所需無源元件的負(fù)擔(dān)，從而減少其尺寸、體積和成本。
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取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標(biāo)準(zhǔn)反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關(guān)節(jié)點相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導(dǎo)致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴(yán)格的工業(yè)和汽車EMI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁上的“針對**EMI要求進(jìn)行了優(yōu)化”來訪問詳細(xì)的EMI報告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環(huán)時間。
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