穩(wěn)壓IC-開放式機架PTH08T2xx“T2”電源模塊高電流模塊，
用于需要高達50A的應(yīng)用。
?高達50A的高輸出電流
?渦輪變速器?可調(diào)瞬態(tài)響應(yīng)特性
?均流（50-A版本）
穩(wěn)壓IC-QFN電源模塊易于使用的高功率密度模塊，
適用于占地面積小的應(yīng)用。
?輸入電壓范圍：2.95至60V
?輸出電流高達30A
?功能豐富靈活
?只需要三個外部組件
穩(wěn)壓IC-帶導(dǎo)線的SIMPLESWITCHER®模塊易于使用的模塊，
適用于需要高達42V輸入電壓的應(yīng)用。
?單個外露底部
?支持5-V、12-V和24-V導(dǎo)軌
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有源EMI濾波-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了大幅改善低頻頻譜中的發(fā)射，LM25149-Q1降壓控制器采用了有源EMI濾波方法。集成有源EMI濾波器通過充當(dāng)有效的低阻抗分流器，減少輸入端的DM傳導(dǎo)發(fā)射。圖12顯示了buck控制器的有源EMI濾波器如何連接到輸入線。傳感和注入引腳通過各自的電容器連接到輸入端。有源EMI濾波器塊內(nèi)的有源元件放大感測信號，并通過注入電容器注入適當(dāng)?shù)姆礃O性信號，以**小化輸入線上的整體干擾。這減少了
過濾所需無源元件的負(fù)擔(dān)，從而減少其尺寸、體積和成本。
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節(jié)能：使用低IQ穩(wěn)壓ICLDOTI的穩(wěn)壓IC
低IQLDO有助于在各種應(yīng)用程序中節(jié)省電源。通過將靜態(tài)電流消耗保持在比較低限度，這些LDO延長了電池壽命，管理了備用電源，并優(yōu)化了電池備份系統(tǒng)。清理電源：使用穩(wěn)壓IC低噪音LDO.TI的**噪聲LDO解決方案為**敏感的負(fù)載供電提供了一種簡單有效的方法。低噪聲LDO消除電壓紋波，提供清潔的直流電源，確保比較好信號完整性。
具有寬VIN和電流保護的魯棒LDO 穩(wěn)壓IC 增強了系統(tǒng)可靠性.
TI的寬輸入電壓LDO（高達100V）有助于管理自動化系統(tǒng)、電器和HVAC應(yīng)用的大瞬態(tài)電壓。寬VINLDO具有折疊電流、反向電流、熱穩(wěn)定性和對地短路保護等其他高性能功能，可保護任何系統(tǒng)免受損壞。
穩(wěn)壓IC專題知識，
為了**小化濾波電感的尺寸，您可以為SMPS設(shè)計選擇更高的開關(guān)頻率。然而，切換器操作時應(yīng)避免使用敏感頻段。
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例如，傳統(tǒng)上，汽車電源解決方案的優(yōu)先開關(guān)頻率為亞AM頻段（約400 kHz）。
選擇更高的開關(guān)頻率以**小化電感器尺寸意味著您必須避免整個AM頻段（525至1705 kHz），以便在更嚴(yán)格的汽車EMI頻段中沒有基本開關(guān)雜散。
德州儀器（TI）的開關(guān)轉(zhuǎn)換器的開關(guān)頻率高于1.8 MHz，以滿足EMI頻段的要求。向更高開關(guān)頻率的推進對開關(guān)轉(zhuǎn)換上升和下降時間施加了嚴(yán)格限制，以減少開關(guān)損耗。然而，如圖6所示，上升和下降時間很短的開關(guān)節(jié)點即使在接近其100次諧波的高頻下也能保持較高的能量含量，這再次突出了高效率和低EMI之間的權(quán)衡。
取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場效應(yīng)晶體管參考設(shè)計采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級到次級接口，并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓，使外半初級層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發(fā)射，明顯幫助設(shè)計滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn)，且CM濾波很好小。
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TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因為它有可能在設(shè)計階段后期造成重大挫折，這將耗費時間和金錢。
開關(guān)電源（SMPS）是現(xiàn)代技術(shù)中**普遍的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價的，因為開關(guān)電源中的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)點上的快速轉(zhuǎn)換率、，
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關(guān)邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個如何使用buck轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓诓煌念l帶中表現(xiàn)出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關(guān)頻率以減小尺寸和成本，并增加轉(zhuǎn)換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結(jié)合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術(shù)不要影響電源設(shè)計。
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