TI穩(wěn)壓IC的EMI不再是事后諸葛亮，因?yàn)樗锌赡茉谠O(shè)計(jì)階段后期造成重大挫折，這將耗費(fèi)時(shí)間和金錢。
開關(guān)電源（SMPS）是現(xiàn)代技術(shù)中**普遍的電路之一，在大多數(shù)應(yīng)用中，它比線性穩(wěn)壓器的效率有了極大的提高。
但這種效率是有代價(jià)的，因?yàn)殚_關(guān)電源中的功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的開關(guān)使其
是電磁干擾的主要來源，而電磁干擾反過來又會(huì)影響可靠性。EMI主要來自不連續(xù)的輸入電流、開關(guān)節(jié)點(diǎn)上的快速轉(zhuǎn)換率、，
以及功率環(huán)路中寄生電感引起的沿開關(guān)邊緣的附加振鈴。
下頁的圖1說明了這些元素中的每一個(gè)如何使用buck轉(zhuǎn)換器拓?fù)湓诓煌念l帶中表現(xiàn)出來。
例如。隨著壓力的增加，增加開關(guān)頻率以減小尺寸和成本，并增加轉(zhuǎn)換率以提高
效率、電磁干擾問題加劇。因此，有必要結(jié)合具有成本效益且易于集成的EMI緩解技術(shù)不要影響電源設(shè)計(jì)。
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DC/DC控制器-穩(wěn)壓IC-輸出電流由外部MOSFET設(shè)置，這使設(shè)計(jì)者能夠優(yōu)化效率和性能。堅(jiān)強(qiáng)的TI控制器中的MOSFET驅(qū)動(dòng)器可以驅(qū)動(dòng)更多的外部MOSFET。電荷泵-TI的低壓電荷泵系列--穩(wěn)壓IC提供了一種低噪聲解決方案，無需電感器即可提高電壓。電荷泵達(dá)到90%的峰值效率，對(duì)于300mA以下的輸出電流非常有用。訪問TECH-TREK官網(wǎng)通過簡(jiǎn)單的提供系統(tǒng)的電壓和輸出電流。
采用TI***的電源模塊產(chǎn)品組合進(jìn)行設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)寬輸入電壓和輸出電流范圍、靈活的封裝選項(xiàng)和易于使用的集成解決方案，適用于各種非隔離、工業(yè)、醫(yī)療和通信應(yīng)用。
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降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
當(dāng)系統(tǒng)共享公共物理觸點(diǎn)時(shí)，開關(guān)電源中不連續(xù)電流產(chǎn)生的輸入電壓紋波可傳導(dǎo)至其他系統(tǒng)。如果沒有適當(dāng)?shù)木徑獯胧^大的輸入或輸出電壓紋波可能會(huì)危及電源、負(fù)載或相鄰系統(tǒng)的運(yùn)行。
傳統(tǒng)上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規(guī)范所需的衰減。
取舍是根據(jù)所需衰減對(duì)系統(tǒng)的尺寸和成本進(jìn)行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設(shè)計(jì)的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。
高壓電源-穩(wěn)壓IC：
交流/直流和隔離直流/直流MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器TI的100多個(gè)門驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品組合提供了業(yè)界**快的開關(guān)電源，同時(shí)滿足了各種規(guī)格。優(yōu)點(diǎn)包括在高開關(guān)頻率下具有快速開啟/關(guān)閉時(shí)間的穩(wěn)健設(shè)計(jì)，可減少功率損耗并實(shí)現(xiàn)更好的系統(tǒng)性能。TI的門驅(qū)動(dòng)器系列包括低壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器、半橋驅(qū)動(dòng)器和隔離驅(qū)動(dòng)器。
UCC2751x和UCC2752x
?選定產(chǎn)品的版本
?AEC-Q100適用于部分產(chǎn)品
?非對(duì)稱驅(qū)動(dòng)和分離輸出選項(xiàng)可在選定的單通道驅(qū)動(dòng)器上使用
?前列的傳播延遲和與MOSFET功率開關(guān)更高的VDD兼容性
?兩個(gè)系列都具有TTL和CMOS輸入閾值
UCC27531，UCC27531-Q1
?可采用D和DBV包裝
?FET和IGBT單柵驅(qū)動(dòng)器
?2.5A和5A，35V比較大VDD
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結(jié)論
電子技術(shù)的快速發(fā)展給功率轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)帶來了巨大的壓力，因?yàn)閺?fù)雜的系統(tǒng)被塞進(jìn)了越來越小的空間。敏感系統(tǒng)的接近性使得抑制EMI具有挑戰(zhàn)性。在設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí)，必須格外小心，以符合標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)規(guī)定的限制，以確保關(guān)鍵系統(tǒng)能夠在噪聲環(huán)境中安全運(yùn)行。
低EMI設(shè)計(jì)可以節(jié)省大量開發(fā)周期時(shí)間，同時(shí)還可以減少電路板面積和解決方案成本。TI提供多種功能和技術(shù)來緩解EMI，如擴(kuò)頻、有源EMI濾波、抵消繞組、封裝創(chuàng)新、集成輸入旁路電容器和真正的轉(zhuǎn)換速率控制方法。
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隔離
以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性-穩(wěn)壓IC技術(shù)趨勢(shì)
隔離是指在存在危險(xiǎn)高壓時(shí)的可靠保護(hù)。電流隔離將兩個(gè)區(qū)域電隔離，允許功率或信號(hào)通過屏障傳輸，而不影響人身安全
安全性，同時(shí)防止接地電位差，提高抗噪性。TI的隔離技術(shù)組合，包括電容性SiO2絕緣屏障和集成變壓器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（CSA）和美國(guó)保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室（UL）的標(biāo)準(zhǔn)，而不會(huì)影響性能。要了解有關(guān)隔離的更多信息，請(qǐng)參閱我們的所有隔離解決方案。
傳輸信號(hào)
?采用高質(zhì)量隔離技術(shù)、低延遲數(shù)據(jù)傳輸和出色的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性和可靠性。
傳輸功率
?通過在單個(gè)封裝中集成傳輸電源所需的高壓隔離組件，減少熱負(fù)荷并簡(jiǎn)化EMI合規(guī)性。
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