合肥國(guó)產(chǎn)異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

高效異質(zhì)結(jié)電池整線(xiàn)解決方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后，電池被用一個(gè)~80納米的透明導(dǎo)電氧化物接觸。~80納米薄的透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導(dǎo)電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TCO也被用來(lái)在電池的背面形成一個(gè)介電鏡。因此，為了理解和優(yōu)化整個(gè)a-Si:H/c-Si太陽(yáng)能電池，還必須考慮TCO對(duì)電池光電性能的影響。由于其高摻雜度，TCO的電子行為就像一個(gè)電荷載流子遷移率相當(dāng)?shù)偷慕饘?，而TCO/a-Si:H結(jié)的電子行為通常被假定為類(lèi)似于金屬-半導(dǎo)體結(jié)。  TCO的功函數(shù)對(duì)TCO/a-Si:H/c-Si結(jié)構(gòu)中的帶狀排列以及電荷載流子在異質(zhì)結(jié)上的傳輸起著重要作用。此外，TCO在大約10納米薄的a-Si:H上的沉積通常采用濺射工藝；在此，應(yīng)該考慮到在該濺射工藝中損壞脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工藝優(yōu)化中必須考慮到。光伏異質(zhì)結(jié)是一種高效太陽(yáng)能電池，具有雙面發(fā)電和低光衰減等優(yōu)點(diǎn)。合肥國(guó)產(chǎn)異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)是一種利用半導(dǎo)體材料制成的太陽(yáng)能電池，其應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊。以下是幾個(gè)主要的應(yīng)用領(lǐng)域：1.太陽(yáng)能發(fā)電：太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)可以將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，用于發(fā)電。這種太陽(yáng)能電池可以廣泛應(yīng)用于家庭、工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域，為人們提供清潔、可再生的能源。2.光伏發(fā)電：太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)可以用于光伏發(fā)電，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能。這種發(fā)電方式可以廣泛應(yīng)用于建筑物、道路、車(chē)輛等各種場(chǎng)所，為人們提供清潔、可再生的能源。3.太陽(yáng)能熱水器：太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)可以用于太陽(yáng)能熱水器，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為熱能，用于加熱水。這種太陽(yáng)能熱水器可以廣泛應(yīng)用于家庭、工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域，為人們提供清潔、可再生的熱能。4.太陽(yáng)能空調(diào)：太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)可以用于太陽(yáng)能空調(diào)，將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，用于驅(qū)動(dòng)空調(diào)。這種太陽(yáng)能空調(diào)可以廣泛應(yīng)用于家庭、工業(yè)和商業(yè)領(lǐng)域，為人們提供清潔、可再生的能源?？傊?yáng)能異質(zhì)結(jié)的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣闊，可以為人們提供清潔、可再生的能源，有著非常重要的意義。南京釜川異質(zhì)結(jié)薄膜釜川高效異質(zhì)結(jié)電池濕法制絨設(shè)備全線(xiàn)采用臭氧工藝，降低了運(yùn)營(yíng)材料成本。

異質(zhì)結(jié)電池整線(xiàn)生產(chǎn)設(shè)備，l在擴(kuò)散的過(guò)程中，pn結(jié)p區(qū)一側(cè)出現(xiàn)負(fù)電荷區(qū)，n區(qū)一側(cè)出現(xiàn)正電荷區(qū)，其形成空間電荷區(qū)，在空間內(nèi)部形成內(nèi)建電場(chǎng)，載流子做漂移運(yùn)動(dòng)，阻礙電子與空穴的擴(kuò)散，達(dá)到平衡，能帶停止相對(duì)移動(dòng)，p區(qū)能帶相對(duì)于n區(qū)上移，n區(qū)能帶相對(duì)于p區(qū)下移，pn結(jié)的費(fèi)米能級(jí)處處相等，即載流子的擴(kuò)散電流和漂移電流相互抵消；pn結(jié)勢(shì)壘區(qū)存在較強(qiáng)的內(nèi)建電場(chǎng)（自n區(qū)指向p區(qū)），則p區(qū)的電子進(jìn)入n區(qū)，n區(qū)的空穴進(jìn)入p區(qū)，使p端電勢(shì)升高，n端電勢(shì)降低，在pn結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即為PN結(jié)的光生伏特效應(yīng)。同理，由于光照在PN結(jié)兩端產(chǎn)生光生電動(dòng)勢(shì)，即在PN結(jié)兩端加上正向偏壓V，則產(chǎn)生正向電流IF，在PN結(jié)開(kāi)路時(shí)，光生電流等于正向電流，PN結(jié)兩端建立起穩(wěn)定的電勢(shì)差VOC，即光電池的開(kāi)路電壓，這就是光電池的基本原理。

HJT電池所有制程的加工溫度均低于250，避免了生產(chǎn)效率低而成本高的高溫?cái)U(kuò)散制結(jié)的過(guò)程，而且低溫工藝使得a-Si薄膜的光學(xué)帶隙、沉積速率、吸收系數(shù)以及氫含量得到較精確的控制，也可避免因高溫導(dǎo)致的熱應(yīng)力等不良影響。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ螅に嚭?jiǎn)單并且降本路線(xiàn)清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。HJT電池為對(duì)稱(chēng)的雙面結(jié)構(gòu)，主要由 N 型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導(dǎo)電氧化薄膜(TCO) 層和金屬電極構(gòu)成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N 型摻雜非晶硅層起到背場(chǎng)作用。零界高效異質(zhì)結(jié)電池整線(xiàn)設(shè)備導(dǎo)入銅制程電池等多項(xiàng)技術(shù)，降低非硅成本。

異質(zhì)結(jié)電池的優(yōu)勢(shì)有，優(yōu)勢(shì)一：工藝流程短HJT電池主工藝有4道：制絨、非晶硅沉積、TCO沉積、絲網(wǎng)印刷；遠(yuǎn)少于PERC（10個(gè)）和TOPCON（12-13個(gè)）；其中，非晶硅沉積主要使用PECVD方法。TCO薄膜主要有兩種方法：RPD(反應(yīng)等離子沉積)和PVD。優(yōu)勢(shì)二：轉(zhuǎn)換效率高得益于N型硅襯底以及非晶硅對(duì)基底表面缺陷的雙重鈍化作用。目前量產(chǎn)效率普遍已在25%以上；更高的轉(zhuǎn)化效率需要在前后表面使用摻雜納米晶硅、摻雜微晶硅、摻雜微晶氧化硅、摻雜微晶碳化硅取代現(xiàn)有的摻雜。HJT效率潛力超28%，遠(yuǎn)高PERC電池。優(yōu)勢(shì)三：無(wú)LID&PID，低衰減無(wú)LID與PID：由于HJT電池襯底通常為N型單晶硅，而N型單晶硅為磷摻雜，不存在P型晶硅中的硼氧復(fù)合、硼鐵復(fù)合等，所以HJT電池對(duì)于LID效應(yīng)是免疫的。HJT電池的表面沉積有TCO薄膜，無(wú)絕緣層，因此無(wú)表面層帶電的機(jī)會(huì)，從結(jié)構(gòu)上避免PID發(fā)生。低衰減：HJT電池首年衰減1-2%，此后每年衰減0.25%，遠(yuǎn)低于PERC電池?fù)芥壠乃p情況（首年衰減2%，此后每年衰減0.45%)，因此HJT電池全生命周期每W發(fā)電量高出雙面PERC電池約1.9%-2.9%。異質(zhì)結(jié)電池能夠充分利用太陽(yáng)能資源，為人類(lèi)創(chuàng)造更多的清潔能源和經(jīng)濟(jì)效益。四川太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)制絨設(shè)備

光伏異質(zhì)結(jié)結(jié)合了晶體硅和非晶硅的優(yōu)點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)了低成本、高效率的太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換。合肥國(guó)產(chǎn)異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

高效光伏異質(zhì)結(jié)電池整線(xiàn)設(shè)備，HWCVD 1、熱絲化學(xué)氣相沉積(HotWireCVD，HWCVD)是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來(lái)制備非晶硅薄膜，對(duì)襯底無(wú)損傷，且成膜質(zhì)量非常好，但鍍膜均勻性較差，且熱絲作為耗材，成本較高；2、HWCVD一般分為三個(gè)階段，一是反應(yīng)氣體在熱絲處的分解反應(yīng)，二是基元向襯底運(yùn)輸過(guò)程中的氣相反應(yīng)，第三是生長(zhǎng)薄膜的表面反應(yīng)。PECVD鍍膜均勻性較高，工藝窗口寬，對(duì)襯底損傷較大。HWCVD是利用高溫?zé)峤z催化作用使SiH4分解來(lái)成膜，對(duì)襯底無(wú)損傷，且成膜質(zhì)量好，但鍍膜均勻性較差且成本較高。合肥國(guó)產(chǎn)異質(zhì)結(jié)鍍膜設(shè)備

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