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壓控振蕩器的主要參數(shù)主要包括：（1）中心頻率指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，CMOS輸出可達到245.0MHz，LVDS可達到2.1GHz,HCSL可達到700MHz。（2）輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS,LVDS,HCSL,TrueSine都有不同的波形特征以及用途。（3）工作電壓可根據(jù)具體型號選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。其中3.3V的應(yīng)用更多。（4）壓控振蕩器范圍通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位用ppm表示，范圍一般為±50~200ppm。（5）頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對標稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。（6）工作溫度工業(yè)級標準-40~85℃。特殊應(yīng)用會對溫度有更高的要求。振蕩器品質(zhì)哪家好，歡迎聯(lián)系成都晶寶！深圳有源振蕩器測試

如何正確選型壓控晶體振蕩器首先，要弄清楚具體應(yīng)用場合是需要壓控晶振，還是一般的振蕩器。當設(shè)計人員希望通過外加控制電壓來對振蕩器的頻率作小范圍的調(diào)諧時，就應(yīng)選用VCXO壓控晶振器件。我們把這種振蕩器調(diào)諧稱為牽引度（pullability）。牽引度用10－6數(shù)量級表示。VCXO壓控晶振牽引度的典型值為±50×10－6～±200×10－6，要得到這種范圍的牽引度，VCXO壓控晶振產(chǎn)品一般采用標準圓形石英晶振。為了滿足牽引度范圍大的要求，設(shè)計上須用大尺寸晶體（直接0.25英寸～0.35英寸）。此外，如果要得到大范圍的牽引度，VCXO壓控晶振產(chǎn)品的晶體應(yīng)是基模晶體。VCXO壓控晶振的技術(shù)規(guī)范中列有多項性能參數(shù)。這些參數(shù)往往是相互關(guān)聯(lián)的。我們不能一味追求某些參數(shù)的高指標而忽視由此引起的其它參數(shù)的劣化。例如，VCXO壓控晶振的允許的頻率控制范圍就是有限制的。一般來說，如果要求VCXO壓控晶振的有較大的牽引度，則它在工作溫度范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度就較差。反之，如果對頻率穩(wěn)定度要求高，就很難得到較大的牽引度（>±200×10－6）。因此，正確了解壓控晶振的技術(shù)規(guī)范和使用要求，對于在設(shè)計上用好這種器件是很關(guān)鍵的。深圳溫補振蕩器精度石英振蕩器交期快，歡迎聯(lián)系成都晶寶！

在全球晶振市場中，日本占有全球市場的大頭，也是全球主要的晶振生產(chǎn)國，中國臺灣地區(qū)其次。隨著中國大陸地區(qū)電子信息產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展，市場對晶振的需求不斷上升，晶振行業(yè)規(guī)模不斷擴大。在日本，壓控晶體振蕩器生產(chǎn)商主要有愛普生、KDS、京瓷等；在中國臺灣，壓控晶體振蕩器生產(chǎn)商主要有晶技等。經(jīng)過不斷發(fā)展，我國本土晶振行業(yè)生產(chǎn)實力不斷增強，頂部企業(yè)與日本企業(yè)之間的技術(shù)差距不斷縮小，但在全球市場中，份額占比依然較低。我國5G技術(shù)及基站建設(shè)速度超越其他國家，并已開始6G技術(shù)研發(fā)，疊加汽車電子、儀器儀表、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域需求，壓控晶體振蕩器市場空間將不斷增大，這有利于中國本土壓控晶體振蕩器企業(yè)擴大國內(nèi)市場占有率。

電壓控制晶體振蕩器(VCXO)通過調(diào)整控制端電壓改變輸出頻率。一般頻率調(diào)整范圍為±50~±200ppm。VCXO應(yīng)用于5G基站，無線通信信號塔，精密儀表，智能監(jiān)控等。在選擇合適的VCXO時，需要考慮以下6個參數(shù)：1.封裝尺寸VCXO有貼片SMD和直插DIP兩種封裝。尺寸有多種選擇：SMD2520，SMD3225，SMD5032，SMD7050,以及DIP08/DIP14。貼片壓控晶振引腳通常為6個，高頻差分輸出引腳為8個。2.輸出波形輸出方式根據(jù)需要采用不同的輸出。CMOS,LVDS,HCSL,TrueSine都有不同的波形特征以及用途。3.頻率范圍晶振重要的參數(shù)就是頻率，輸出信號的周期，以Hz為單位。1GHz=1000MHz；1MHz=1000KHz。4.壓控范圍壓控范圍通過調(diào)節(jié)控制電壓改變輸出頻率。單位用ppm表示，范圍一般為±50~200ppm。壓控范圍是必選參數(shù)之一。對于晶振頻率進行電壓調(diào)整總是以放棄晶振的頻率穩(wěn)定度為代價的。用戶選擇頻偏范圍時，盡量選擇頻偏較小，夠用即可，這樣的壓控線性比較好。5.供給電壓工作電壓可根據(jù)具體型號選擇1.8V/2.5V/3.3V/5.0V。6.溫度頻差頻率穩(wěn)定度在工作溫度范圍內(nèi)，對標稱頻率允許的偏差，單位一般為百萬分之一即ppm。工作溫度工業(yè)級標準-40~85℃。特殊應(yīng)用會對溫度有更高的要求。成都晶寶，品質(zhì)振蕩器，價格優(yōu)惠，準時交貨，歡迎聯(lián)系！

6、牽引范圍與標稱振蕩頻率偏移的關(guān)系。在工業(yè)上，定義壓控晶體真振蕩器牽引度的方法有兩種：一種方法叫做牽引范圍（APR）。這種方法定義的牽引度考慮了VCXO各相關(guān)因素產(chǎn)生的所有頻率變化，因而給出的是總的牽引范圍。簡言之，APR定義的牽引度等于VCXO相對于標稱振蕩頻率的頻移同穩(wěn)定性、電壓變化、負載變化和老化特性等因素引起的頻率變化之和。定義VCXO牽引度的第二種方法考慮相對于標稱振蕩頻率的頻率偏移。這種方法就沒有考慮總體穩(wěn)定性或老化特性的影響。所以我們在確定牽引范圍時，必須要指定清楚。7、價格因素：VCXO采用基頻晶體來獲得要求的牽引度值。當頻率超過30MHz后，基頻晶片制造難度加大,隨著頻率的增加，晶體變得越來越薄，制造過程中的操作也更加困難。所以工作頻率選擇越高價格也就越高。8、工作電壓：工作電壓的越低，控制電壓值也將越小,所以較低的控制電壓很難獲得大范圍的牽引度。9、輸出模式：VCXO可提供多種輸出模式，如TTL、CMOS、PECL、LVDS等輸出，所以選型時一定清楚輸出方式。振蕩器價格哪家好，歡迎聯(lián)系成都晶寶！蘇州消費電子振蕩器型號

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溫補晶體振蕩器中，按照頻率溫度漂移的補償方法主要分為兩種類型：直接補償和間接補償。直接補償型晶體振蕩器：這種類型的晶振采用了熱敏電阻和阻容元件，構(gòu)成了一個溫度補償電路，與石英晶體振子串聯(lián)連接。在溫度變化時，熱敏電阻的電阻值和晶體的等效串聯(lián)電容值會相應(yīng)變化，以抵消或減小振蕩頻率的溫度漂移。。間接補償型TCXO：這一類型的補償方式分為模擬式和數(shù)字式兩種。模擬式間接補償：采用溫度傳感元件（如熱敏電阻）組成溫度-電壓變換電路，并將其輸出電壓施加到晶體振子串聯(lián)的變?nèi)荻O管上。通過改變晶體振子的串聯(lián)電容，實現(xiàn)對晶體振子非線性頻率漂移的補償。這種方式能夠?qū)崿F(xiàn)高精度，達到±0.5ppm的頻率穩(wěn)定度，但在低于3V的低電壓環(huán)境下可能受到一定限制。數(shù)字式間接補償：在模擬式補償電路中，引入了一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。這使得晶體振蕩器可以實現(xiàn)自動溫度補償，從而獲得非常高的頻率穩(wěn)定度。不過，這種補償方式的電路更為復(fù)雜，成本也相對較高，主要用于對高精度頻率要求較高的應(yīng)用，如基站和廣播電臺等領(lǐng)域。深圳有源振蕩器測試

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