鎮(zhèn)江氧化銅靶作用

來源: 發(fā)布時間:2021-12-14

氧化物鍍膜技術在真空鍍鋁膜中的應用 近年來,迅速發(fā)展微波加熱技術給微波食品包裝及需經微波殺 菌消毒的一類商品的包裝提出了新的要求,即包裝材料不要具有優(yōu)良的阻隔性能,而且還要耐高溫、微波透過性好等特性,傳統(tǒng)的包裝材料很難具備這些特點。因此,近年來日本、德國、美國等國家大力研究開發(fā)新型的高阻隔性包裝材料——SiOX和其它金屬氧化物鍍膜復合材料。這類材料除了阻隔性能可以與鋁塑復合材料相媲美外,同時還具有微波透過性好、耐高溫、透明、受環(huán)境溫度濕度影響小等優(yōu)點。 非金屬鍍膜可采用蒸鍍原料可采用SiOX、SiO2,也可以采用其它氧化物如Al2O3、 MgO、Y2O3、TiO2、Gd2O3等,其中常用的是SiOX、AlOx。氧化物鍍膜的蒸發(fā)源有電阻式和電子束兩種,電阻式蒸發(fā)源以電阻通過發(fā)熱的原理來加熱蒸鍍原料,高加熱溫度可達1700℃。電子束蒸發(fā)源利用加速電子碰撞蒸鍍原料而使其蒸發(fā),蒸發(fā)源配有電子,在材料局部位置上而形成加熱束斑,束斑溫度可達3000~6000℃,能量密度高可達20KW/cm2。 實驗表明只有PP、PET、PA等材料才能較適合氧化物鍍膜加工。一般靶材拋光后,濺射速率、電壓等工藝參數(shù)比較穩(wěn)定,容易控制。鎮(zhèn)江氧化銅靶作用

陽光控制鍍膜玻璃的優(yōu)點 陽光控制鍍膜玻璃主要就是為了遮光隔熱,根據(jù)它的物理特性也叫做熱反射鍍膜玻璃,在普通的透明玻璃上通過磁控濺射真空鍍膜機鍍上一層或多層薄膜,在這里我們簡稱反射玻璃。         反射玻璃相對于普通透明玻璃而言,在太陽能的反射性能上,反射玻璃一次的反射比普通玻璃高出4.3倍,第二次的反射高出3.1倍,總的反射就高出3.6倍了;在遮蔽系數(shù)上,反射玻璃比普通玻璃減少0.18,系數(shù)越少,遮光效果就會越好的,減少太陽輻射和熱能的透射;在可見光的反射和透射上,反射玻璃比普通玻璃反射增加了20%~38%,透射減少了55%~70%,具有良好的遮光性能;在傳熱系數(shù)上,反射玻璃比普通玻璃降低了0.4W(m2.K),具有良好的隔熱性能。         利用其良好的遮光和隔熱性能,可以大降低在室內制冷和保暖的花費,是一種非常好的節(jié)能產品,而且可以通過不同的金屬或金屬化合物為靶材,鍍制出不同顏色的反射膜,常見的顏色有茶色、灰色、金黃色、古銅色、褐色、珊瑚黃色,通過不同的配搭,達到裝飾的效果,即美觀又節(jié)能。合肥氧化鈷靶哪家好靶中毒的解決辦法:(1)采用中頻電源或射頻電源。

影響磁控靶濺射電壓的主要因素有:靶面磁場、靶材材質、氣體壓強、陰-陽極間距等。本文詳細分析這些因素距對靶濺射電壓的影響。   一、 靶面磁場對靶濺射電壓的影響 1. 磁控靶的陰極工作電壓,隨著靶面磁場的增加而降低,也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而降低。濺射電流也隨著靶面的濺射刻蝕槽加深而加大。這是因為靶的濺射刻蝕槽面會越來越接近靶材后面的磁鋼的強磁場。因此,靶材的厚度是有限制的。較厚的非磁性靶材能夠在較強的磁場中使用。   2. 鐵磁性靶材會對磁控靶的濺射造成影響,由于大部分磁力線從鐵磁性材料內部通過,使靶材表面磁場減少,需要很高電壓才能讓靶面點火起輝。除非磁場非常的強,否則磁性材靶材必須比非磁性材料要薄,才能起輝和正常運行(永磁結構的Ni靶的典型值<0.16cm,磁控靶非特殊設計最大值一般不宜超過3mm,F(xiàn)e,co靶的最大值不超過2mm;電磁結構的靶可以濺射厚一些的靶材,甚至可達6mm厚)才能起輝和正常運行。正常工作時,磁控靶靶材表面的磁場強度為0.025T~0.05T左右;靶材濺射刻蝕即將穿孔時,其靶材表面的磁場強度大為提高,接近或大于0.1T左右。

磁控濺射鍍膜中出現(xiàn)膜層不良的表現(xiàn)有哪些,如何改善? 1.脫膜主要表現(xiàn):點狀/片狀膜層脫落 原因分析:雜質附著,清洗殘留,真空室臟,臟污、油斑、灰點、口水點, 膜層局部附著不良等。 改善:加強清洗,加強烘烤,環(huán)境管控(清潔干燥),對于多層膜系,底層須與基材匹配(吸附力、硬度、熱膨脹)。 2.裂紋/暴膜主要表現(xiàn): 網(wǎng)狀裂痕/龜裂/起泡脫膜,出爐外觀OK,放置一段時間后爆裂/起泡脫膜。 原因分析:鍍膜過程基材加熱不充分,成膜后及出爐后降溫過快,膜層應力累積, 膜層與基材不匹配,多層膜之間參數(shù)不匹配。 改善: 基材充分預熱加熱;增加離子輔助,減小應力;鍍膜緩慢降溫;底層須與基材匹配;多層膜之間參數(shù)不突變。 3,色差主要表現(xiàn):同爐產品顏色不一致 原因分析及改善:靶材分布;布氣;磁場;遮擋。靶材固體中的雜質和氣孔中的氧氣和水氣是沉積薄膜的主要污染源。

    濺射靶材,主要應用于IC制造的沉積PVD工藝,是表面電子薄膜制備的關鍵材料。由于工藝方法是,利用離子源的離子在真空中加速聚集,形成高速離子束流轟擊固體表面,固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面形成沉積薄膜,因此被轟擊的固體原材料,就稱為濺射靶材。濺射靶材普遍用于芯片、面板、太陽能電池制造,分為金屬靶、陶瓷靶和合金靶。芯片制造中,對金屬靶材和合金靶材所用的金屬純度的要求極高,通常要求達到5N5到6N以上,面板要達到5N,太陽能電池分別要達到4N5。問題就出在這里。我國有色金屬資源豐富,產量也不低。但因為金屬提純工藝技術和設備落后,長期以來,濺射靶材和超高純度金屬基材主要被美日壟斷,比如霍尼韋爾、日礦金屬、東曹、普萊克斯、住友化學、愛發(fā)科,海德魯、三菱材料等。其中日礦金屬全球市占約30%;霍尼韋爾約20%,東曹20%,普萊克斯10%。國內靶材企業(yè)的超高純度金屬基材基本上都是進口的,價格昂貴。比如超高純度電解銅,價格可以達到40萬人民幣/噸。 如果化合物的生成速率大于化合物被剝離的速率,化合物覆蓋面積增加。合肥氧化鈷靶哪家好

七.濺射靶材的制備方法有哪些?鎮(zhèn)江氧化銅靶作用

什么是DLC薄膜?類金剛石薄膜通常又被人們稱為DLC薄膜,是英文詞匯DiamondLikeCarbon的簡稱,它是一類性質近似于金剛石,具有高硬度,高電阻率。良好光學性能等,同時又具有自身獨特摩擦學特性的非晶碳薄膜。碳元素因碳原子和碳原子之間的不同結合方式,從而使其終產生不同的物質:金剛石(diamond)—碳碳以sp3鍵的形式結合;石墨(graphite)—碳碳以sp2鍵的形式結合。而類金剛石(DLC)—碳碳則是以sp3和sp2鍵的形式結合,生成的無定形碳的一種亞穩(wěn)定形態(tài),它沒有嚴格的定義,可以包括很寬性質范圍的非晶碳,因此兼具了金剛石和石墨的優(yōu)良特性;所以由類金剛石而來的DLC膜同樣是一種亞穩(wěn)態(tài)長程無序的非晶材料,碳原子間的鍵合方式是共價鍵,主要包含sp2和sp3兩種雜化鍵,而在含氫的DLC膜中還存在一定數(shù)量的C-H鍵。鎮(zhèn)江氧化銅靶作用

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