20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測(cè)方法1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流...
其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和迅速開關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽(yáng)能電池組或發(fā)光二極管??旎謴?fù)二極管:有,35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間很快變換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電...
其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和迅速開關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來制作太陽(yáng)能電池組或發(fā)光二極管。快恢復(fù)二極管:有,35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間很快變換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電...
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測(cè)方法1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流...
2020-03-29220v防水開關(guān)電源的價(jià)錢要多少220v防水開關(guān)電源的價(jià)錢要273元,輸出電流:10(A)A,輸入電壓:單相160-250(V)V輸出電壓:單相220V與110(V)V,輸出功率:2000(W)W,工作溫度:-10℃40℃嗎,頻率范圍:50HZ60HZHZ。2020-03-29問問大家24v防水led燈怎么樣24v防水led燈還是停優(yōu)異的:①新型綠色環(huán)保光源:LED利用冷光源,眩光小,無輻射,使用中不產(chǎn)生危害物質(zhì)。LED的工作電壓低,使用直流驅(qū)動(dòng)方法,低功耗(),電光功率轉(zhuǎn)換相近100%,在相同照明功效下比傳統(tǒng)光源節(jié)能80%以上。LED的環(huán)保效用更佳,光譜中并未紫外...
[1]碳化硅肖特基二極管碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀碳化硅器件的出現(xiàn)的改善了半導(dǎo)體器件的性能,滿足國(guó)民經(jīng)濟(jì)和建設(shè)的需要,目前,美國(guó)、德國(guó)、瑞典、日本等發(fā)達(dá)國(guó)家正競(jìng)相投入巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開始支持碳化硅功率器件的研究,在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作)已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系...
肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似,由于兩者費(fèi)米能級(jí)不同,金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場(chǎng)。在外加電壓為零時(shí),載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與反向的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,這時(shí)金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同,電荷越過金屬/半導(dǎo)體界面遷移,...
肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航悼梢缘椭?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。在通訊電源、變頻器等中比較常見。供參考。電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也...
公司生產(chǎn)的快恢復(fù)二極管被應(yīng)用于電動(dòng)自行車充電器、車載逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、冷焊機(jī)、電機(jī)控制、汽車音響、氙氣燈安定器、開關(guān)電源、電動(dòng)車控制器、脈沖火花機(jī)等產(chǎn)品中,質(zhì)量穩(wěn)定,交貨及時(shí),服務(wù)到位,性價(jià)比高。并且可以為客戶定制產(chǎn)品LOGO,產(chǎn)品型號(hào)豐富,常用的有MUR860、MUR1060、MUR1560、MUR1540、MUR1660CT、MUR1640CT、MUR2040CT、MUR2060CT、MUR3060CT、MURF3040CT、MURF2060CT、MURF2040CT、MURF1660CT、MURF1640CT、MURB1560等;封裝種類齊全,常用的有TO220A...
接著將插柱7向下穿過插接孔42并插入到卡接槽51內(nèi),當(dāng)插柱7插入到插接孔42內(nèi)的過程中,由于插接孔42的內(nèi)孔大小限位,限位塊74是插接孔42限制并被擠壓入滑槽71內(nèi)的,此時(shí)彈簧73處于壓縮形變狀態(tài),當(dāng)插柱7插入到卡接槽51內(nèi)時(shí),此時(shí)限位塊74已經(jīng)和限位槽53對(duì)準(zhǔn),彈簧73向左釋放回彈力,帶動(dòng)滑塊72沿著滑槽71向左滑動(dòng),帶動(dòng)限位塊74向左卡入到限位槽53內(nèi),同理,下端的插柱7同樣對(duì)稱式操作,即可快速的將半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4套接在二極管本體2的外壁面上,此時(shí)二極管本體2會(huì)受到兩側(cè)穩(wěn)定桿6的穩(wěn)定支撐,避免焊接在線路板本體1上的二極管本體2產(chǎn)生晃動(dòng),進(jìn)而避免了焊腳的焊接位置松動(dòng),提高了...
肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別,它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場(chǎng)消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓(陽(yáng)極金屬接電源正極,N型基片接電源負(fù)極)時(shí),肖特基勢(shì)壘層變窄,其內(nèi)阻變??;反之,若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí),肖特基勢(shì)壘層則變寬,其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝(貼片式)兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和...
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測(cè)方法1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流...
DO-201ADMBR340、MBR3100:(3A/40V),DO-201AD軸向MBR735、MBR745:TO-220AC(兩腳),7AMBRB735、MBRB745:貼片、TO-263(D2PAK),7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC(兩腳),10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB(三腳半塑封),10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,(三腳全塑封),10A(第4位字母F為全塑封)MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB(三腳),15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-220A...
整流二極管一種將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟娔艿陌雽?dǎo)體器件。一般而言它涵蓋一個(gè)PN結(jié),有陽(yáng)極和陰極兩個(gè)端子。二極管舉足輕重的屬性就是單方向?qū)щ娦?。在電路中,電流只能從二極管的陽(yáng)極注入,陰極流出。整流二極管是運(yùn)用PN結(jié)的單向?qū)щ妼傩裕呀涣麟娮優(yōu)槊}動(dòng)直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)使用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示,另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個(gè)外,還有整流電流,是指整流二極管長(zhǎng)時(shí)間的工作所容許通過的電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選擇用整流二極管的主要依據(jù)。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)定名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(Sc...
6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮法,區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時(shí),則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用S...
TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30100CT30A,100V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30150CT30A,150V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR30200CT30A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045PT30A,45V,TO-247TO-3PMBR3060PT30A,60V,TO-247TO-3PMBR3...
是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1.性能特點(diǎn)1)反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是:電流通過零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?,因此正向電流快速下降,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過反向電流IR,并且IR慢慢增大;在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,反向電流慢慢減少,并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t...
肖特基二極管在開關(guān)電源中發(fā)揮著十分重要的作用,它可以擴(kuò)大交流電轉(zhuǎn)化為直流電的范圍,提高開關(guān)電源的效率,還可以節(jié)省成本,增加使用壽命。除了在常規(guī)的電子設(shè)備中應(yīng)用之外,肖特基二極管在開關(guān)電源中也發(fā)揮著非常重要的作用。在開關(guān)電源中,肖特基二極管可以將輸入的交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源,然后進(jìn)行穩(wěn)壓和濾波。這樣可以降低開關(guān)電源信噪比,提高電源性能。
另外,在開關(guān)電源中肖特基二極管還可以作為反向極的保護(hù)元件。在電源輸出端口處,通常需要一個(gè)大功率的保護(hù)二極管,以保護(hù)電源負(fù)載在短路或過載的情況下不會(huì)受到損壞。而肖特基二極管因其快速響應(yīng)和低反向漏電流的特性,是很合適的保護(hù)元件之一。在選...
4H-SiC的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)為MV/cm,這要高出Si和GaAs一個(gè)數(shù)量級(jí),所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率;大的熱導(dǎo)率,熱導(dǎo)率是Si的倍和GaAs的10倍,熱導(dǎo)率大,器件的導(dǎo)熱性能就好,集成電路的集成度就可以提高,但散熱系統(tǒng)卻減少了,進(jìn)而整機(jī)的體積也減小了;高的飽和電子漂移速度和低的介電常數(shù)能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)中每個(gè)原子都被四個(gè)異種原子包圍,雖然Si-C原子結(jié)合為共價(jià)鍵,但硅原子的負(fù)電性小于負(fù)電性為的C原子,根據(jù)Pauling公式,離子鍵合作用貢獻(xiàn)約占12%,從而對(duì)載流子遷移率有一定的影響,據(jù)目前已發(fā)表的數(shù)據(jù),各種碳...
由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低)。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象,制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。[1]此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上,反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值,在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定,穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的,因?yàn)檫@種特性,穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起...
肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似,由于兩者費(fèi)米能級(jí)不同,金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場(chǎng)。在外加電壓為零時(shí),載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與反向的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,這時(shí)金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同,電荷越過金屬/半導(dǎo)體界面遷移,...
6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮法,區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);當(dāng)外加反向偏壓時(shí),則會(huì)產(chǎn)生過渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生,所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用S...
所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然,金屬A中并未空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不停從B散播到A,B表面電子濃度日益減低,表面電中性被毀壞,于是就形成勢(shì)壘,其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)功用之下,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的抵消,便形成了肖特基勢(shì)壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基(Schottky)二極管是一種快回復(fù)二極管,它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特色為反向回復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔?..
所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然,金屬A中并未空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不停從B散播到A,B表面電子濃度日益減低,表面電中性被毀壞,于是就形成勢(shì)壘,其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)功用之下,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的抵消,便形成了肖特基勢(shì)壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基(Schottky)二極管是一種快回復(fù)二極管,它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特色為反向回復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔?..
肖特基二極管在開關(guān)電源中發(fā)揮著十分重要的作用,它可以擴(kuò)大交流電轉(zhuǎn)化為直流電的范圍,提高開關(guān)電源的效率,還可以節(jié)省成本,增加使用壽命。除了在常規(guī)的電子設(shè)備中應(yīng)用之外,肖特基二極管在開關(guān)電源中也發(fā)揮著非常重要的作用。在開關(guān)電源中,肖特基二極管可以將輸入的交流電源轉(zhuǎn)換為直流電源,然后進(jìn)行穩(wěn)壓和濾波。這樣可以降低開關(guān)電源信噪比,提高電源性能。
另外,在開關(guān)電源中肖特基二極管還可以作為反向極的保護(hù)元件。在電源輸出端口處,通常需要一個(gè)大功率的保護(hù)二極管,以保護(hù)電源負(fù)載在短路或過載的情況下不會(huì)受到損壞。而肖特基二極管因其快速響應(yīng)和低反向漏電流的特性,是很合適的保護(hù)元件之一。在選...
DO-201ADMBR340、MBR3100:(3A/40V),DO-201AD軸向MBR735、MBR745:TO-220AC(兩腳),7AMBRB735、MBRB745:貼片、TO-263(D2PAK),7AMBR1045、MBR1060:TO-220AC(兩腳),10AMBR1045CT、MBR10100CT:TO-220AB(三腳半塑封),10AMBRF1045CT、MBRF10100CT:TO-220F,(三腳全塑封),10A(第4位字母F為全塑封)MBR1535CT、MBR1545CT:TO-220AB(三腳),15AMBR2045CT、MBR20200CT:TO-220A...
肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?,可用于整流?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復(fù)速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電,將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的恢復(fù)速度快,可以用在高頻場(chǎng)合,故開關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,盡管如此,開關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的??旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超...
肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類似,由于兩者費(fèi)米能級(jí)不同,金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場(chǎng)。在外加電壓為零時(shí),載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與反向的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,這時(shí)金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同,電荷越過金屬/半導(dǎo)體界面遷移,...
進(jìn)而避免了焊腳的焊接位置松動(dòng),提高了焊接在線路板本體1上的二極管本體2的穩(wěn)定性,另外,上述設(shè)置的橫向滑動(dòng)導(dǎo)向式半環(huán)套管快速卡接結(jié)構(gòu)以及兩側(cè)的穩(wěn)定桿6,它們的材質(zhì)均選用塑料材質(zhì)制成,整體輕便并且絕緣。請(qǐng)參閱圖2,柱帽8上設(shè)置有扣槽81,手指扣入扣槽81,可以方便的將插柱7拔出。請(qǐng)參閱圖1和圖3,半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4的內(nèi)管壁面設(shè)置有緩沖墊9,半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4的管壁上設(shè)置有氣孔10,氣孔10數(shù)量為多個(gè)并貫通半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4的管壁以及緩沖墊9,每一個(gè)氣孔10的內(nèi)孔直徑大小約為2mm左右,保證通氣即可,緩沖墊9為常用硅橡膠材質(zhì)膠墊,在對(duì)二極管本體2的外壁面進(jìn)行穩(wěn)定套接時(shí)...
肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航悼梢缘椭?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。在通訊電源、變頻器等中比較常見。供參考。電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也...