企業(yè)商機(jī)-***公司
  • 上海肖特基二極管MBRB20200CT
    上海肖特基二極管MBRB20200CT

    肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiod...

    2024-07-18
  • 快恢復(fù)二極管SF168CTD
    快恢復(fù)二極管SF168CTD

    繼電器線圈可以儲存能量的(線圈會阻止電流的突變,即電流只能慢慢增大和減少),如果一下使線圈斷電,它兩端就會產(chǎn)生很大的電壓,這樣就可能使線圈損壞、相連接的元器件擊穿。這時,我們只要在線圈兩端接上快恢復(fù)二極管,便可以使它產(chǎn)生一個回路(斷電時相當(dāng)于在線圈兩端接...

    2024-07-18
  • TO263封裝的肖特基二極管MBR3060PT
    TO263封裝的肖特基二極管MBR3060PT

    所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插槽,插塊和插槽插接,所述半環(huán)套管和第二半環(huán)套管的插塊插接位置設(shè)置有插柱。所述插塊上設(shè)置有卡接槽,所述卡接槽的內(nèi)壁面上設(shè)置有阻尼墊,所述第二半環(huán)套管上設(shè)置有插接孔,所述插柱穿過插接孔與卡接槽插接,所述插柱上設(shè)置有滑槽,滑槽內(nèi)滑動連接有滑...

    2024-07-18
  • 四川快恢復(fù)二極管MUR3060CA
    四川快恢復(fù)二極管MUR3060CA

    我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時,主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端...

    2024-07-17
  • TO247封裝的肖特基二極管MBR40100PT
    TO247封裝的肖特基二極管MBR40100PT

    一是來自肖特基勢壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大...

    2024-07-17
  • TO247封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660
    TO247封裝的快恢復(fù)二極管MURB1660

    二極管的軟度可以獲取更進(jìn)一步操縱。圖3SONIC軟恢復(fù)二極管的壽命控制該二極管回復(fù)波形異常的平滑從未振蕩,所以電磁擾亂EMI值十分低。這種軟恢復(fù)二極管不僅引致開關(guān)損失縮減,而且容許除去二極管的并聯(lián)RC緩沖器。使用軸向壽命抑制因素可以取得較佳性能的二極管。...

    2024-07-17
  • 上海肖特基二極管MBRF20100CT
    上海肖特基二極管MBRF20100CT

    2.反向漏電流:肖特基二極管的逆向漏電流相對較小,這意味著即使在較高的反向電壓下,也能夠保持較低的能量損耗。這對于要求低功耗和高效率的應(yīng)用非常重要。3.制造工藝:肖特基二極管的制造工藝與普通PN結(jié)二極管不同,需要使用特殊材料(通常為金屬)與半導(dǎo)體材料相接觸。這...

    2024-07-16
  • 陜西ITO220封裝的肖特基二極管
    陜西ITO220封裝的肖特基二極管

    肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱"可變電抗二極管",是利用pN結(jié)反偏時結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大,變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小,其值為幾十皮法到幾百皮...

    2024-07-16
  • 四川肖特基二極管MBR3045PT
    四川肖特基二極管MBR3045PT

    一是來自肖特基勢壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大...

    2024-07-16
  • 浙江TO220F封裝的肖特基二極管
    浙江TO220F封裝的肖特基二極管

    在高溫下能夠穩(wěn)定的工作,它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報道的幾種結(jié)構(gòu):UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET,以及SIAFET等。2008年報道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS,具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2...

    2024-07-16
  • 天津快恢復(fù)二極管MURB1660
    天津快恢復(fù)二極管MURB1660

    提高散熱效用。在本實(shí)施例中,所述金屬材質(zhì)為貼片或者銅片中的一種,所述封裝外殼3的表面涂覆有絕緣涂層8,所述絕緣涂層8包括電隔離層9和粘合層10,所述粘合層10涂覆在封裝外殼3的外表面,所述電隔離層9涂覆在所述粘合層10的外表面,所述電隔離層9為pfa塑料...

    2024-07-15
  • TO220封裝的肖特基二極管MBRB30200CT
    TO220封裝的肖特基二極管MBRB30200CT

    這就是二極管導(dǎo)通時的狀態(tài),我們也可稱它為開關(guān)的“導(dǎo)通”狀態(tài)。這是一個簡單的電路,通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導(dǎo)通狀態(tài)。從而實(shí)現(xiàn)對交流信號的控制。在實(shí)用的過程中,通常是保證一邊的電平不變,而調(diào)節(jié)另一方的電平高低,從而實(shí)現(xiàn)控制二極管的導(dǎo)通與否。在射...

    2024-07-15
  • TO263封裝的肖特基二極管MBR30150CT
    TO263封裝的肖特基二極管MBR30150CT

    由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度,故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低)。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管,英文名稱Zenerdiode,又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài),其...

    2024-07-15
  • 江蘇快恢復(fù)二極管MURB1660CT
    江蘇快恢復(fù)二極管MURB1660CT

    其型號為MFST),由于這種模塊與使用3~5平常整流二極管相比之下具反向回復(fù)時間(trr)短,反向回復(fù)峰值電流(IRM)小和反向回復(fù)電荷(Qrr)低的FRED,因而使變頻的噪聲減低,從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容大小減少,價位下滑,使變頻器更...

    2024-07-15
  • 湖北快恢復(fù)二極管MURB1660
    湖北快恢復(fù)二極管MURB1660

    二極管質(zhì)量的好壞取決于芯片工藝。目前,行業(yè)內(nèi)使用的二極管芯片工藝主要有兩種:玻璃鈍化(GPP)和酸洗(OJ)。二極管的GPP工藝結(jié)構(gòu),其芯片P-N結(jié)是在鈍化玻璃的保護(hù)之下。玻璃是將玻璃粉采用800度左右的燒結(jié)熔化,冷卻后形成玻璃層。這玻璃層和芯片熔為一體,無法...

    2024-07-15
  • 山東肖特基二極管MBR3045PT
    山東肖特基二極管MBR3045PT

    肖特基二極管的特性和應(yīng)用是一個非常而且復(fù)雜的話題,這里總結(jié)了一些關(guān)鍵的特性和應(yīng)用方面。除了上述提到的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用外,肖特基二極管還在一些特殊的應(yīng)用領(lǐng)域有著獨(dú)特的作用,例如:1.太陽能電池:肖特基二極管被應(yīng)用于太陽能電池中,用于防止夜間或云層遮擋導(dǎo)致的逆向電流損耗...

    2024-07-15
  • 廣東肖特基二極管MBRF30200CT
    廣東肖特基二極管MBRF30200CT

    這就是二極管導(dǎo)通時的狀態(tài),我們也可稱它為開關(guān)的“導(dǎo)通”狀態(tài)。這是一個簡單的電路,通過直流偏置的狀態(tài)來調(diào)節(jié)肖特基二極管的導(dǎo)通狀態(tài)。從而實(shí)現(xiàn)對交流信號的控制。在實(shí)用的過程中,通常是保證一邊的電平不變,而調(diào)節(jié)另一方的電平高低,從而實(shí)現(xiàn)控制二極管的導(dǎo)通與否。在射...

    2024-07-14
  • TO263封裝的肖特基二極管MBR3045CT
    TO263封裝的肖特基二極管MBR3045CT

    肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)...

    2024-07-14
  • 重慶肖特基二極管MBR3045CT
    重慶肖特基二極管MBR3045CT

    肖特基二極管是通過金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiod...

    2024-07-14
  • 浙江快恢復(fù)二極管MUR1060CTR
    浙江快恢復(fù)二極管MUR1060CTR

    FRED的其主要反向關(guān)斷屬性參數(shù)為:反向回復(fù)時trr=ta+tb(ta一少數(shù)載流子在存儲時間,tb一少數(shù)載流子復(fù)合時間);反向回復(fù)峰值電流IRM;反向回復(fù)電荷Qrr=l/2trr×IRM以及表示器件反向回復(fù)曲線軟度的軟度因子S=tb/ta。而FRED的正...

    2024-07-14
  • 廣東肖特基二極管MBR10100CT
    廣東肖特基二極管MBR10100CT

    在高溫下能夠穩(wěn)定的工作,它在功率器件領(lǐng)域很有應(yīng)用前景。目前國際上報道的幾種結(jié)構(gòu):UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET,以及SIAFET等。2008年報道的雙RESURF結(jié)構(gòu)LDMOS,具有1550V阻斷電壓.[1]碳化硅肖特基二極管2...

    2024-07-14
  • 安徽快恢復(fù)二極管MUR1660CT
    安徽快恢復(fù)二極管MUR1660CT

    我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時,主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計(jì)中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端...

    2024-07-14
  • 湖北肖特基二極管MBR40100PT
    湖北肖特基二極管MBR40100PT

    在整流橋的每個工作周期內(nèi),同一時間只有兩個肖特基二極管進(jìn)行工作,通過肖特基二極管的單向?qū)üδ?,把交流電轉(zhuǎn)換成單向的直流脈動電壓。2、肖特基二極管的作用及其接法-開關(guān)肖特基二極管在正向電壓作用下電阻很小,處于導(dǎo)通狀態(tài),相當(dāng)于一只接通的開關(guān);在反向電壓作用...

    2024-07-14
  • 安徽肖特基二極管MBR1060CT
    安徽肖特基二極管MBR1060CT

    肖特基(Schottky)二極管又稱肖特基勢壘二極管(簡稱SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航悼梢缘椭痢F涠嘤米鞲哳l、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等肖特基(...

    2024-07-14
  • 快恢復(fù)二極管MUR1660CTR
    快恢復(fù)二極管MUR1660CTR

    這一圈套起到了一定的限制效用,使電子不易抽走,而與空穴在此復(fù)合,從而延長了反向恢復(fù)時間中tb這一段,提高了迅速二極管的軟度因子S。3.快速軟恢復(fù)二極管模塊通態(tài)特點(diǎn)顯示,在額定電流下正向電壓降不受溫度影響,從而使它更適用于并聯(lián)工作。在125℃時的動態(tài)損耗比...

    2024-07-14
  • 重慶肖特基二極管MBRF20100CT
    重慶肖特基二極管MBRF20100CT

    它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型...

    2024-07-14
  • 安徽肖特基二極管MBR4045PT
    安徽肖特基二極管MBR4045PT

    它的內(nèi)部是由陽極金屬(用鉬或鋁等材料制成的阻擋層)、二氧化硅(SiO2)電場消除材料、N-外延層(砷材料)、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成,如圖4-44所示。在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極,N型...

    2024-07-13
  • 安徽肖特基二極管MBR3045CT
    安徽肖特基二極管MBR3045CT

    此外,肖特基二極管還具有較高的溫度穩(wěn)定性和較小的溫度漂移。這使得它們在高溫環(huán)境下能夠更好地工作,并且在溫度變化下的性能變化更小。肖特基二極管通常具有較高的擊穿電壓,這使得它們在高電壓應(yīng)用中非常有用,如電源管理和電壓調(diào)整電路。需要注意的是,肖特基二極管的選擇應(yīng)根...

    2024-07-13
  • TO220封裝的肖特基二極管MBRB20200CT
    TO220封裝的肖特基二極管MBRB20200CT

    在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場化的碳化硅電力電子器件。美國Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作)已經(jīng)用在美國空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功...

    2024-07-13
  • 湖北肖特基二極管MBR40200PT
    湖北肖特基二極管MBR40200PT

    二極管本體2為具有溝槽式的常用肖特基二極管,其會焊接在線路板本體1,以及設(shè)置在線路板本體1上的二極管本體2和穩(wěn)定桿6,穩(wěn)定桿6的數(shù)量為兩個并以二極管本體2的豎向中軸線為中心左右對稱設(shè)置,二極管本體2的外壁套設(shè)有半環(huán)套管3和第二半環(huán)套管4,半環(huán)套管3和第二...

    2024-07-13
1 2 ... 6 7 8 9 10 11 12 ... 40 41