導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從...

又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器的作用熔體的額定電流為：?jiǎn)闻_(tái)電動(dòng)機(jī)INP=（）INM（1-6）式中，INP為熔體額定電流（A）；INM為電動(dòng)機(jī)額定電流（A）。多臺(tái)電動(dòng)機(jī)共用一個(gè)熔斷器的作用保護(hù)INP=（）INMmax+∑INM（1-7...

白熾燈和節(jié)能燈在使用一段時(shí)間之后都會(huì)產(chǎn)生熱量，這個(gè)熱量正好是蟲(chóng)子喜歡的，就容易吸引蟲(chóng)子過(guò)來(lái)。這無(wú)疑會(huì)對(duì)燈表面帶來(lái)很多的污染物，而且，蟲(chóng)子的排泄物還會(huì)使得室內(nèi)變得很臟。但是，LED燈是冷光源，不會(huì)吸引蟲(chóng)子過(guò)來(lái)的，這樣，就不會(huì)產(chǎn)生蟲(chóng)子的排泄物。所以說(shuō)，...

早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可...

那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向，它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此，從電路功能上可以把它等效成圖3(c)，也就是說(shuō)，一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來(lái)等效的。這也正...

熔絲座及斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，半導(dǎo)體熔斷器，中高壓熔斷器，高速熔斷器，通訊保護(hù)產(chǎn)品，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)熔斷器，熔斷器附件、顯示器、工具包，熔斷器技術(shù)，功率磁性元器件，超級(jí)電容，接線(xiàn)盒，車(chē)用熔斷器和斷路器。如同人們會(huì)出現(xiàn)過(guò)度勞累一樣，電氣和電子系統(tǒng)也會(huì)出現(xiàn)電路過(guò)載的情...

阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機(jī)行掃描電路作阻尼和升壓整流用。阻尼二極管多用于黑白或彩色電視機(jī)行掃描電路中的阻尼、整流電路里，可以是硅二極管或鍺二極管。它具有類(lèi)似高頻高壓整流二極管的特性。它的反...

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中得到了越來(lái)越的應(yīng)用，在較高頻率的大、率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。IGBT的等效電路如圖1所示。由圖1可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通...

導(dǎo)通電壓UD約為。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千...

所產(chǎn)生的聲光被瓷盒擋住。管式熔斷器的熔體裝在熔斷體內(nèi)。然后插在支座或直接連在電路上使用。熔斷體是兩端套有金屬帽或帶有觸刀的完全密封的絕緣管。這種熔斷器的絕緣管內(nèi)若充以石英砂，則分?jǐn)嚯娏鲿r(shí)具有限流作用，可提高分?jǐn)嗄芰?故又稱(chēng)作高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥?。若管?nèi)...

熔斷器的選型1．RL6、RL7、RL96、RL52系列螺旋式熔斷器本系列熔斷器適用于交流45—621-Iz、電壓在500V及以下的電路，作過(guò)載和短路保護(hù)用。其中Riff、RL7、RL96系列熔斷器用于電纜和線(xiàn)路保護(hù)，RLS2系列快速熔斷器則用于半導(dǎo)...

晶閘管等元件通過(guò)整流來(lái)實(shí)現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，...

TO-220ABTO-220F全塑封MBR20200CT20A,200V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3045CT30A,45V,TO-220ABTO-220F全塑封MBR3060CT30A,60V,TO-220ABTO-220F全塑...

MOS管和IGBT管作為開(kāi)關(guān)元件，在電子電路中會(huì)經(jīng)常出現(xiàn)，它們?cè)谕庑渭疤匦詤?shù)上也比較相似，相信有不少人會(huì)疑惑為什么有的電路中需要用到MOS管，而有的卻需要用到IGBT管？它們之間有何區(qū)別呢？接下來(lái)冠華偉業(yè)為你解惑！何為MOS管？MOS管即MOSF...

也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性要好。當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開(kāi)與關(guān)功能。開(kāi)關(guān)二極管就...

晶閘管集成智能模塊使用簡(jiǎn)介1、晶閘管智能模塊的應(yīng)用領(lǐng)域該智能模塊廣泛應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合，如工業(yè)、通訊、等各類(lèi)電氣控制、電源等，根據(jù)還可通過(guò)模塊的控制端口與多...

其額定電流為50~1000A用于交流380V及以下、短路電流較大的電力輸配電系統(tǒng)中，作為線(xiàn)路及電氣設(shè)備的短路保護(hù)及過(guò)載保護(hù)，主要用于短路電流大的電路或有易燃?xì)怏w的場(chǎng)所。圖二有填料管式熔斷器三、無(wú)填料管式熔斷器RM有哪些特性?無(wú)填料管式熔斷器的熔絲管...

并在檢測(cè)電阻40上得到檢測(cè)信號(hào)。因此，這種將檢測(cè)電阻40通過(guò)引線(xiàn)直接與主工作區(qū)的源區(qū)金屬相接，可以避免主工作區(qū)的工作電流接地電壓對(duì)測(cè)試的影響。但是，這種方式得到的檢測(cè)電流曲線(xiàn)與工作電流曲線(xiàn)并不對(duì)應(yīng)，如圖4所示，得到的檢測(cè)電流與工作電流的比例關(guān)系不固...

一、螺旋式熔斷器有哪些特性？旋式熔斷器的熔斷管內(nèi)裝有石類(lèi)砂，熔體理于其中，熔體熔斷時(shí)，電弧噴向石英砂及其縫隙可迅速降溫而熄滅。為了便于監(jiān)視，斷器一端裝有色點(diǎn)，不同的顏色表不同的體電流，體斷時(shí)，色點(diǎn)跳出，示意縮體已斷，其額定電流為5~200A，主要用...

能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，...

熔絲座及斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，半導(dǎo)體熔斷器，中高壓熔斷器，高速熔斷器，通訊保護(hù)產(chǎn)品，國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)熔斷器，熔斷器附件、顯示器、工具包，熔斷器技術(shù)，功率磁性元器件，超級(jí)電容，接線(xiàn)盒，車(chē)用熔斷器和斷路器。如同人們會(huì)出現(xiàn)過(guò)度勞累一樣，電氣和電子系統(tǒng)也會(huì)出現(xiàn)電路過(guò)載的情...

幾安到幾十安），主要用于把交流電變換成直流電的“整流”電路中。平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過(guò)較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開(kāi)關(guān)、脈沖及高頻電路中。[1]二極管原理發(fā)光二極管編輯發(fā)光二極管也是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成，具有單向?qū)щ娦浴５?..

也是一個(gè)PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，不同之處是要求這種二極管的開(kāi)關(guān)特性要好。當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上正向電壓時(shí)，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的通態(tài)；當(dāng)給開(kāi)關(guān)二極管加上反向電壓時(shí)，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的斷態(tài)。二極管的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)完成開(kāi)與關(guān)功能。開(kāi)關(guān)二極管就...

在電路中作為限幅元件，可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、肖特基二極管的作用及其接法-續(xù)流肖特基二極管并聯(lián)在線(xiàn)兩端,當(dāng)流過(guò)線(xiàn)圈中的電流消失時(shí),線(xiàn)圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管和線(xiàn)圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉.從而保護(hù)了電路中的其它原件的安全.續(xù)流二極管在...

而它的負(fù)極通過(guò)R2與地線(xiàn)相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導(dǎo)通狀態(tài)。理解二極管導(dǎo)通的要點(diǎn)是：正極上電壓高于負(fù)極上電壓。2）利用二極管導(dǎo)通后有一個(gè)，因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達(dá)到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒(méi)有必要通過(guò)串...

沒(méi)有高到讓外接的二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導(dǎo)通，其導(dǎo)通后的內(nèi)阻很小，這樣會(huì)將集成電路A1的①腳輸出的交流信號(hào)分流到地，對(duì)信號(hào)造成衰減，顯然這一電路中不需要對(duì)信號(hào)進(jìn)行這樣的衰減，...

少數(shù)載流子）對(duì)N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號(hào)或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。由此可知，IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與MOSFET基...

④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)...

國(guó)內(nèi)型號(hào)為RTl6系列)熔斷器是我國(guó)引進(jìn)德國(guó)AEG公司制造技術(shù)生產(chǎn)的一種高分?jǐn)嗄芰θ蹟嗥?，適用于交流45-62Hz、電壓至660V的電力網(wǎng)絡(luò)和配電裝置作過(guò)載和短路用。它具有體積小、重量輕、功耗小，分?jǐn)嗄芰Ω叩奶攸c(diǎn)。NT系列熔斷器技術(shù)數(shù)據(jù)見(jiàn)表1-51...

正向阻斷峰值電壓UDRM是指晶閘管正向阻斷時(shí)所允許重復(fù)施加的正向的峰值，反向峰值電壓URRM是指允許重復(fù)加在晶閘管兩端的反向電壓的峰值。使用中電路施加在品閘管上的電壓必須小于UDRM與URRM并留有一定余量，以免造成擊穿損壞。(3)觸發(fā)電壓和電流控...