通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流。晶閘管晶體閘流管（英語(yǔ)：Thyristor），簡(jiǎn)稱晶閘管，指的是具有四層交錯(cuò)P、N層的半導(dǎo)體裝置。早出現(xiàn)與主要的一種是硅控整流器（SiliconControlledRe...

其整流出的三個(gè)電壓半波在時(shí)間上依次相差120度疊加，整流輸出波形不過(guò)0點(diǎn)，并且在一個(gè)周期中有三個(gè)寬度為120度的整流半波。因此它的濾波電容器的容量可以比單相半波整流和單相全波整流時(shí)的電容量都小。關(guān)鍵字：整流電路二極管晶閘管整流電路的工作原理，整流電...

Schottky）二極管的大特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下，它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全考慮。肖特基二極管的作用及其接法肖特基二極管的作用及其接法,肖特基二極管肖特基（...

IGBT功率模塊如何選擇？在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前，小編先帶著大家了解下什么是IGBT？IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor)，所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管，可以簡(jiǎn)單理解...

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓I...

發(fā)光二極管是一種符合綠色照明要求的光源。目前，發(fā)光二極管在很多領(lǐng)域得到普遍應(yīng)用，下面介紹幾點(diǎn)其主要應(yīng)用：（1）電子用品中的應(yīng)用發(fā)光二極管在電子用品中一般用作屏背光源或作顯示、照明應(yīng)用。從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等...

不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。測(cè)試二極管的好壞初學(xué)者在業(yè)余條件下可以使用萬(wàn)用表測(cè)試二極管性...

當(dāng)時(shí)沒(méi)注意，板子回來(lái)后發(fā)現(xiàn)上面敷銅除了為，很多地方地不通了，由于是射頻的板子，所以就徹底廢了。5月2號(hào)投了一個(gè)板子，沒(méi)有加急。算一下四天應(yīng)該時(shí)間來(lái)的及，沒(méi)算清楚，竟然到現(xiàn)在5月7號(hào)，還沒(méi)有發(fā)貨，還在表面處理。電話問(wèn)了客服，竟然說(shuō)還發(fā)布出來(lái)。急......

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6]（2）汽車以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機(jī)械中得到廣應(yīng)用。汽車以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)...

輸出電壓與輸入電壓比值很?。┫螺敵龅碾娏鞣逯岛艽?，但電流的有效值很小（直流儀表一般顯示平均值，交流儀表顯示非正弦電流時(shí)比實(shí)際值?。禽敵鲭娏鞯挠行е岛艽?，半導(dǎo)體器件的發(fā)熱與有效值的平方成正比，會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。因此，模塊應(yīng)選擇在大導(dǎo)通角...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過(guò)某一...

用兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻，均應(yīng)為較小阻值，如圖4-60所示。用兩表筆測(cè)量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻，均應(yīng)為無(wú)窮大，如圖4-61所示。檢測(cè)雙向晶閘管導(dǎo)通特性時(shí)，萬(wàn)用表仍置于“RX1Ω”擋，黑表筆接主電極T1，紅表筆接...

MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻。總的來(lái)說(shuō)，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率...

1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅(qū)即已被介紹到世間。這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成)，其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS(雙擴(kuò)散形成的金屬-...

南京工業(yè)大學(xué)與浙江大學(xué)團(tuán)隊(duì)合作報(bào)道了外量子效率為，為當(dāng)時(shí)的高紀(jì)錄，也是國(guó)內(nèi)在此領(lǐng)域的首篇論文。隨后，北京理工大學(xué)和南京理工大學(xué)相繼報(bào)道了基于量子點(diǎn)的鈣鈦礦LED。2016年，南京工業(yè)大學(xué)采用具有多量子阱結(jié)構(gòu)的鈣鈦礦實(shí)現(xiàn)了外量子效率突破10%的近紅外...

供電質(zhì)量好，傳輸損耗小，效率高，節(jié)約能源，可靠性高，容易組成N＋1冗余供電系統(tǒng)，擴(kuò)展功率也相對(duì)比較容易。所以采用分布式供電系統(tǒng)可以滿足高可靠性設(shè)備的要求。、單端反激式、雙管正激式、雙單端正激式、雙正激式、推挽式、半橋、全橋等八種拓?fù)?。單端正激式、?..

又保證電動(dòng)機(jī)正常起動(dòng)，對(duì)籠型感應(yīng)電動(dòng)機(jī)其熔斷器的作用熔體的額定電流為：?jiǎn)闻_(tái)電動(dòng)機(jī)INP=（）INM（1-6）式中，INP為熔體額定電流（A）；INM為電動(dòng)機(jī)額定電流（A）。多臺(tái)電動(dòng)機(jī)共用一個(gè)熔斷器的作用保護(hù)INP=（）INMmax+∑INM（1-7...

肖特基，肖特基二極管，肖特基模塊一、知識(shí)點(diǎn)肖特基SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬－半導(dǎo)體結(jié)原理...

空穴收集區(qū)8可以處于與第1發(fā)射極單元金屬2隔離的任何位置，特別的，在終端保護(hù)區(qū)域的p+場(chǎng)限環(huán)也可以成為空穴收集區(qū)8，本發(fā)明實(shí)施例對(duì)此不作限制說(shuō)明。因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的igbt芯片在電流檢測(cè)過(guò)程中，通過(guò)檢測(cè)電阻上產(chǎn)生的電壓，得到工作區(qū)域的電流大小...

在電路中作為限幅元件，可以把信號(hào)幅度限制在一定范圍內(nèi)。4、肖特基二極管的作用及其接法-續(xù)流肖特基二極管并聯(lián)在線兩端,當(dāng)流過(guò)線圈中的電流消失時(shí),線圈產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)通過(guò)二極管和線圈構(gòu)成的回路做功而消耗掉.從而保護(hù)了電路中的其它原件的安全.續(xù)流二極管在...

PT)技術(shù)會(huì)有比較高的載流子注入系數(shù)，而由于它要求對(duì)少數(shù)載流子壽命進(jìn)行控制致使其輸運(yùn)效率變壞。另一方面，非穿通(NPT)技術(shù)則是基于不對(duì)少子壽命進(jìn)行殺傷而有很好的輸運(yùn)效率，不過(guò)其載流子注入系數(shù)卻比較低。進(jìn)而言之，非穿通(NPT)技術(shù)又被軟穿通(LP...

二極管是電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常用的電子元器件之一，二極管的種類有很多，應(yīng)用在不同的場(chǎng)景中，它們的作用你都吃透了嗎？首先感謝大家的關(guān)注、轉(zhuǎn)發(fā)、評(píng)論和點(diǎn)選，謝謝大家！下面給大家深入的挖掘一下各種類型二極管的作用和典型應(yīng)用，讓大家在以后的設(shè)計(jì)中能正常的選用二極...

往往只考慮網(wǎng)絡(luò)大短路電流值與設(shè)備上限斷流容量相匹配，而忽略小短路電流與下眼開(kāi)斷容量的關(guān)系。實(shí)際運(yùn)行上的某些熔斷器事故，恰恰是由于熔斷器的下限開(kāi)斷值偏高不能有效地滅弧造成的。考慮到高壓熔斷器作為變壓器的主保護(hù)(包括變壓器低壓套管至低壓熔斷器一段連線)...

具有門極輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)功率小、電流關(guān)斷能力強(qiáng)、開(kāi)關(guān)速度快、開(kāi)關(guān)損耗小等優(yōu)點(diǎn)。隨著下游應(yīng)用發(fā)展越來(lái)越快，MOSFET的電流能力顯然已經(jīng)不能滿足市場(chǎng)需求。為了在保留MOSFET優(yōu)點(diǎn)的前提下降低器件的導(dǎo)通電阻，人們?cè)?jīng)嘗試通過(guò)提高M(jìn)OSFET襯底的摻雜...

即信號(hào)幅度沒(méi)有大到讓限幅電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路不工作。2）信號(hào)幅度比較大時(shí)的電路工作狀態(tài)，即信號(hào)幅度大到讓限幅度電路動(dòng)作的程度，這時(shí)限幅電路工作，將信號(hào)幅度進(jìn)行限制。用畫(huà)出信號(hào)波形的方法分析電路工作原理有時(shí)相當(dāng)管用，用于分析限幅電路尤其有效，...

往往只考慮網(wǎng)絡(luò)大短路電流值與設(shè)備上限斷流容量相匹配，而忽略小短路電流與下眼開(kāi)斷容量的關(guān)系。實(shí)際運(yùn)行上的某些熔斷器事故，恰恰是由于熔斷器的下限開(kāi)斷值偏高不能有效地滅弧造成的?？紤]到高壓熔斷器作為變壓器的主保護(hù)(包括變壓器低壓套管至低壓熔斷器一段連線)...

二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件[1]。它具有單向?qū)щ娦阅?，即給二極管陽(yáng)極和陰極加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽(yáng)極和陰極加上反向電壓時(shí)，二極管截止。因此，二極管的導(dǎo)通和截止，則相當(dāng)于開(kāi)關(guān)的接通與斷開(kāi)[2]。二極管是早誕生的半...

正向?qū)щ姡聪虿粚?dǎo)電）晶體二極管是一個(gè)由p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成了空間電荷層，并且建有自建電場(chǎng)，當(dāng)不存在外加電壓時(shí)，因?yàn)閜-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)產(chǎn)生正向電...

電路中電流增加很快，燈泡發(fā)光。隨著電流增大，二極管VD兩端電壓維持在0．6～0．7V之間不再增加。由此可見(jiàn)，在正向偏置情況下，二極管表現(xiàn)出不同電壓下具有不同的電阻值。為了準(zhǔn)確描述這個(gè)物理現(xiàn)象，可以記錄每個(gè)電壓下對(duì)應(yīng)的電流，從而描繪成曲線，可得到圖(...

全橋）和三相半波整流橋（半橋）兩種。選擇整流橋要考慮整流電路和工作電壓。對(duì)輸出電壓要求高的整流電路需要裝電容器，對(duì)輸出電壓要求不高的整流電路的電容器可裝可不裝。根據(jù)三相交流電的頻率每一周期變化為上關(guān)鍵字：整流電路二極管晶閘管雙電壓整流電路設(shè)計(jì)，IG...