企業(yè)商機(jī)-深圳市硅宇電子有限公司
  • MCP130-300DI/TO
    MCP130-300DI/TO

    與集成電路熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層;以及與第二熱接口材料層熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器,所述散熱器具有越過印刷電路板的與連接側(cè)相對(duì)的側(cè)延伸的頂表面。在處,將兩個(gè)印刷電路裝配件相對(duì)地放置在一起,使得所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器的頂表面與...

    2024-07-16
  • ACS780LLRTR
    ACS780LLRTR

    A3955SLB是一款高性能、低成本的雙H橋驅(qū)動(dòng)器芯片,主要用于直流電機(jī)控制應(yīng)用。該芯片采用了雙H橋結(jié)構(gòu),能夠控制兩個(gè)直流電機(jī)的轉(zhuǎn)速和方向,同時(shí)還具有過流保護(hù)、欠壓鎖定、過溫保護(hù)等多種保護(hù)功能。A3955SLB芯片的工作電壓范圍為4.5V至30V,輸出電流為2...

    2024-07-16
  • A3983SLPT
    A3983SLPT

    ACS724LMATR-65AB-T是來自TexasInstruments的汽車級(jí)65A雙向終端調(diào)節(jié)器。該調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)用于管理電池和電源之間的負(fù)載平衡,以保護(hù)電池并提高系統(tǒng)效率。它具有雙向控制功能,可以在電池充電和放電期間進(jìn)行調(diào)節(jié)。通過集成溫度保護(hù)和過流保護(hù),該...

    2024-07-16
  • LS052A-AX
    LS052A-AX

    FCBGA封裝使得輸入輸出信號(hào)陣列(稱為I/O區(qū)域)分布在整個(gè)芯片的表面,而不是限制于芯片的。如今的市場,封裝也已經(jīng)是出來的一環(huán),封裝的技術(shù)也會(huì)影響到產(chǎn)品的質(zhì)量及良率。[1]集成電路芯片封裝概述播報(bào)編輯封裝概念狹義:利用膜技術(shù)及微細(xì)加工技術(shù),將芯片及其...

    2024-07-15
  • SN74LS260DR2
    SN74LS260DR2

    由北京有色金屬研究總院半導(dǎo)體材料**工程研究中心承擔(dān)的我國條8英寸硅單晶拋光生產(chǎn)線建成投產(chǎn)。1999年,上海華虹NEC的條8英寸生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)。[5]2000-2011年發(fā)展加速期2000年,中芯**在上海成立,18號(hào)文件加大對(duì)集成電路的扶持力度。...

    2024-07-15
  • 0910CF15B0100E
    0910CF15B0100E

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、測試等幾個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復(fù)雜。首先是芯片設(shè)計(jì),根據(jù)設(shè)計(jì)的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純...

    2024-07-14
  • DS90C031TM
    DS90C031TM

    這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了,而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。摻加雜質(zhì)將晶圓中植入離子,生成相應(yīng)的P、N類半導(dǎo)體。具體工藝是從硅片上暴露的區(qū)域開始,放入化學(xué)離子混合液中。這一工藝將改變攙...

    2024-07-14
  • ACS710KLATR-25CB-NL-T
    ACS710KLATR-25CB-NL-T

    A3213ELHLT-T是來自O(shè)NSemiconductor公司的汽車級(jí)3.5mm間距四通道繼電器。該繼電器采用鍍金觸點(diǎn)設(shè)計(jì),具有低接觸電阻和低磁飽和的特點(diǎn)。它具有長壽命和耐惡劣環(huán)境的性能,可以在汽車環(huán)境中的長期使用。該繼電器采用SO-8和鷗翼型封裝,可以直接...

    2024-07-14
  • PT4205E89E-AZ
    PT4205E89E-AZ

    存儲(chǔ)器產(chǎn)線建設(shè)開啟;全球AI芯片獨(dú)角獸初創(chuàng)公司成立;華為發(fā)布全球款人工智能芯片麒麟970。2018年,紫光量產(chǎn)32層3DNAND(零突破)。2019年,華為旗下海思發(fā)布全球5GSoC芯片海思麒麟990,采用了全球**的7納米工藝;64層3DNAND閃存...

    2024-07-13
  • UDN2987LWTR-6-T
    UDN2987LWTR-6-T

    ACS712ELCTR-20A-T是電流感應(yīng)放大器,它具有低成本、低功耗、高精度和寬工作電壓范圍等特點(diǎn),適用于各種應(yīng)用,如電機(jī)控制器、電池保護(hù)、電源管理、過流保護(hù)等。該器件采用小巧的SOT-23-5封裝,內(nèi)置精確的運(yùn)算放大器和低阻抗的電流檢測電阻,可實(shí)現(xiàn)高精度...

    2024-07-13
  • STPS340S
    STPS340S

    [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設(shè)計(jì)、晶片制作、封裝制作、測試等幾個(gè)環(huán)節(jié),其中晶片制作過程尤為的復(fù)雜。首先是芯片設(shè)計(jì),根據(jù)設(shè)計(jì)的需求,生成的“圖樣”芯片的原料晶圓晶圓的成分是硅,硅是由石英沙所精練出來的,晶圓便是硅元素加以純化(),接著是將這些純...

    2024-07-13
  • DS14C238WMX
    DS14C238WMX

    由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司,主要承擔(dān)“909”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。1998年,華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定,開始了**大陸的Foundry時(shí)代。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHE...

    2024-07-12
  • FQD19N10LTM
    FQD19N10LTM

    生產(chǎn)的成本越低,但對(duì)工藝就要求的越高。晶圓涂膜晶圓涂膜能抵抗氧化以及耐溫能力,其材料為光阻的一種。晶圓光刻顯影、蝕刻光刻工藝的基本流程如圖1[2]所示。首先是在晶圓(或襯底)表面涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機(jī)里面。光線透過一個(gè)掩模把掩...

    2024-07-12
  • ACS773ECB-200B-PFF-T
    ACS773ECB-200B-PFF-T

    ACS724LMATR-20AB-T是來自TexasInstruments的低功耗、模擬電流檢測放大器。該器件采用小巧的SOT-23封裝,具有高精度的電流檢測能力,適合用于電池管理、電源保護(hù)和其他應(yīng)用中的電流檢測。它具有軌到軌輸出,可以輕松地與微控制器或其他數(shù)...

    2024-07-12
  • IRFU9024
    IRFU9024

    目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?;碾娮釉骷?jīng)銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同,公司工程技術(shù)力量強(qiáng)大,可為客戶設(shè)計(jì)指導(dǎo)方案開發(fā)。制造商面臨使用更好幾何學(xué)的尖銳挑戰(zhàn)。這個(gè)過程和在未來幾年所期望的進(jìn)步,在半導(dǎo)體**技術(shù)路線圖中有很好的描述。在其開...

    2024-07-12
  • MSP430F4371IPZR
    MSP430F4371IPZR

    電壓診斷出現(xiàn)較早且運(yùn)用較廣。電壓測試的觀測信息是被測電路的邏輯輸出值。此方法通過對(duì)電路輸入不同的測試向量得到對(duì)應(yīng)電路的邏輯輸出值,然后將采集的電路邏輯輸出值與該輸入向量對(duì)應(yīng)的電路預(yù)期邏輯輸出值進(jìn)行對(duì)比,來達(dá)到檢測電路在實(shí)際運(yùn)行環(huán)境中能否實(shí)現(xiàn)預(yù)期邏輯功能...

    2024-07-12
  • 74LVC14A
    74LVC14A

    總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業(yè)的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī);在該領(lǐng)域已經(jīng)營多年,資源豐富,目前已發(fā)展成為一家專業(yè)化、規(guī)?;碾娮釉骷?jīng)銷商,且得到廠商的大力支持與新老客戶的認(rèn)同,...

    2024-07-12
  • NCP2809ADMR2G
    NCP2809ADMR2G

    圖a是雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件在其裝配狀態(tài)下的圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件的分解圖在圖b中示出。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件包括印刷電路板,印刷電路板上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以示出)。印刷電路板一般是雙側(cè)的,集成電路安裝在印刷電路板的兩側(cè)上。熱接口材料...

    2024-07-11
  • DP83848IVVX/NOPB
    DP83848IVVX/NOPB

    由上海華虹集團(tuán)與日本NEC公司合資組建上海華虹NEC電子有限公司,主要承擔(dān)“909”主體工程超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目建設(shè)。1998年,華晶與上華合作生產(chǎn)MOS圓片合約簽定,開始了**大陸的Foundry時(shí)代。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHE...

    2024-07-11
  • PMBTA13
    PMBTA13

    第二層次:將數(shù)個(gè)第-層次完成的封裝與其他電子元器件組成--個(gè)電路卡的工藝。深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專...

    2024-07-11
  • PCV1J100MCL1GS
    PCV1J100MCL1GS

    深圳市硅宇電子有限公司(SHENZHENGUIYUELECTRONICSCO.,LTD)成立于2000年,總部位于深圳福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座,2002年成立北京分公司,是專業(yè)的IC供貨商(只做原裝),其中有8位單片機(jī)、32位單片機(jī);在該領(lǐng)域已經(jīng)營...

    2024-07-11
  • ACS712ELCTR-20A-T
    ACS712ELCTR-20A-T

    ACS37002LMABTR-066B5是的線性穩(wěn)壓器,它具有低功耗、高精度、低噪聲的特點(diǎn),適用于各種應(yīng)用,如USB電源適配器、可充電電池、開關(guān)電源等。該器件采用小巧的SOT-23-5封裝,具有高度集成的內(nèi)置電路,包括誤差放大器、大功率場效應(yīng)管(MOSFET)...

    2024-07-11
  • A4970GLBTR-T
    A4970GLBTR-T

    ACS724LMATR-20AB-T是來自TexasInstruments的低功耗、模擬電流檢測放大器。該器件采用小巧的SOT-23封裝,具有高精度的電流檢測能力,適合用于電池管理、電源保護(hù)和其他應(yīng)用中的電流檢測。它具有軌到軌輸出,可以輕松地與微控制器或其他數(shù)...

    2024-07-11
  • A4949GLJTR-6-T
    A4949GLJTR-6-T

    A4986SLPTR-T是步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,它采用纖薄封裝,具有高效率、低功耗、低噪聲和低成本等特點(diǎn),適用于各種步進(jìn)電機(jī)應(yīng)用,如打印機(jī)、掃描儀、攝像頭等。該器件內(nèi)置高性能的步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器集成電路,可驅(qū)動(dòng)高達(dá)35V的步進(jìn)電機(jī),并具有內(nèi)置的過熱保護(hù)和電流限制功能,可...

    2024-07-11
  • UDN2916LBT
    UDN2916LBT

    UDN2916LBT是一款高性能、低功耗的8通道Darlington陣列驅(qū)動(dòng)芯片。該芯片采用CMOS技術(shù),具有高電壓和電流能力,可用于驅(qū)動(dòng)各種負(fù)載,如LED、繼電器、電機(jī)等。UDN2916LBT具有內(nèi)部限流電路,可保護(hù)輸出器件免受過流和過熱的損害。UDN291...

    2024-07-11
  • A1120LLHLT-T
    A1120LLHLT-T

    ACS724LMATR-50AU-T是一款高精度、低功耗、電流傳感器芯片。該芯片采用了銅箔電流感應(yīng)技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)高達(dá)50A的電流測量范圍,并且具有非常高的精度和穩(wěn)定性。該芯片還具有內(nèi)置的過壓保護(hù)和短路保護(hù)功能,能夠有效保護(hù)系統(tǒng)免受電流過載和短路等異常情況的影響...

    2024-07-10
  • LM2576HVT-12
    LM2576HVT-12

    圖是帶有已安裝在印刷電路板插座中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件的圖。參考回圖,每個(gè)冷卻管的端部耦聯(lián)至輸入分流管a,并且每個(gè)冷卻管的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管b。在操作中,冷卻液體通過輸入分流管a進(jìn)入各冷卻管,并且被加熱的液...

    2024-07-10
  • AP2204RA-5.0TRG1
    AP2204RA-5.0TRG1

    所述雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件中的一個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件標(biāo)記為。特別地,每個(gè)雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件的連接側(cè)布置在印刷電路板插座中的一個(gè)印刷電路板插座中。當(dāng)所述兩個(gè)印刷電路裝配件a和b相對(duì)地放置在一起,如圖b中所示出的那樣。所述印刷電路裝配件中的每個(gè)印刷...

    2024-07-10
  • 505152-1500
    505152-1500

    SIP:單列式封裝SQP:小型化封裝MCP:金屬罐式封裝DIP:雙列式封裝CSP:芯片尺寸封裝QFP:四邊扁平封裝PGA:點(diǎn)陣式封裝BGA:球柵陣列式封裝LCCC:無引線陶瓷芯片載體原理播報(bào)編輯芯片是一種集成電路,由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的...

    2024-07-10
  • ICS251PMLF
    ICS251PMLF

    盡管元素周期表的一些III-V價(jià)化合物如砷化鎵應(yīng)用于特殊用途如:發(fā)光二極管、激光、太陽能電池和高速集成電路,單晶硅成為集成電路主流的基層。創(chuàng)造無缺陷晶體的方法用去了數(shù)十年的時(shí)間。半導(dǎo)體集成電路工藝,包括以下步驟,并重復(fù)使用:光刻刻蝕薄膜(化學(xué)氣相沉積或...

    2024-07-10
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