利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知，當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。（2）常規(guī)檢測方法在業(yè)余條件下，利用萬用表能檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實(shí)例：測量一只C90-02超快恢復(fù)二極管，其主要參數(shù)為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為Ω，n′=；反向電阻...

在開關(guān)電源中，二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率，開關(guān)電源中的整流電路可以分為一次整流電路（低頻整流）和二次整流電路（高頻整流）。其中，一次整流電路指的是對市電交流電（頻率為50Hz或60Hz）進(jìn)行整流，二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進(jìn)行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向?qū)щ娦园呀涣麟娮兂蓡蜗蛎}動(dòng)直流電，但是它們對二極管參數(shù)的要求的側(cè)重點(diǎn)不同。一次整流電路選擇二極管時(shí)主要考慮功率損耗和反向阻斷能力，也就是二極管參數(shù)中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時(shí)除考慮正向壓降UF、反向電...

在開關(guān)電源中，二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率，開關(guān)電源中的整流電路可以分為一次整流電路（低頻整流）和二次整流電路（高頻整流）。其中，一次整流電路指的是對市電交流電（頻率為50Hz或60Hz）進(jìn)行整流，二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進(jìn)行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向?qū)щ娦园呀涣麟娮兂蓡蜗蛎}動(dòng)直流電，但是它們對二極管參數(shù)的要求的側(cè)重點(diǎn)不同。一次整流電路選擇二極管時(shí)主要考慮功率損耗和反向阻斷能力，也就是二極管參數(shù)中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時(shí)除考慮正向壓降UF、反向電...

快恢復(fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu)，有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管（），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長，后者則在100ns(納秒)以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢壘為基礎(chǔ)的二極管，簡稱肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode），具有正向壓降低（）、反向恢復(fù)時(shí)間很短（2-10ns納秒），而且反向漏電流較大，耐壓低，一般低于150V，多用于低電壓場合。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別：前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一...

在開關(guān)電源中，二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率，開關(guān)電源中的整流電路可以分為一次整流電路（低頻整流）和二次整流電路（高頻整流）。其中，一次整流電路指的是對市電交流電（頻率為50Hz或60Hz）進(jìn)行整流，二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進(jìn)行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向?qū)щ娦园呀涣麟娮兂蓡蜗蛎}動(dòng)直流電，但是它們對二極管參數(shù)的要求的側(cè)重點(diǎn)不同。一次整流電路選擇二極管時(shí)主要考慮功率損耗和反向阻斷能力，也就是二極管參數(shù)中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時(shí)除考慮正向壓降UF、反向電...

對充電限流電阻進(jìn)行短接的開關(guān)，目前一般都采用機(jī)械接觸器，但由于環(huán)境的影響，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下，往往會(huì)使觸頭損壞，另外接觸器接通和斷開時(shí)產(chǎn)生電弧，致使接觸器壽命縮短而損壞，從而嚴(yán)重影響變頻器的穩(wěn)定可靠工作。為了解決上述存在的問題，常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管，采用晶閘管替代機(jī)械接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”，這種模塊用于變頻器后，能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作穩(wěn)定可靠。本公司生產(chǎn)的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)的主要參數(shù)見表1。4結(jié)束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發(fā)成功的“三相整...

空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)...

[4]二極管大整流電流大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時(shí)，允許通過的大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因?yàn)殡娏魍ㄟ^管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管大整流電流值。[4]二極管高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰Α榱吮ＷC使用安全，規(guī)定了高反向工作電壓值。[4]二極管檢測方法編輯二極管小功率晶體二極管1.判別正、負(fù)電極（1）觀察外殼上的符號(hào)標(biāo)記。通常在二極管的外殼上標(biāo)有二極管的符號(hào)，帶有三角形箭頭...

外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[1]二極管原理應(yīng)用編輯1.整流整流二極管主要用于整流電路，即把交流電變換成脈動(dòng)的直流電。整流二極管都是面結(jié)型，因此結(jié)電容較大，使其工作頻率較低，一般為3kHZ以下。2.開關(guān)二極管在正向電壓作用下電阻很小，處于導(dǎo)通狀態(tài)，相當(dāng)于一只接通的開關(guān)；在反向電壓作用下，電阻很大，處于截止?fàn)顟B(tài)，如同一只斷開的開關(guān)。利用二極管的開關(guān)特...

在選用IGBT模塊前，應(yīng)詳細(xì)閱讀模塊參數(shù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)；根據(jù)模塊的各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定使用方案，汁算通態(tài)損耗和開關(guān)損耗，選擇相匹配的散熱器及驅(qū)動(dòng)電路。應(yīng)用中不能超過數(shù)據(jù)表中所列的大額定值，工作頻率愈高，工作電流愈?。换诳煽啃缘脑?，必須考慮安全系數(shù)。不同廠家生產(chǎn)的模塊由于其設(shè)計(jì)和工藝的不同，其產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)會(huì)有很大的差別，因此，在選用時(shí)需要特別注意以下幾點(diǎn)。1.絕緣材料的選取由于不同絕緣材料的熱導(dǎo)率有很大的差別，其價(jià)格也相差很大，因此，導(dǎo)致不同廠家生產(chǎn)的同一外形結(jié)構(gòu)的模塊，其實(shí)際允許通過的電流容量存在很大的差異。2.芯片的選取為了保證模塊達(dá)到額定電流的容量，首先要保證芯片的通...

這種接法就相當(dāng)于給予萬用表串接上了，使檢測電壓增加至3V(發(fā)光二極管的開啟電壓為2V)。檢測時(shí)，用萬用表兩表筆輪換接觸發(fā)光二極管的兩管腳。若管子性能良好，必定有一次能正常發(fā)光，此時(shí)，黑表筆所接的為正極紅表筆所接的為負(fù)極。[8]二極管紅外發(fā)光二極管1.判別紅外發(fā)光二極管的正、負(fù)電極。紅外發(fā)光二極管有兩個(gè)引腳，通常長引腳為正極，短引腳為負(fù)極。因紅外發(fā)光二極管呈透明狀，所以管殼內(nèi)的電極清晰可見，內(nèi)部電極較寬較大的一個(gè)為負(fù)極，而較窄且小的一個(gè)為正極。[8]2.先測量紅個(gè)發(fā)光二極管的正、反向電阻，通常正向電阻應(yīng)在30k左右，反向電阻要在500k以上，這樣的管子才可正常使用。[8]二極管紅外接收二...

其半導(dǎo)體材料采用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管?？旎謴?fù)二極管：有，35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間迅速轉(zhuǎn)換，提高了器件的使用頻率并改善了波形?？旎謴?fù)二極管在制造工藝上采用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要應(yīng)用在逆變電源...

各種二極管的區(qū)別TVS管：TVS管超過它的耐壓值后，會(huì)瞬間導(dǎo)通短路，反應(yīng)速度在ns級，而穩(wěn)壓管是穩(wěn)壓作用的，超過它的穩(wěn)壓值，只要功率不超過它的耐受值，就會(huì)穩(wěn)定在它的穩(wěn)壓值范圍內(nèi)。TVS是瞬態(tài)抑制二極管，主要是用來抑制瞬時(shí)電壓尖峰，減少尖峰電壓對元器件的損耗。雙向擊穿二極管也稱瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS），是一種具有雙向穩(wěn)壓特性和雙向負(fù)阻特性的過壓保護(hù)器件，類似于壓敏電阻器。它應(yīng)用于各種交流及直流電源電路中，用來抑制瞬間過電壓。當(dāng)被保護(hù)電路瞬間出現(xiàn)浪涌脈沖電壓時(shí)，雙向擊穿二極管能迅速齊納擊穿，由高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，對浪涌電壓進(jìn)行分流和箝位，從而保護(hù)電路中各元件不被瞬間浪涌脈沖電壓損壞。...

一、什么是快恢復(fù)二極管快恢復(fù)二極管通常用于較高頻率的整流和續(xù)流的產(chǎn)品。一般用于電源模塊的輸入部份，頻率不高，不必用快恢復(fù)二極管，用普通二極管即可。相對二極管來說，加在其兩端的電壓由正向變到反向時(shí)，響應(yīng)時(shí)間一般很短，而相反的由反向變正向時(shí)其時(shí)間相對較長，此即為反向恢復(fù)時(shí)間，當(dāng)二極管用做高頻整流等時(shí)，要求反向恢復(fù)時(shí)間很短，此時(shí)就需要快恢復(fù)二極管（FRD），更高的超快恢復(fù)二極管（SRD），開關(guān)二極管，快的是肖特基管（其原理不同于以上幾個(gè)二極管）。二、快恢復(fù)二極管特性快恢復(fù)二極管（簡稱FRD）是一種具有開關(guān)特性好、反向恢復(fù)時(shí)間短特點(diǎn)的半導(dǎo)體二極管，主要應(yīng)用于開關(guān)電源、PWM脈寬調(diào)制器、變頻器等...

空穴為少數(shù)載流子。[6]因此，在本征半導(dǎo)體的兩個(gè)不同區(qū)域摻入三價(jià)和PN結(jié)五價(jià)雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。[6]二極管PN結(jié)單向?qū)щ娦栽赑N結(jié)外加正向電壓V，在這個(gè)外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都要PN結(jié)移動(dòng)，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負(fù)離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)進(jìn)一步增強(qiáng)，漂移運(yùn)動(dòng)減弱。當(dāng)外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當(dāng)于一個(gè)...

在開關(guān)電源中，二極管的主要作用是整流。按照整流電路中交流電的頻率，開關(guān)電源中的整流電路可以分為一次整流電路（低頻整流）和二次整流電路（高頻整流）。其中，一次整流電路指的是對市電交流電（頻率為50Hz或60Hz）進(jìn)行整流，二次整流電路指的是對高頻交流電(頻率為幾十kHz到幾百kHz甚至更高)進(jìn)行整流。一次整流電路和二次整流電路的原理都是利用二極管的單向?qū)щ娦园呀涣麟娮兂蓡蜗蛎}動(dòng)直流電，但是它們對二極管參數(shù)的要求的側(cè)重點(diǎn)不同。一次整流電路選擇二極管時(shí)主要考慮功率損耗和反向阻斷能力，也就是二極管參數(shù)中的正向壓降UF、反向電流IR要盡可能的小。二次整流電路選擇二極管時(shí)除考慮正向壓降UF、反向電...

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。[4]一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。[4]二極管擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。[5]反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜...

近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號(hào)為MFST)，由于這種模塊與采用3～5普通整流二極管相比具有反向恢復(fù)時(shí)間(trr)短，反向恢復(fù)峰值電流(IRM)小和反向恢復(fù)電荷(Qrr)低的FRED，因而使變頻的噪音降低，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容尺寸減小，價(jià)格下降，使變頻器更易符合國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。1模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方式如圖1所示。圖中VD1～VD6為六個(gè)FRED芯片，相互聯(lián)成三相整...

對充電限流電阻進(jìn)行短接的開關(guān)，目前一般都采用機(jī)械接觸器，但由于環(huán)境的影響，特別是在濕度大或帶粉塵的環(huán)境下，往往會(huì)使觸頭損壞，另外接觸器接通和斷開時(shí)產(chǎn)生電弧，致使接觸器壽命縮短而損壞，從而嚴(yán)重影響變頻器的穩(wěn)定可靠工作。為了解決上述存在的問題，常州瑞華電力電子器件有限公司采用FRED替代普通整流二極管，采用晶閘管替代機(jī)械接觸器，制成如圖1所示的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”，這種模塊用于變頻器后，能使變頻器性能提高、體積縮小、重量減輕、工作穩(wěn)定可靠。本公司生產(chǎn)的“三相FRED整流橋開關(guān)模塊”(型號(hào)為MFST)的主要參數(shù)見表1。4結(jié)束語2006年常州瑞華電力電子器件有限公司研發(fā)成功的“三相整...

近期又開發(fā)出了“三相超快恢復(fù)分公司極管整流橋開關(guān)模塊”(其型號(hào)為MFST)，由于這種模塊與采用3～5普通整流二極管相比具有反向恢復(fù)時(shí)間(trr)短，反向恢復(fù)峰值電流(IRM)小和反向恢復(fù)電荷(Qrr)低的FRED，因而使變頻的噪音降低，從而使變頻器的EMI濾波電路內(nèi)的電感和電容尺寸減小，價(jià)格下降，使變頻器更易符合國內(nèi)外抗電磁干擾(EMI)標(biāo)準(zhǔn)。1模塊的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)FRED整流橋開關(guān)模塊是由六個(gè)超快恢復(fù)二極管芯片和一個(gè)大功率高壓晶閘管芯片按一定電路連成后共同封裝在一個(gè)PPS(加有40％玻璃纖維)外殼內(nèi)制成，模塊內(nèi)部的電聯(lián)接方式如圖1所示。圖中VD1～VD6為六個(gè)FRED芯片，相互聯(lián)成三相整...

在選用IGBT模塊前，應(yīng)詳細(xì)閱讀模塊參數(shù)表，了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)；根據(jù)模塊的各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)確定使用方案，汁算通態(tài)損耗和開關(guān)損耗，選擇相匹配的散熱器及驅(qū)動(dòng)電路。應(yīng)用中不能超過數(shù)據(jù)表中所列的大額定值，工作頻率愈高，工作電流愈?。换诳煽啃缘脑?，必須考慮安全系數(shù)。不同廠家生產(chǎn)的模塊由于其設(shè)計(jì)和工藝的不同，其產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)會(huì)有很大的差別，因此，在選用時(shí)需要特別注意以下幾點(diǎn)。1.絕緣材料的選取由于不同絕緣材料的熱導(dǎo)率有很大的差別，其價(jià)格也相差很大，因此，導(dǎo)致不同廠家生產(chǎn)的同一外形結(jié)構(gòu)的模塊，其實(shí)際允許通過的電流容量存在很大的差異。2.芯片的選取為了保證模塊達(dá)到額定電流的容量，首先要保證芯片的通...

能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機(jī)電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計(jì)算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發(fā)觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對稱性的二端半導(dǎo)體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅；在電路中作過壓保護(hù)等用途。[1]二極管原理類型編輯二極管種類有很多，按照所用的半導(dǎo)體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管...

模塊化結(jié)構(gòu)提高了產(chǎn)品的密集性、2d228d66-1f57-4754-a977-a1b和可靠性，同時(shí)也可降低裝置的生產(chǎn)成本，縮短新產(chǎn)品進(jìn)入市場的周期，提高企業(yè)的市場競爭力。由于電路的聯(lián)線已在模塊內(nèi)部完成，因此，縮短了元器件之間的連線，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)化布線和對稱性結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，使裝置線路的寄生電感和電容參數(shù)降低，有利于實(shí)現(xiàn)裝置的高頻化。此外，模塊化結(jié)構(gòu)與同容量分立器件結(jié)構(gòu)相比，還具有體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、外接線簡單、便于維護(hù)和安裝等優(yōu)點(diǎn)，因而縮小了裝置的何種，降低裝置的重量和成本，且模塊的主電極端子、控制端子和輔助端子與銅底板之間具有2．5kV以上有效值的絕緣耐壓，使之能與裝置內(nèi)各種模塊共同安...

利用電子示波器觀察到的trr值，即是從I=0的時(shí)刻到IR=Irr時(shí)刻所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr，有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM()由式()可知，當(dāng)IRM為一定時(shí)，反向恢復(fù)電荷愈小，反向恢復(fù)時(shí)間就愈短。（2）常規(guī)檢測方法在業(yè)余條件下，利用萬用表能檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦?，以及?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表，還能測量反向擊穿電壓。實(shí)例：測量一只C90-02超快恢復(fù)二極管，其主要參數(shù)為：trr=35ns，Id=5A，IFSM=50A，VRM=700V。外型同圖(a)。將500型萬用表撥至R×1檔，讀出正向電阻為Ω，n′=；反向電阻...

使其trr可低至幾十納秒。20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復(fù)二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管（單管）的外形及內(nèi)部結(jié)構(gòu)。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型（共陰對管）、MUR1680A型（共陽對管）超快恢復(fù)二極管的外形與構(gòu)造。它們均采用TO-220塑料封裝，主要技術(shù)指標(biāo)見表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。更大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。2．檢測方法1）測量反向恢復(fù)時(shí)間...

由于肖特基勢壘高度低于PN結(jié)勢壘高度，故其正向?qū)ㄩT限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低（約低）。肖特基二極管是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件，不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問題。穩(wěn)壓二極管，英文名稱Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。［1］此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起...

是極有發(fā)展前途的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的定義是：電流通過零點(diǎn)由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時(shí)間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標(biāo)。反向恢復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為比較大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時(shí)刻達(dá)到比較大反向恢復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時(shí)刻達(dá)到規(guī)定值...