常用電阻特性優(yōu)缺點比較近二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進步在減小設(shè)備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。在這些器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護、熱電動勢(EMF)、電阻熱系數(shù)(TCR)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。盡管升級每個組件或子系統(tǒng)可以提...

薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會在低壓直流應(yīng)用幾小時內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變薄膜厚度會嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。厚膜電阻如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低，厚膜電阻得到使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。厚膜電阻依靠玻璃基體...

使引線電阻不隨溫度變化而引入的引線電阻誤差的影響減小很多。三線制鉑熱電阻，在二次儀表中，均有可變阻值的電橋，根據(jù)所配合的鉑熱電阻的量程不同，可以對二次儀表的電橋中的鉑熱電阻進行微調(diào)，能進行更精確的測量。熱電阻溫度計分度新方法：工業(yè)鉑電阻溫度計是一種被使用的測溫儀器。長期以來，國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范中普遍采用CVD方程的計算方法對其進行檢定分度。但采用CVD方程檢定分度的工業(yè)鉑電阻溫度計準(zhǔn)確度不高、穩(wěn)定性低、不確定度較大，無法作為傳遞標(biāo)準(zhǔn)使用。為此，多數(shù)工業(yè)測溫領(lǐng)域或要求不高的實驗室只能采用精度較高的標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計作為溯源傳遞標(biāo)準(zhǔn)，但實際工業(yè)測溫領(lǐng)域由于各種條件限制，標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計無法使用...

無論機械應(yīng)力還是熱應(yīng)力）會造成電阻電氣參數(shù)改變。當(dāng)形狀、長度、幾何結(jié)構(gòu)、配置或模塊化結(jié)構(gòu)受機械或其他方面因素影響發(fā)生變化時，電氣參數(shù)也會發(fā)生變化，這種變化可用基本方程式來表示：R=ρL/A，式中R=電阻值，以歐姆為單位，ρ=材料電阻率，以歐姆米為單位，L=電阻元件長度，以米為單位，A=電阻元件截面積，以平方米為單位。電流通過電阻元件時產(chǎn)生熱量，熱反應(yīng)會使器件的每種材料發(fā)生膨脹或收縮機械變化。環(huán)境溫度條件也會產(chǎn)生同樣的結(jié)果。因此，理想的電阻元件應(yīng)能夠根據(jù)這些自然現(xiàn)象進行自我平衡，在電阻加工過程中保持物理一致性，使用過程中不必進行熱效應(yīng)或應(yīng)力效應(yīng)補償，從而提高系統(tǒng)穩(wěn)定性。精密線繞電阻線繞電阻一般分...

而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導(dǎo)體相接觸時，因為他們的電子密度不同所以產(chǎn)生一定的電子擴散，當(dāng)他們達(dá)到一定的平衡后所形成的電勢，接觸電勢的大小取決于兩種不同導(dǎo)體的材料性質(zhì)以及他們接觸點的溫度。目前國際上應(yīng)用的熱電偶具有一個標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，國際上規(guī)定熱電偶分為八個不同的分度，分別為B，R，S，K，N，E，J和T，其測量溫度的低可測零下270℃，高可達(dá)1800℃，其中B，R，S屬于鉑系列的熱電偶，由于鉑屬于貴重金屬，所以他們又被稱為貴金屬熱電偶而剩下的幾個則稱為廉價金屬熱電偶。熱電偶的結(jié)構(gòu)有兩種，普通型和鎧裝型。普通性熱電偶一般由熱電極，絕緣管，保護套管和接線盒等部分組成，而鎧裝型熱電偶則是將熱電偶絲...

這時在中低溫度時，一般使用熱電阻測溫范圍為一200~~500，甚至還可測更低的溫度(如用碳電阻可測到1K左右的低溫).現(xiàn)在正常使用鉑熱電阻Pt100，(也有Pt50、100和50熱電阻在0度時的阻值。在舊分度號中用BA1,BA2來表示，BA1在0度時阻值為46歐姆，在工業(yè)上也有用銅電阻，分度號為CU50和CU100，但測溫范圍較小，在一50~~150之間，在一些特殊場合還有銦電阻、錳電阻等)。第二、工作中的現(xiàn)場判斷熱電偶有正負(fù)極、補償導(dǎo)線也有正負(fù)之分，首先保證連接，配置確.在運行中。常見的有短路，斷路，接觸不良(有萬用表可判斷)和變質(zhì)(根據(jù)表面顏色來鑒別)。檢查時，要使熱電偶與二次表分開，用工...

適用于測量軸瓦和其他機件的端面溫度。隔爆型熱電阻隔爆型熱電阻通過特殊結(jié)構(gòu)的接線盒，把其外殼內(nèi)部性混合氣體因受到火花或電弧等影響而發(fā)生的局限在接線盒內(nèi)，生產(chǎn)現(xiàn)場不會引超。隔爆型熱電阻可用于Bla--B3c級區(qū)內(nèi)具有危險場所的溫度測量。測溫原理/熱電阻編輯熱電阻（圖3）熱電阻的測溫原理與熱電偶的測溫原理不同的是，熱電阻是基于電阻的熱效應(yīng)進行溫度測量的，即電阻體的阻值隨溫度的變化而變化的特性。因此，只要測量出感溫?zé)犭娮璧淖柚底兓涂梢詼y量出溫度。目前主要有金屬熱電阻和半導(dǎo)體熱敏電阻兩類。金屬熱電阻的電阻值和溫度一般可以用以下的近似關(guān)系式表示，即Rt=Rt0[1+α（t-t0）]式中，Rt為溫度t時...

同時可廣泛應(yīng)用于家電、醫(yī)療設(shè)備、汽車行業(yè)、鐵路、航空、設(shè)備儀器等領(lǐng)域。二、金屬膜電阻介紹金屬膜電阻器是膜式電阻器（FilmResistors）中的一種。它是采用高溫真空鍍膜技術(shù)將鎳鉻或類似的合金緊密附在瓷棒表面形成皮膜，經(jīng)過切割調(diào)試阻值，以達(dá)到終要求的精密阻值，然后加適當(dāng)接頭切割，并在其表面涂上環(huán)氧樹脂密封保護而成。由于它是引線式電阻，方便手工安裝及維修，用在大部分家電、通訊、儀器儀表上。金屬膜電阻器就是以特種金屬或合金作電阻材料，用真空蒸發(fā)或濺射的方法，在陶瓷或玻璃基本上形成電阻膜層的電阻器。這類電阻器一般采用真空蒸發(fā)工藝制得，即在真空中加熱合金，合金蒸發(fā)，使瓷棒表面形成一層導(dǎo)電金屬膜?？滩?..

而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導(dǎo)體相接觸時，因為他們的電子密度不同所以產(chǎn)生一定的電子擴散，當(dāng)他們達(dá)到一定的平衡后所形成的電勢，接觸電勢的大小取決于兩種不同導(dǎo)體的材料性質(zhì)以及他們接觸點的溫度。目前國際上應(yīng)用的熱電偶具有一個標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，國際上規(guī)定熱電偶分為八個不同的分度，分別為B，R，S，K，N，E，J和T，其測量溫度的低可測零下270℃，高可達(dá)1800℃，其中B，R，S屬于鉑系列的熱電偶，由于鉑屬于貴重金屬，所以他們又被稱為貴金屬熱電偶而剩下的幾個則稱為廉價金屬熱電偶。熱電偶的結(jié)構(gòu)有兩種，普通型和鎧裝型。普通性熱電偶一般由熱電極，絕緣管，保護套管和接線盒等部分組成，而鎧裝型熱電偶則是將熱電偶絲...

包括低溫度系數(shù)(0°C至+60°C為ppm/°C)，誤差達(dá)到±%(采用密封時低至±%)，負(fù)載壽命穩(wěn)定性在70°C，額定加電2000小時的情況下達(dá)到±%(50ppm)，電阻間一致性在0°C至+60°C時為ppm/°C，抗ESD高達(dá)25kV。性能要求?當(dāng)然并非每位設(shè)計師的電路都需要全部高性能參數(shù)。技術(shù)規(guī)格相當(dāng)差的電阻同樣可以用于大量應(yīng)用中，這方面的問題分為四類：(1)現(xiàn)有應(yīng)用可以利用大金屬箔電阻的全部性能升級。(2)現(xiàn)有應(yīng)用需要一個或多個，但并非全部“行業(yè)”性能參數(shù)。(3)先進的電路只有利用精密電阻...

薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會在低壓直流應(yīng)用幾小時內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變薄膜厚度會嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。厚膜電阻如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低，厚膜電阻得到使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。厚膜電阻依靠玻璃基體...

因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR特性和比率對于高精度電路極為重要。傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機械力加壓封裝。這兩種方法會改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會發(fā)生物理變化。薄膜電阻薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50Å至250Å的金屬沉積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal®金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)...

R0表示0℃時的電阻值根據(jù)IEC標(biāo)準(zhǔn)，采用W(100)=初始電阻值為R0=100Ω（R0=10Ω）的鉑電阻為工業(yè)用標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻，R0=10Ω的鉑電阻溫度計的阻絲較粗，主要應(yīng)用于測量600℃以上的溫度。鉑電阻的電阻與溫度方程為一分段方程：Rt=R0[1+At+Bt2+C(t－100℃)t3]t表示在－200～0℃Rt=R0(1+At+Bt2)t表示在0～850℃解此方程，則可根據(jù)電阻值已知溫度值，但實際工作中，可以查熱電阻分度表來根據(jù)電阻值確定溫度值。根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，鉑熱電阻分為A級和B級，A級測溫允許誤差±（℃+|t|）,B級測溫允許誤差±（℃+|t|）?，F(xiàn)場使用的熱電阻一般都...

因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛＝饘俨娮鑼⒕哂幸阎涂煽靥匦缘奶胤N金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低TCR、長期穩(wěn)定性、無感抗、無ESD感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進行修整。當(dāng)需要按已知增量加大電阻時，可以切割標(biāo)記的區(qū)域(圖2)，逐步少量提高電阻。圖2合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標(biāo)準(zhǔn)溫度系數(shù)，在0°C至+60...

使引線電阻不隨溫度變化而引入的引線電阻誤差的影響減小很多。三線制鉑熱電阻，在二次儀表中，均有可變阻值的電橋，根據(jù)所配合的鉑熱電阻的量程不同，可以對二次儀表的電橋中的鉑熱電阻進行微調(diào)，能進行更精確的測量。熱電阻溫度計分度新方法：工業(yè)鉑電阻溫度計是一種被使用的測溫儀器。長期以來，國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范中普遍采用CVD方程的計算方法對其進行檢定分度。但采用CVD方程檢定分度的工業(yè)鉑電阻溫度計準(zhǔn)確度不高、穩(wěn)定性低、不確定度較大，無法作為傳遞標(biāo)準(zhǔn)使用。為此，多數(shù)工業(yè)測溫領(lǐng)域或要求不高的實驗室只能采用精度較高的標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計作為溯源傳遞標(biāo)準(zhǔn)，但實際工業(yè)測溫領(lǐng)域由于各種條件限制，標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計無法使用...

而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導(dǎo)體相接觸時，因為他們的電子密度不同所以產(chǎn)生一定的電子擴散，當(dāng)他們達(dá)到一定的平衡后所形成的電勢，接觸電勢的大小取決于兩種不同導(dǎo)體的材料性質(zhì)以及他們接觸點的溫度。目前國際上應(yīng)用的熱電偶具有一個標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，國際上規(guī)定熱電偶分為八個不同的分度，分別為B，R，S，K，N，E，J和T，其測量溫度的低可測零下270℃，高可達(dá)1800℃，其中B，R，S屬于鉑系列的熱電偶，由于鉑屬于貴重金屬，所以他們又被稱為貴金屬熱電偶而剩下的幾個則稱為廉價金屬熱電偶。熱電偶的結(jié)構(gòu)有兩種，普通型和鎧裝型。普通性熱電偶一般由熱電極，絕緣管，保護套管和接線盒等部分組成，而鎧裝型熱電偶則是將熱電偶絲...

使引線電阻不隨溫度變化而引入的引線電阻誤差的影響減小很多。三線制鉑熱電阻，在二次儀表中，均有可變阻值的電橋，根據(jù)所配合的鉑熱電阻的量程不同，可以對二次儀表的電橋中的鉑熱電阻進行微調(diào)，能進行更精確的測量。熱電阻溫度計分度新方法：工業(yè)鉑電阻溫度計是一種被使用的測溫儀器。長期以來，國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)或技術(shù)規(guī)范中普遍采用CVD方程的計算方法對其進行檢定分度。但采用CVD方程檢定分度的工業(yè)鉑電阻溫度計準(zhǔn)確度不高、穩(wěn)定性低、不確定度較大，無法作為傳遞標(biāo)準(zhǔn)使用。為此，多數(shù)工業(yè)測溫領(lǐng)域或要求不高的實驗室只能采用精度較高的標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計作為溯源傳遞標(biāo)準(zhǔn)，但實際工業(yè)測溫領(lǐng)域由于各種條件限制，標(biāo)準(zhǔn)鉑電阻溫度計無法使用...

電阻的變化量)可以達(dá)到3ppm/°C典型值。不過，降低電阻值，線繞電阻一般在15ppm/°C到25ppm/°C。熱噪聲降低，TCR在限定溫度范圍內(nèi)可以達(dá)到±2ppm/°C。線繞電阻加工過程中，電阻絲內(nèi)表面(靠近線軸一側(cè))收縮，而外表面拉伸。這道工藝產(chǎn)生變形—相對于彈性變形或可逆變形，必須對電阻絲進行退火。性機械變化(不可預(yù)測)會造成電阻絲和電阻電氣參數(shù)任意變化。因此，電阻元件電性能參數(shù)存在很大的不確定性。由于線圈結(jié)構(gòu)，線繞電阻成為電感器，圈數(shù)附近會產(chǎn)生線圈間電容。為提高使用中的響應(yīng)速度，可以采用特殊工藝降低電感。不過，這會增加成本，而且降低電感...

目前熱電阻的引線主要有三種方式：二線制：在熱電阻的兩端各連接一根導(dǎo)線來引出電阻信號的方式叫二線制：這種引線方法很簡單，但由于連接導(dǎo)線必然存在引線電阻r，r大小與導(dǎo)線的材質(zhì)和長度的因素有關(guān)，因此這種引線方式只適用于測量精度較低的場合三線制：在熱電阻的根部的一端連接一根引線，另一端連接兩根引線的方式稱為三線制，這種方式通常與電橋配套使用，可以較好的消除引線電阻的影響，是工業(yè)過程控制中的常用的。四線制：在熱電阻的根部兩端各連接兩根導(dǎo)線的方式稱為四線制，其中兩根引線為熱電阻提供恒定電流I，把R轉(zhuǎn)換成電壓信號U，再通過另兩根引線把U引至二次儀表。可見這種引線方式可完全消除引線的電阻影響，主要用于高精度的...

因此厚膜電阻的抗?jié)裥愿哂诒∧る娮琛＝饘俨娮鑼⒕哂幸阎涂煽靥匦缘奶胤N金屬箔片敷在特殊陶瓷基片上，形成熱機平衡力對于電阻成型是十分重要的。然后，采用超精密工藝光刻電阻電路。這種工藝將低TCR、長期穩(wěn)定性、無感抗、無ESD感應(yīng)、低電容、快速熱穩(wěn)定性和低噪聲等重要特性結(jié)合在一種電阻技術(shù)中。這些功能有助于提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性，精度、穩(wěn)定性和速度之間不必相互妥協(xié)。為獲得精確電阻值，大金屬箔晶片電阻可通過有選擇地消除內(nèi)在“短板”進行修整。當(dāng)需要按已知增量加大電阻時，可以切割標(biāo)記的區(qū)域(圖2)，逐步少量提高電阻。圖2合金特性及其與基片之間的熱機平衡力形成的標(biāo)準(zhǔn)溫度系數(shù)，在0°C至+60...

但是他們的原理與特點卻不盡相同.首先，介紹一下熱電偶，熱電偶是溫度測量中應(yīng)用的溫度器件，他的主要特點就是測吻范圍寬，性能比較穩(wěn)定，同時結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)響應(yīng)好，更能夠遠(yuǎn)傳4-20mA電信號，便于自動控制和集中控制。熱電偶的測溫原理是基于熱電效應(yīng)。將兩種不同的導(dǎo)體或半導(dǎo)體連接成閉合回路，當(dāng)兩個接點處的溫度不同時，回路中將產(chǎn)生熱電勢，這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)，又稱為塞貝克效應(yīng)。閉合回路中產(chǎn)生的熱電勢有兩種電勢組成；溫差電勢和接觸電勢。溫差電勢是指同一導(dǎo)體的兩端因溫度不同而產(chǎn)生的電勢，不同的導(dǎo)體具有不同的電子密度，所以他們產(chǎn)生的電勢也不相同，而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導(dǎo)體相接觸時，因為他們的電子密度...

薄膜電阻在潮濕的條件下極易自蝕。浸入封裝過程中，水蒸汽會帶入雜質(zhì)，產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕會在低壓直流應(yīng)用幾小時內(nèi)造成薄膜電阻開路。改變薄膜厚度會嚴(yán)重影響TCR。由于較薄的沉積層更容易氧化，因此高阻值薄膜電阻退化率非常高。厚膜電阻如前所述，受尺寸、體積和重量的影響，線繞電阻不可能采用晶片型。盡管精度低于線繞電阻，但由于具有更高的電阻密度(高阻值/小尺寸)且成本更低，厚膜電阻得到使用。與薄膜電阻和金屬箔電阻一樣，厚膜電阻頻響速度快，但在目前使用的電阻技術(shù)中，其噪聲。雖然精度低于其他技術(shù)，但我們之所以在此討論厚膜電阻技術(shù)，是由于其應(yīng)用于幾乎每一種電路，包括高精密電路中精度要求不高的部分。厚膜電阻依靠玻璃基體...

但是他們的原理與特點卻不盡相同.首先，介紹一下熱電偶，熱電偶是溫度測量中應(yīng)用的溫度器件，他的主要特點就是測吻范圍寬，性能比較穩(wěn)定，同時結(jié)構(gòu)簡單，動態(tài)響應(yīng)好，更能夠遠(yuǎn)傳4-20mA電信號，便于自動控制和集中控制。熱電偶的測溫原理是基于熱電效應(yīng)。將兩種不同的導(dǎo)體或半導(dǎo)體連接成閉合回路，當(dāng)兩個接點處的溫度不同時，回路中將產(chǎn)生熱電勢，這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)，又稱為塞貝克效應(yīng)。閉合回路中產(chǎn)生的熱電勢有兩種電勢組成；溫差電勢和接觸電勢。溫差電勢是指同一導(dǎo)體的兩端因溫度不同而產(chǎn)生的電勢，不同的導(dǎo)體具有不同的電子密度，所以他們產(chǎn)生的電勢也不相同，而接觸電勢顧名思義就是指兩種不同的導(dǎo)體相接觸時，因為他們的電子密度...

這時在中低溫度時，一般使用熱電阻測溫范圍為一200~~500，甚至還可測更低的溫度(如用碳電阻可測到1K左右的低溫).現(xiàn)在正常使用鉑熱電阻Pt100，(也有Pt50、100和50熱電阻在0度時的阻值。在舊分度號中用BA1,BA2來表示，BA1在0度時阻值為46歐姆，在工業(yè)上也有用銅電阻，分度號為CU50和CU100，但測溫范圍較小，在一50~~150之間，在一些特殊場合還有銦電阻、錳電阻等)。第二、工作中的現(xiàn)場判斷熱電偶有正負(fù)極、補償導(dǎo)線也有正負(fù)之分，首先保證連接，配置確.在運行中。常見的有短路，斷路，接觸不良(有萬用表可判斷)和變質(zhì)(根據(jù)表面顏色來鑒別)。檢查時，要使熱電偶與二次表分開，用工...

因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR特性和比率對于高精度電路極為重要。傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機械力加壓封裝。這兩種方法會改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會發(fā)生物理變化。薄膜電阻薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50Å至250Å的金屬沉積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal®金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)...

因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR特性和比率對于高精度電路極為重要。傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機械力加壓封裝。這兩種方法會改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會發(fā)生物理變化。薄膜電阻薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50Å至250Å的金屬沉積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal®金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)...

因此它們的工作穩(wěn)定性不一樣，設(shè)計的電阻比在設(shè)備生命周期中會發(fā)生很大變化。TCR特性和比率對于高精度電路極為重要。傳統(tǒng)線繞電阻加工方法不能消除纏繞、封裝、插入和引線成型工藝中產(chǎn)生的各種應(yīng)力。固定過程中，軸向引線往往采用拉緊工藝，通過機械力加壓封裝。這兩種方法會改變電阻，無論加電或不加電。從長期角度看，由于電阻絲調(diào)整為新的形狀，線繞元件會發(fā)生物理變化。薄膜電阻薄膜電阻由陶瓷基片上厚度為50Å至250Å的金屬沉積層組成(采用真空或濺射工藝)。薄膜電阻單位面積阻值高于線繞電阻或BulkMetal®金屬箔電阻，而且更為便宜。在需要高阻值而精度要求為中等水平時，薄膜電阻更為經(jīng)...

5［%］阻值范圍：1Ω～10MΩ標(biāo)稱阻值：E-96包裝方式有帶裝、散裝金屬膜電阻特點：1）高熱傳導(dǎo)瓷心2）高穩(wěn)定性金屬皮膜3）壓合良好之高信賴性端帽4）高絕緣及耐溶劑之環(huán)氧樹脂涂漆5）符合MIL&EIA規(guī)定之標(biāo)準(zhǔn)色碼帶6）焊錫性良好的導(dǎo)線（根據(jù)客戶要求可以做銅線引腳和鍍錫銅包鋼線引腳）三、繞線電阻和金屬膜電阻的區(qū)別1、金屬膜電阻：是在真空中加熱合金，合金蒸發(fā)，使瓷棒表面形成一層導(dǎo)電金屬膜。改變金屬膜的厚度可以控制阻值。這種電阻和碳膜電阻相比：體積小、噪音低、穩(wěn)定性好，但成本較高，金屬膜電阻色彩亮麗，又可細(xì)分為高頻、高壓、精密的多種類型。多應(yīng)用在精度要求較高的場合。2、線繞電阻：線繞電阻器阻值精...

常用電阻特性優(yōu)缺點比較近二十年來，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進步在減小設(shè)備尺寸的同時，也加大了分立元件制造商開發(fā)理想性能器件的壓力。在這些器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護、熱電動勢(EMF)、電阻熱系數(shù)(TCR)、自熱性、長期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。以下技術(shù)對比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請注意，線繞電阻沒有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片電阻的應(yīng)用不使用這種電阻。盡管升級每個組件或子系統(tǒng)可以提...

在選擇時如果測量溫度在200℃左右就應(yīng)該選擇熱電阻測量，如果測量溫度在600℃就應(yīng)該選擇K型熱電偶，如果測量溫度在1200~1600℃就應(yīng)該選擇S型或者B型熱電偶。熱電阻與熱電偶相比有以下特點：1、同樣溫度下輸出信號較大，易于測量。2、測電阻必須借助外加電源。3、熱電阻感溫部分尺寸較大，而熱電偶工作端是很小的焊點，因而熱電阻測溫的反應(yīng)速度比熱電偶慢；4、同類材料制成的熱電阻不如熱電偶測溫上限高。熱電偶和熱電阻區(qū)別:熱電阻（圖11）、信號的性質(zhì)，熱電阻本身是電阻，溫度的變化，使電阻產(chǎn)生正的或者是負(fù)的阻值變化；而熱電偶是產(chǎn)生感應(yīng)電壓的變化，他隨溫度的改變而改變..雖然都是接觸式測溫儀表，但它們的測...