江西肖特基二極管MBR1045CT

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-07-08

肖特基二極管是一種特殊類(lèi)型的二極管,其好的特點(diǎn)是由金屬與半導(dǎo)體直接接觸形成的非對(duì)稱(chēng)結(jié)構(gòu),因此其正向電壓低于常規(guī)PN結(jié)二極管。這種特殊結(jié)構(gòu)使得肖特基二極管具有快速開(kāi)關(guān)速度和較低的逆向恢復(fù)時(shí)間,也使其在高頻和功率電路中具有廣泛應(yīng)用。肖特基二極管的是肖特基結(jié),這是由金屬與半導(dǎo)體材料直接接觸而形成的勢(shì)壘結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)導(dǎo)致了一些獨(dú)特的電學(xué)特性,如快速的載流子注入和較小的少子內(nèi)建電場(chǎng),這樣就降低了開(kāi)關(guān)時(shí)的載流子注入和少子收集時(shí)間,從而實(shí)現(xiàn)了快速的開(kāi)關(guān)速度和低逆向電流。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司力于提供肖特基二極管 ,歡迎新老客戶(hù)來(lái)電!江西肖特基二極管MBR1045CT

   肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky)命名的,SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管的作用肖特基二極管的作用如下:肖特基二極管肖特基(Schottky)二極管,又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。明顯的特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。一個(gè)典型的應(yīng)用,是在雙極型晶體管BJT的開(kāi)關(guān)電路里面,通過(guò)在BJT上連接Shockley二極管來(lái)箝位,使得晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)其實(shí)處于很接近截止?fàn)顟B(tài),從而提高晶體管的開(kāi)關(guān)速度。這種方法是74LS,74ALS,74AS等典型數(shù)字IC的TTL內(nèi)部電路中使用的技術(shù)。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。廣東肖特基二極管MBR4060PT肖特基二極管 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司。

   肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。由于電子遷移率比空穴高,采用N型Si、SiC或GaAs為材料,以獲得良好的頻率特性,肖特基接觸金屬一般選用金、鉬、鎳、鋁等。金屬-半導(dǎo)體器件和PiN結(jié)二極管類(lèi)似,由于兩者費(fèi)米能級(jí)不同,金屬與半導(dǎo)體材料交界處要形成空間電荷區(qū)和自建電場(chǎng)。在外加電壓為零時(shí),載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)與反向的漂移運(yùn)動(dòng)達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡,這時(shí)金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體交界處形成一個(gè)接觸勢(shì)壘,這就是肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管就是依據(jù)此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二極管肖特基接觸金屬與半導(dǎo)體的功函數(shù)不同,電荷越過(guò)金屬/半導(dǎo)體界面遷移,產(chǎn)生界面電場(chǎng),半導(dǎo)體表面的能帶發(fā)生彎曲,從而形成肖特基勢(shì)壘,這就是肖特基接觸。金屬與半導(dǎo)體接觸形成的整流特性有兩種形式,一種是金屬與N型半導(dǎo)體接觸,且N型半導(dǎo)體的功函數(shù)小于金屬的功函數(shù);另一種是金屬與P型半導(dǎo)體接觸,且P型半導(dǎo)體的功函數(shù)大于金屬的功函數(shù)。金屬與N型4H-SiC半導(dǎo)體體內(nèi)含有大量的導(dǎo)電載流子。金屬與4H-SiC半導(dǎo)體材料的接觸有原子大小的數(shù)量級(jí)間距時(shí),4H-SiC半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)大于金屬的費(fèi)米能級(jí)。

巨資對(duì)碳化硅材料和器件進(jìn)行研究。美國(guó)部從20世紀(jì)90年代就開(kāi)始支持碳化硅功率器件的研究,在1992年就成功研究出了阻斷電壓為400V的肖特基二極管。碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管于21世紀(jì)初成為首例市場(chǎng)化的碳化硅電力電子器件。美國(guó)Semisouth公司研制的SiCSBD(100A、600V、300℃下工作)已經(jīng)用在美國(guó)空軍多電飛機(jī)。由碳化硅SBD構(gòu)成的功率模塊可在高溫、高壓、強(qiáng)輻射等惡劣條件下使用。目前反向阻斷電壓高達(dá)1200V的系列產(chǎn)品,其額定電流可達(dá)到20A。碳化硅SBD的研發(fā)已經(jīng)達(dá)到高壓器件的水平,其阻斷電壓超過(guò)10000V,大電流器件通態(tài)電流達(dá)130A的水平。[1]SiCPiN的擊穿電壓很高,開(kāi)關(guān)速度很快,重量很輕,并且體積很小,它在3KV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域更加具有優(yōu)勢(shì)。2000年Cree公司研制出KV的臺(tái)面PiN二極管,同一時(shí)期日本的Sugawara研究室也研究出了12KV的臺(tái)面PiN二極管。2005年Cree公司報(bào)道了10KV、V、50A的SiCPiN二極管,其10KV/20APiN二極管系列的合格率已經(jīng)達(dá)到40%。SiCMOSFET的比導(dǎo)通電阻很低,工作頻率很高。肖特基二極管 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,用戶(hù)的信賴(lài)之選,有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦!

這使得肖特基二極管在高精度和高穩(wěn)定性的電路中非常有用,如精密測(cè)量設(shè)備和音頻放大器。2.高溫應(yīng)用:由于肖特基二極管的特殊設(shè)計(jì)和材料選擇,它們通常具有更高的耐高溫性能。這使得它們適用于一些高溫環(huán)境下的應(yīng)用,如汽車(chē)電子、航空航天、工業(yè)控制和電力電子等領(lǐng)域。3.能量轉(zhuǎn)換:肖特基二極管的低正向壓降和快速開(kāi)關(guān)特性使其非常適用于能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如太陽(yáng)能系統(tǒng)、電動(dòng)車(chē)充電器、變頻器和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。在這些應(yīng)用中,肖特基二極管可以有效地減少能量損耗并提高系統(tǒng)效率。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司為您提供肖特基二極管 ,歡迎您的來(lái)電哦!TO247封裝的肖特基二極管MBR30100CT

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   肖特基二極管是通過(guò)金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。肖特基二極管的基本結(jié)構(gòu)是重?fù)诫s的N型4H-SiC片、4H-SiC外延層、肖基觸層和歐姆接觸層。中文名碳化硅肖特基二極管外文名Schottkybarrierdiode目錄11碳化硅?碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)?碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀22碳化硅肖特基二極管?肖特基接觸?肖特基勢(shì)壘中載流子的輸運(yùn)機(jī)理碳化硅肖特基二極管1碳化硅碳化硅肖特基二極管碳化硅材料的發(fā)展和優(yōu)勢(shì)碳化硅早在1842年就被發(fā)現(xiàn)了,但因其制備時(shí)的工藝難度大,并且器件的成品率低,導(dǎo)致了價(jià)格較高,這影響了它的應(yīng)用。直到1955年,生長(zhǎng)碳化硅的方法出現(xiàn)促進(jìn)了SiC材料的發(fā)展,在航天、航空、雷達(dá)和核能開(kāi)發(fā)的領(lǐng)域得到應(yīng)用。1987年,商業(yè)化生產(chǎn)的SiC進(jìn)入市場(chǎng),并應(yīng)用于石油地?zé)岬目碧健⒆冾l空調(diào)的開(kāi)發(fā)、平板電視的應(yīng)用以及太陽(yáng)能變換的領(lǐng)域。碳化硅材料有很多優(yōu)點(diǎn),如禁帶寬度很大、臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)很高、熱導(dǎo)率很大、飽和電子漂移速度很高和介電常數(shù)很低如表1-1。首先大的禁帶寬度,如4H-SiC其禁帶寬度為eV,是硅材料禁帶寬度的三倍多,這使得器件能耐高溫并且能發(fā)射藍(lán)光;高的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng),碳化硅的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)(2-4MV/cm)很高。江西肖特基二極管MBR1045CT