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我們都知道在選擇快恢復(fù)二極管時,主要看它的正向?qū)▔航?、反向耐壓、反向漏電流等。但我們卻很少知道其在不同電流、不同反向電壓、不同環(huán)境溫度下的關(guān)系是怎樣的,在電路設(shè)計中知道這些關(guān)系對選擇合適的快恢復(fù)二極管顯得極為重要,尤其是在功率電路中。在快恢復(fù)二極管兩端加正向偏置電壓時,其內(nèi)部電場區(qū)域變窄,可以有較大的正向擴散電流通過PN結(jié)。只有當正向電壓達到某一數(shù)值(這一數(shù)值稱為“門檻電壓”,鍺管約為,硅管約為)以后,快恢復(fù)二極管才能真正導(dǎo)通。但快恢復(fù)二極管的導(dǎo)通壓降是恒定不變的嗎?它與正向擴散電流又存在什么樣的關(guān)系?通過下圖1的測試電路在常溫下對型號為快恢復(fù)二極管進行導(dǎo)通電流與導(dǎo)通壓降的關(guān)系測試,可得到如圖2所示的曲線關(guān)系:正向?qū)▔航蹬c導(dǎo)通電流成正比,其浮動壓差為。從輕載導(dǎo)通電流到額定導(dǎo)通電流的壓差雖為,但對于功率快恢復(fù)二極管來說它影響效率也影響快恢復(fù)二極管的溫升,所以在價格條件允許下,盡量選擇導(dǎo)通壓降小、額定工作電流較實際電流高一倍的快恢復(fù)二極管MUR1660CT是快恢復(fù)二極管嗎?天津快恢復(fù)二極管MUR2060CTR
8、絕緣涂層;9、電隔離層;10、粘合層。實際實施方法下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術(shù)方案展開明了、完整地描述,顯然,所敘述的實施例是本實用新型一部分推行例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域平常技術(shù)人員在從未做出創(chuàng)造性勞動前提下所贏得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。如圖1、2所示,現(xiàn)提出下述實施例:一種高壓快回復(fù)二極管芯片,包括芯片本體1,所述芯片本體1裹在熱熔膠2內(nèi),所述熱熔膠2裹在在封裝外殼3內(nèi),所述封裝外殼3由金屬材質(zhì)制成,所述封裝外殼3的內(nèi)部設(shè)有散熱組件,所述散熱組件包括多個散熱桿4,多個散熱桿4呈輻射狀固定在所述芯片本體1上,所述散熱桿4的另一端抵觸在所述封裝外殼3的內(nèi)壁,所述散熱桿4與所述芯片本體1的端部上裹有絕緣膜5,所述散熱桿4的內(nèi)部中空且所述散熱桿4的內(nèi)部填入有冰晶混合物6。在本實施例中,所述封裝外殼3的殼壁呈雙層構(gòu)造且所述封裝外殼3的殼壁的內(nèi)部設(shè)有容納腔7,所述容納腔7與所述散熱桿4的內(nèi)部連接,所述容納腔7的內(nèi)部也填入有冰晶混合物6。散熱桿4內(nèi)融解的冰晶混合物6不停向外傳遞,充分傳熱。在本實施例中,所述散熱桿4至少設(shè)有四根。快恢復(fù)二極管MUR3040CAMUR2060CTR是什么類型的管子?
20世紀80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化,這不僅對電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅實的器件基礎(chǔ),同時,為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化,為高效、節(jié)電、節(jié)材,實現(xiàn)機電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時,給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因為,隨著裝置工作開關(guān)頻率的提高,若沒有FRED給高頻逆變裝置的開關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨特作用,這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數(shù)的FRED與高頻開關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開關(guān)器件換相所引起的過電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮,F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開關(guān)電源、高頻逆變電焊機、高頻逆變開關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場合使用,結(jié)果非常令人滿意。本文將簡要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu),技術(shù)參數(shù)。
這一圈套起到了一定的限制效用,使電子不易抽走,而與空穴在此復(fù)合,從而延長了反向恢復(fù)時間中tb這一段,提高了迅速二極管的軟度因子S。3.快速軟恢復(fù)二極管模塊通態(tài)特點顯示,在額定電流下正向電壓降不受溫度影響,從而使它更適用于并聯(lián)工作。在125℃時的動態(tài)損耗比標準化摻鉑FRED減小50%。以上特點使得該軟恢復(fù)二極管特別適宜工業(yè)應(yīng)用。運用上述FRED二極管和SONIC二極管我們開發(fā)了迅速軟恢復(fù)二極管模塊,有絕緣型和非絕緣型二大類,絕緣型電流從40A~400A,電壓達到1200V,絕緣電壓大于2500V,反向回復(fù)時間很小為40ns;非絕緣型電流為200A(單管100A),電壓從400V至1200V,反向回復(fù)時間根據(jù)用戶要求,可從40ns至330ns。由于使用模塊構(gòu)造,寄生電感較小,并且預(yù)防了高頻干擾電壓和過電壓尖峰。下面為200A絕緣型和非絕緣型迅速軟恢復(fù)二極管模塊外觀和大小以及連接圖。圖6200A絕緣型快速軟恢復(fù)二極管模塊圖7200A非絕緣型雙塔結(jié)構(gòu)超快速二極管模塊4.迅速軟恢復(fù)二極管及其模塊的應(yīng)用快速軟恢復(fù)二極管的阻斷電壓范圍寬,使它們能夠作為開關(guān)電源(SMPS)的輸出整流器,以及逆變器和焊接電源中的功率開關(guān)的保護二極管和續(xù)流二極管。MUR2060CA是什么類型的管子?
應(yīng)用場合以及選用時應(yīng)注意的問題等供廣大使用者參考。2.快恢復(fù)二極管模塊工藝結(jié)構(gòu)和特點圖1超快恢復(fù)二極管模塊內(nèi)部電路連接圖本模塊是由二個或二個以上的FRED芯片按一定的電路(見圖1)連成后共同封裝在一個PPS(加有40%的玻璃纖維)外殼內(nèi)制成,模塊分絕緣型(模塊銅底板對各主要電極的絕緣耐壓Uiso≥)和非絕緣型二種,其特點(1)采用高、低溫氫(H2)、氮(N2)混合氣體保護的隧道爐和熱板爐二次焊接工藝,使焊接溫度、焊接時間和傳送帶速度之間有較好的匹配,并精確控制升溫速度、恒溫時同和冷卻速度,使焊層牢固,幾乎沒有空洞,從而降低了模塊熱阻、保證模塊出力,根據(jù)模塊電流的大小,采用直接焊接或鋁絲超聲鍵合等方法引出電極,用RTV橡膠、及組份彈性硅凝膠和環(huán)氧樹脂等三重保護,又加采用玻璃鈍化保護的、不同結(jié)構(gòu)的進口FRED芯片,使模塊防潮、防震,工作穩(wěn)定。(2)銅底板預(yù)彎技術(shù):模塊采用了高導(dǎo)熱、高絕緣、機械強度高和易焊接,且熱膨脹系數(shù)很接近硅芯片的氮化鋁陶瓷覆銅板(ALNDBC板),使焊接后各材料內(nèi)應(yīng)力低,熱阻小,并避免了芯片因應(yīng)力而破裂。為了解決銅底板與DBC板間的焊接問題,除采用銅銀合金外。并在焊接前對銅底板進行一定弧度的預(yù)彎。如圖2(a),焊后如圖2(b)。MUR1660CTR是什么類型的管子?天津快恢復(fù)二極管MUR1620CTR
MURF2020CT是什么類型的管子?天津快恢復(fù)二極管MUR2060CTR
快恢復(fù)二極管的總功率損耗與正向通態(tài)壓降VF,通態(tài)電流IF,反向電壓VR,反向漏電流IR,正向過沖電壓Vfp,反向恢復(fù)漏電流峰值Irp。以及反向電流下降時間tb等有關(guān)。盡管如此,對于給定的快恢復(fù)二極管應(yīng)用,通態(tài)電流和反向電壓通常應(yīng)用電路決定的,只要不超過額定使用條件即可。然而在給定的IF和VR條件下的VF,IR,Vrp,Irp和tb等二極管的特性卻是由所使用的快恢復(fù)二極管本身的性能決定的。我們能通過算式5清楚地看到,上述任何一個參數(shù)的升高都將導(dǎo)致功率損耗的増加。相反地,如果我們能夠降低其中的某些參數(shù)值,則可以降低功率損耗,在所有的功率損耗中,通態(tài)損耗所占比例,因此降低通態(tài)損耗是降低總功率損耗的主要路徑和方法。而對于通態(tài)損耗來講,正向電流由應(yīng)用條件和額定決定,為恒定值,占空比也由應(yīng)用條件決定,由算式1可以清楚地看到降低正向壓降是降低功率損耗的主要途徑。而正向壓降正是快恢復(fù)二極管本身的性能能力決定的。所以選擇低功耗二極管主要的要看在同等條件下的正向壓降。壓降越低的,其功耗也越低。天津快恢復(fù)二極管MUR2060CTR