上海肖特基二極管MBR2060CT

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-01-29

    用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)制作出擊穿電壓高達(dá)KVNi/4H-SiC肖特基二極管,外延的摻雜濃度為×10cm,厚度為115μm,此肖特基二極管利用多級(jí)結(jié)終端擴(kuò)展技術(shù)來(lái)保護(hù)肖特基結(jié)邊緣以防止它提前擊穿。[1]國(guó)內(nèi)的SiC功率器件研究方面因?yàn)槭艿絊iC單晶材料和外延設(shè)備的限制起步比較晚,但是卻緊緊跟蹤國(guó)外碳化硅器件的發(fā)展形勢(shì)。國(guó)家十分重視碳化硅材料及其器件的研究,在國(guó)家的大力支持下經(jīng)已經(jīng)初步形成了研究SiC晶體生長(zhǎng)、SiC器件設(shè)計(jì)和制造的隊(duì)伍。電子科技大學(xué)致力于器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面,在新結(jié)構(gòu)、器件結(jié)終端和器件擊穿機(jī)理方面做了很多的工作,并且提出寬禁帶半導(dǎo)體器件優(yōu)值理論和寬禁帶半導(dǎo)體功率雙極型晶體管特性理論。[1]34H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要組成部分,主要包括PiN二極管,肖特基勢(shì)壘二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢(shì)壘的形成及其主要電流輸運(yùn)機(jī)理。并詳細(xì)介紹了肖特基二極管和結(jié)勢(shì)壘控制肖特基二極管的電學(xué)特性及其工作原理,為后兩章對(duì)4H-SiCJBS器件電學(xué)特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。[2]肖特基二極管肖特基二極管是通過(guò)金屬與N型半導(dǎo)體之間形成的接觸勢(shì)壘具有整流特性而制成的一種屬-半導(dǎo)體器件。MBR3045PT是什么種類的管子?上海肖特基二極管MBR2060CT

    所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中散播。顯然,金屬A中并未空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不停從B散播到A,B表面電子濃度日益減低,表面電中性被毀壞,于是就形成勢(shì)壘,其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)功用之下,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)成立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的抵消,便形成了肖特基勢(shì)壘。特基二極管和整流二極管的差異肖特基(Schottky)二極管是一種快回復(fù)二極管,它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。其明顯的特色為反向回復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航?。肖特基(Schottky)二極管多當(dāng)作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、維護(hù)二極管,也有用在微波通信等電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管用到。常用在彩電的二次電源整流,高頻電源整流中。肖特基二極管與一般整流二極管有什么差別呢?肖特基二極管與一般整流二極管相比之下特別之處在于哪里?就讓我們一齊深造一下。由半導(dǎo)體-半導(dǎo)體接面產(chǎn)生的P-N接面不同。肖特基勢(shì)壘的特點(diǎn)使得肖特基二極管的導(dǎo)通電壓降較低,而且可以提高切換的速度。陜西肖特基二極管MBR10200CT是什么類型的管子?

本實(shí)用新型關(guān)乎二極管領(lǐng)域,實(shí)際關(guān)乎一種槽柵型肖特基二極管。背景技術(shù):特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士定名的,sbd是肖特基勢(shì)壘二極管的簡(jiǎn)稱,sbd不是運(yùn)用p型半導(dǎo)體與n型半導(dǎo)體觸及形成pn結(jié)法則制作的,而是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)a為陽(yáng)極,以n型半導(dǎo)體b為陰極,運(yùn)用二者接觸面上形成的勢(shì)壘兼具整流特點(diǎn)而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。槽柵型肖特基二極管相比之下于平面型有著不可比擬的優(yōu)勢(shì),但是現(xiàn)有市售槽柵型肖特基二極管還存在散熱缺乏,致使溫度上升而引起反向漏電流值急遽上升,還影響使用壽命的疑問(wèn)。技術(shù)實(shí)現(xiàn)元素:本實(shí)用新型的目的是針對(duì)上述現(xiàn)有槽柵型肖特基二極管散熱功效不完美的疑問(wèn),提供一種槽柵型肖特基二極管。有鑒于此,本實(shí)用新型使用的技術(shù)方案是一種槽柵型肖特基二極管,包括管體,管體的下端設(shè)有管腳,所述管體的外側(cè)設(shè)有散熱套,散熱套的頂部及兩側(cè)設(shè)有一體成型的散熱片,且散熱片的基部設(shè)有通氣孔。更進(jìn)一步,所述散熱套內(nèi)壁與所述管體外壁緊密貼合,且所述散熱套的橫截面為矩形構(gòu)造。更進(jìn)一步,所述散熱片的數(shù)量為多組,且多組散熱片等距分布于散熱套的頂部及兩側(cè)。更進(jìn)一步,所述通氣孔呈圓形,數(shù)量為多個(gè)。

    肖特基SBD是肖特基勢(shì)壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD)的簡(jiǎn)稱。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的,因此,SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。SBD的主要優(yōu)點(diǎn)包括兩個(gè)方面:1)由于肖特基勢(shì)壘高度低于PN結(jié)勢(shì)壘高度,故其正向?qū)ㄩT(mén)限電壓和正向壓降都比PN結(jié)二極管低(約低)。2)由于SBD是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電器件,不存在少數(shù)載流子壽命和反向恢復(fù)問(wèn)題。SBD的反向恢復(fù)時(shí)間只是肖特基勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間,完全不同于PN結(jié)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間。故開(kāi)關(guān)速度非??欤_(kāi)關(guān)損耗也特別小,尤其適合于高頻應(yīng)用。SBD具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn),但其反向擊穿電壓比較低,約100V,以致于限制了其應(yīng)用范圍。二、產(chǎn)品介紹1.規(guī)格采用特殊的封裝工藝生產(chǎn)出GR系列共陰肖特基二極管模塊,具有低損耗、超高速、多子導(dǎo)電、大電流、均流效果好等優(yōu)點(diǎn)。特別適合6V~24V高頻電鍍電源,同等通態(tài)條件下比采用快恢復(fù)二極管模塊,底板溫度低14℃以上,節(jié)能9%~13%。MBRF10200CT是什么類型的管子?

    是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1.性能特點(diǎn)1)反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是:電流通過(guò)零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?,因此正向電流快速下降,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR,并且IR慢慢增大;在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,反向電流慢慢減少,并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相像之處。2)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同,它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I,組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向回復(fù)電荷很小,減少了trr值,還減低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒,正向壓降約為,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少,使其trr可低至幾十納秒。肖特基二極管在電動(dòng)車(chē)控制器上的應(yīng)用。江西TO220F封裝的肖特基二極管

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