肖特基二極管MBRF30200CT

    穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管，英文名稱(chēng)Zenerdiode，又叫齊納二極管。利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)，其電流可在很大范圍內(nèi)變化而電壓基本不變的現(xiàn)象，制成的起穩(wěn)壓作用的二極管。此二極管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。在這臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻降低到一個(gè)很小的數(shù)值，在這個(gè)低阻區(qū)中電流增加而電壓則保持恒定，穩(wěn)壓二極管是根據(jù)擊穿電壓來(lái)分檔的，因?yàn)檫@種特性，穩(wěn)壓管主要被作為穩(wěn)壓器或電壓基準(zhǔn)元件使用。穩(wěn)壓二極管可以串聯(lián)起來(lái)以便在較高的電壓上使用，通過(guò)串聯(lián)就可獲得更高的穩(wěn)定電壓。穩(wěn)壓二極管的伏安特性曲線的正向特性和普通二極管差不多，反向特性是在反向電壓低于反向擊穿電壓時(shí)，反向電阻很大，反向漏電流極小。但是，當(dāng)反向電壓臨近反向電壓的臨界值時(shí)，反向電流驟然增大，稱(chēng)為擊穿，在這一臨界擊穿點(diǎn)上，反向電阻驟然降至很小值。盡管電流在很大的范圍內(nèi)變化，而二極管兩端的電壓卻基本上穩(wěn)定在擊穿電壓附近，從而實(shí)現(xiàn)了二極管的穩(wěn)壓功能。肖特基二極管肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢(shì)壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的。MBR2060CT是什么類(lèi)型的管子？肖特基二極管MBRF30200CT

    其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵，多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微，所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和迅速開(kāi)關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池組或發(fā)光二極管?？旎謴?fù)二極管：有，35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間，在導(dǎo)通和截止之間很快變換，提高了器件的使用頻率并改善了波形?？旎謴?fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.快回復(fù)二極管FRD（FastRecoveryDiode）是近年來(lái)問(wèn)世的新型半導(dǎo)體器件，有著開(kāi)關(guān)特點(diǎn)好，反向回復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD（SuperfastRecoveryDiode），則是在快回復(fù)二極管根基上發(fā)展而成的，其反向回復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可普遍用以開(kāi)關(guān)電源、脈寬調(diào)制器（PWM）、不間斷電源（UPS）、交流電意念變頻調(diào)速（VVVF）、高頻加熱等設(shè)備中，作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管。浙江肖特基二極管MBR3045PTMBR30200PT是什么種類(lèi)的管子？

    是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1．性能特點(diǎn)1）反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是：電流通過(guò)零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí)，正向電流I=IF。當(dāng)t＞t0時(shí)，由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷?，因此正向電流快速下降，在t=t1時(shí)刻，I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR，并且IR慢慢增大；在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用，反向電流慢慢減少，并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相像之處。2）快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同，它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I，組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向回復(fù)電荷很小，減少了trr值，還減低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓。快回復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒，正向壓降約為，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少，使其trr可低至幾十納秒。

    常用表面貼封裝肖特基二極管。貼片肖特基二極管為何取名為"SS"?SCHOTTKY:取首字母"S",SMD:SurfaceMountedDevices的縮寫(xiě)，意為：表面貼裝器件，取首字母"S",上面兩個(gè)短語(yǔ)各取首字母、即為SS,電流小的肖特基是BAT42（）；BAT54、BAT54A、BAT54C（）；電流大的肖特基是440A,如：440CMQ030、444CNQ045;超過(guò)440A的必然是模塊。肖特基的高電壓是200V,也就是說(shuō)，肖特基的極限電壓是200V.超過(guò)200V電壓的也必然是模塊。電流越大，電壓越低。與可控硅元件不一樣。電流與電壓成反比（模塊除外）。10A、20A、30A標(biāo)準(zhǔn)的有做到200V電壓。除此外，都并未200V電壓標(biāo)準(zhǔn)。常見(jiàn)貼片封裝的肖特基型號(hào)BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23—MBR0520L、MBR0540:SOD-123—SS12、SS14:DO-214AC（SMA）—1ASL12、SL14:DO-214AC（SMA）—1ASK22:SK24:DO-214AA（SMB）—2ASK32:SK34:DO-214AB（SMC）—3AMBRD320、MBRD360:TO-252—3AMBRD620CT、MBRD660CT:TO-252—6AMBRB10100CT:TO-263（D2PAK）—10AMBRB4045CT:TO-263（D2PAK）—40A常見(jiàn)插件封裝的肖特基型號(hào)MBR150、MBR160:DO-41,軸向，1A1N5817（1A/20V）、1N5819（1A/40V），軸向，DO-411N5820（3A/20V）、1N5822（3A/40V），軸向。MBRF10100CT是什么類(lèi)型的管子？

    肖特基二極管在結(jié)構(gòu)原理上與PN結(jié)二極管有很大區(qū)別，它的內(nèi)部是由陽(yáng)極金屬（用鉬或鋁等材料制成的阻擋層）、二氧化硅（SiO2）電場(chǎng)消除材料、N-外延層（砷材料）、N型硅基片、N陰極層及陰極金屬等構(gòu)成，如圖4-44所示。在N型基片和陽(yáng)極金屬之間形成肖特基勢(shì)壘。當(dāng)在肖特基勢(shì)壘兩端加上正向偏壓（陽(yáng)極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極）時(shí)，肖特基勢(shì)壘層變窄，其內(nèi)阻變??；反之，若在肖特基勢(shì)壘兩端加上反向偏壓時(shí)，肖特基勢(shì)壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。肖特基二極管分為有引線和表面安裝（貼片式）兩種封裝形式。采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護(hù)二極管使用。它有單管式和對(duì)管（雙二極管）式兩種封裝形式。肖特基對(duì)管又有共陰（兩管的負(fù)極相連）、共陽(yáng)（兩管的正極相連）和串聯(lián)（一只二極管的正極接另一只二極管的負(fù)極）三種管腳引出方式。采用表面封裝的肖特基二極管有單管型、雙管型和三管型等多種封裝形式。 MBR2045CT是什么種類(lèi)的管子？廣東肖特基二極管MBR40200PT

MBRF3060CT是什么類(lèi)型的管子？肖特基二極管MBRF30200CT

    6、肖特基二極管的作用及其接法-變?nèi)葑內(nèi)菪ぬ鼗O管(VaractorDiodes)又稱(chēng)"可變電抗二極管"，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)菪ぬ鼗O管的電容量一般較小，其值為幾十皮法到幾百皮法，區(qū)容與電容之比約為5:1。它主要在高頻電路中用作自動(dòng)調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等、例如在電視接收機(jī)的調(diào)諧回路中作可變電容。當(dāng)外加順向偏壓時(shí)，有大量電流產(chǎn)生，PN（正負(fù)極）結(jié)的耗盡區(qū)變窄，電容變大，產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng)；當(dāng)外加反向偏壓時(shí)，則會(huì)產(chǎn)生過(guò)渡電容效應(yīng)。但因加順向偏壓時(shí)會(huì)有漏電流的產(chǎn)生，所以在應(yīng)用上均供給反向偏壓。肖特基二極管應(yīng)用SBD的結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流輸出場(chǎng)合用作高頻整流，在非常高的頻率下（如X波段、C波段、S波段和Ku波段）用于檢波和混頻，在高速邏輯電路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成電路早已成為T(mén)TL電路的主流，在高速計(jì)算機(jī)中被采用。除了普通PN結(jié)二極管的特性參數(shù)之外，用于檢波和混頻的SBD電氣參數(shù)還包括中頻阻抗（指SBD施加額定本振功率時(shí)對(duì)指定中頻所呈現(xiàn)的阻抗，一般在200Ω～600Ω之間）、電壓駐波比（一般≤2）和噪聲系數(shù)等。肖特基二極管MBRF30200CT