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反向漏電流的組成主要由兩部分:一是來(lái)自肖特基勢(shì)壘的注入;二是耗盡層產(chǎn)生電流和擴(kuò)散電流。[2]二次擊穿產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過(guò)程是:半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加,導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來(lái)越大,溫度也越來(lái)越高,如此惡性循環(huán)引起過(guò)熱點(diǎn)半導(dǎo)體材料的晶體熔化。此時(shí)在兩電極之間形成較低阻的電流通道,電流密度驟增,導(dǎo)致肖特基二極管還未達(dá)到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞。因此二次擊穿是不可逆的,是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達(dá)到二次擊穿的擊穿電壓值,但是功率二極管還是會(huì)產(chǎn)生二次擊穿。[2]參考資料1.孫子茭.4H_SiC肖特基二極管的研究:電子科技大學(xué),20132.苗志坤.4H_SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管靜態(tài)特性研究:哈爾濱工程大學(xué),2013詞條標(biāo)簽:科學(xué)百科數(shù)理科學(xué)分類(lèi)。MBR40200PT是什么種類(lèi)的管子?陜西肖特基二極管MBR3060CT
是極有發(fā)展前景的電力、電子半導(dǎo)體器件。1.性能特點(diǎn)1)反向恢復(fù)時(shí)間反向恢復(fù)時(shí)間tr的概念是:電流通過(guò)零點(diǎn)由正向變換到規(guī)定低值的時(shí)間間距。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)。反向回復(fù)電流的波形如圖1所示。IF為正向電流,IRM為反向回復(fù)電流。Irr為反向回復(fù)電流,通常規(guī)定Irr=。當(dāng)t≤t0時(shí),正向電流I=IF。當(dāng)t>t0時(shí),由于整流器件上的正向電壓忽然變?yōu)榉聪螂妷海虼苏螂娏骺焖傧陆?,在t=t1時(shí)刻,I=0。然后整流器件上流過(guò)反向電流IR,并且IR慢慢增大;在t=t2日子達(dá)到反向回復(fù)電流IRM值。此后受正向電壓的效用,反向電流慢慢減少,并在t=t3日子達(dá)到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復(fù)過(guò)程與電容器放電過(guò)程有相像之處。2)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)快恢復(fù)二極管的內(nèi)部構(gòu)造與一般而言二極管不同,它是在P型、N型硅材質(zhì)中間增加了基區(qū)I,組成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄,反向回復(fù)電荷很小,減少了trr值,還減低了瞬態(tài)正向壓降,使管子能經(jīng)受很高的反向工作電壓??旎貜?fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間一般為幾百納秒,正向壓降約為,正向電流是幾安培至幾千安培,反向峰值電壓可達(dá)幾百到幾千伏。超快恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)電荷更進(jìn)一步減少,使其trr可低至幾十納秒。四川肖特基二極管MBRF1045CT肖特基二極管在開(kāi)關(guān)電源上的應(yīng)用。
有效提高了焊接在線(xiàn)路板本體上的二極管本體的穩(wěn)定性;2.通過(guò)設(shè)置的緩沖墊以及氣孔結(jié)構(gòu),在對(duì)二極管本體的外壁面進(jìn)行穩(wěn)定套接時(shí),避免了半環(huán)套管對(duì)二極管本體產(chǎn)生直接擠壓,而且設(shè)置的多個(gè)氣孔可以保證二極管本體的散熱性能。附圖說(shuō)明圖1為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)側(cè)視立面圖;圖2為本實(shí)用新型的上側(cè)的半環(huán)套管快速卡接結(jié)構(gòu)局部放大剖視圖;圖3為本實(shí)用新型的整體結(jié)構(gòu)俯視圖。圖中:1線(xiàn)路板本體、2二極管本體、3半環(huán)套管、31導(dǎo)桿、32擋塊、4第二半環(huán)套管、41插槽、42插接孔、5插塊、51卡接槽、52阻尼墊、53限位槽、6穩(wěn)定桿、61導(dǎo)孔、7插柱、71滑槽、72滑塊、73彈簧、74限位塊、8柱帽、81扣槽、9緩沖墊、10氣孔。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參閱圖1、圖2、圖3,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種溝槽式mos型肖特基二極管,包括線(xiàn)路板本體1,線(xiàn)路板本體1為常用線(xiàn)路板。
肖特基(Schottky)二極管又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。特點(diǎn)為反向恢復(fù)時(shí)間極短(可以小到幾納秒),正向?qū)▔航悼梢缘椭?。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管、保護(hù)二極管,也有用在微波通信等肖特基(Schottky)二極管又稱(chēng)肖特基勢(shì)壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD),它屬一種低功耗、超高速半導(dǎo)體器件。在通訊電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。供參考。電路中作整流二極管、小信號(hào)檢波二極管使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見(jiàn)。肖特基(Schottky)二極管的特點(diǎn)是正向壓降VF比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復(fù)時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn):耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時(shí)要細(xì)致考慮。 MBRF30150CT是什么類(lèi)型的管子?
4H-SiC的臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)為MV/cm,這要高出Si和GaAs一個(gè)數(shù)量級(jí),所以碳化硅器件能夠承受高的電壓和大的功率;大的熱導(dǎo)率,熱導(dǎo)率是Si的倍和GaAs的10倍,熱導(dǎo)率大,器件的導(dǎo)熱性能就好,集成電路的集成度就可以提高,但散熱系統(tǒng)卻減少了,進(jìn)而整機(jī)的體積也減小了;高的飽和電子漂移速度和低的介電常數(shù)能夠允許器件工作在高頻、高速下。但是值得注意的是碳化硅具有閃鋅礦和纖鋅礦結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)中每個(gè)原子都被四個(gè)異種原子包圍,雖然Si-C原子結(jié)合為共價(jià)鍵,但硅原子的負(fù)電性小于負(fù)電性為的C原子,根據(jù)Pauling公式,離子鍵合作用貢獻(xiàn)約占12%,從而對(duì)載流子遷移率有一定的影響,據(jù)目前已發(fā)表的數(shù)據(jù),各種碳化硅同素異形體中,輕摻雜的3C-SiC的載流子遷移率高,與之相關(guān)的研究工作也較多,在較高純的3C-SiC中,其電子遷移率可能會(huì)超過(guò)1000cm/(),跟硅也有一定的差距。[1]與Si和GaAs相比,除個(gè)別參數(shù)外(遷移率),SiC材料的電熱學(xué)品質(zhì)優(yōu)于Si和GaAs等材料,次于金剛石。因此碳化硅器件在高頻、大功率、耐高溫、抗輻射等方面具有巨大的應(yīng)用潛力,它可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為下一代電力電子器件。MBR1060CT是什么類(lèi)型的管子?四川肖特基二極管MBRF1045CT
MBRF20150CT是什么類(lèi)型的管子?陜西肖特基二極管MBR3060CT
而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極,利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)體中存在著大量的電子,貴金屬中有極少量的自由電子,所以電子便從濃度高的B中向濃度低的A中擴(kuò)散。顯然,金屬A中沒(méi)有空穴,也就不存在空穴自A向B的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A,B表面電子濃度逐漸降低,表面電中性被破壞,于是就形成勢(shì)壘,其電場(chǎng)方向?yàn)锽→A。但在該電場(chǎng)作用之下,A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng),從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場(chǎng)。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后,電場(chǎng)引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡,便形成了肖特基勢(shì)壘。肖特基二極管和穩(wěn)壓二極管的區(qū)別肖特基二極管不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的,而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。因此,SBD也稱(chēng)為金屬-半導(dǎo)體(接觸)二極管或表面勢(shì)壘二極管,它是一種熱載流子二極管。陜西肖特基二極管MBR3060CT