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肖特基二極管和快恢復(fù)二極管兩種二極管都是單向?qū)щ?,可用于整流?chǎng)合。區(qū)別是普通硅二極管的耐壓可以做得較高,但是它的恢復(fù)速度低,只能用在低頻的整流上,如果是高頻的就會(huì)因?yàn)闊o(wú)法快速恢復(fù)而發(fā)生反向漏電,將導(dǎo)致管子嚴(yán)重發(fā)熱燒毀;肖特基二極管的耐壓能常較低,但是它的恢復(fù)速度快,可以用在高頻場(chǎng)合,故開(kāi)關(guān)電源采用此種二極管作為整流輸出用,盡管如此,開(kāi)關(guān)電源上的整流管溫度還是很高的??旎謴?fù)二極管是指反向恢復(fù)時(shí)間很短的二極管(5us以下),工藝上多采用摻金措施,結(jié)構(gòu)上有采用PN結(jié)型結(jié)構(gòu),有的采用改進(jìn)的PIN結(jié)構(gòu)。其正向壓降高于普通二極管(1-2V),反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復(fù)和超快恢復(fù)兩個(gè)等級(jí)。前者反向恢復(fù)時(shí)間為數(shù)百納秒或更長(zhǎng),后者則在100納秒以下。肖特基二極管是以金屬和半導(dǎo)體接觸形成的勢(shì)壘為基礎(chǔ)的二極管,簡(jiǎn)稱(chēng)肖特基二極管(SchottkyBarrierDiode),具有正向壓降低()、反向恢復(fù)時(shí)間很短(10-40納秒),而且反向漏電流較大,耐壓低,一般低于150V,多用于低電壓場(chǎng)合。這兩種管子通常用于開(kāi)關(guān)電源。肖特基二極管和快恢復(fù)二極管區(qū)別:前者的恢復(fù)時(shí)間比后者小一百倍左右,前者的反向恢復(fù)時(shí)間大約為幾納秒~!前者的優(yōu)點(diǎn)還有低功耗,大電流。 快恢復(fù)二極管被廣泛應(yīng)用在電動(dòng)車(chē)充電器上。湖北快恢復(fù)二極管MURF860
20A以下的快恢復(fù)及超快恢復(fù)二極管大都使用TO-220封裝形式。從內(nèi)部構(gòu)造看,可分為單管、對(duì)管(亦稱(chēng)雙管)兩種。對(duì)管內(nèi)部涵蓋兩只快恢復(fù)二極管,根據(jù)兩只二極管接法的不同,又有共陰對(duì)管、共陽(yáng)對(duì)管之分。圖2(a)是C20-04型快恢復(fù)二極管(單管)的外形及內(nèi)部構(gòu)造。(b)圖和(c)圖分別是C92-02型(共陰對(duì)管)、MUR1680A型(共陽(yáng)對(duì)管)超快恢復(fù)二極管的外形與結(jié)構(gòu)。它們均使用TO-220塑料封裝,主要技術(shù)指標(biāo)見(jiàn)表1。幾十安的快恢復(fù)二極管一般使用TO-3P金屬殼封裝。更大容量(幾百安~幾千安)的管子則使用螺栓型或平板型封裝形式。2.檢測(cè)方法1)測(cè)量反向恢復(fù)時(shí)間測(cè)量電路如圖3。由直流電流源供規(guī)定的IF,脈沖發(fā)生器經(jīng)過(guò)隔直電容器C加脈沖信號(hào),運(yùn)用電子示波器觀察到的trr值,即是從I=0的日子到IR=Irr日子所經(jīng)歷的時(shí)間。設(shè)器件內(nèi)部的反向恢電荷為Qrr,有關(guān)系式trr≈2Qrr/IRM由式()可知,當(dāng)IRM為一定時(shí),反向回復(fù)電荷愈小,反向回復(fù)時(shí)間就愈短。2)常規(guī)檢測(cè)方式在業(yè)余條件下,運(yùn)用萬(wàn)用表能檢測(cè)快回復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦裕约皟?nèi)部有無(wú)開(kāi)路、短路故障,并能測(cè)出正向?qū)▔航?。若配以兆歐表,還能測(cè)量反向擊穿電壓。實(shí)例:測(cè)量一只超快恢復(fù)二極管,其主要參數(shù)為:trr=35ns。福建快恢復(fù)二極管SF168CTMUR2020CT是快恢復(fù)二極管嗎?
20世紀(jì)80年代初,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和功率M0S場(chǎng)效應(yīng)管(P0WERM0SFET)的研制成功,并得到急劇發(fā)展和商業(yè)化,這不僅對(duì)電力電子逆變器向高頻化發(fā)展提供了堅(jiān)實(shí)的器件基礎(chǔ),同時(shí),為用電設(shè)備高頻化(20kHz以上)和高頻設(shè)備固態(tài)化,為高效、節(jié)電、節(jié)材,實(shí)現(xiàn)機(jī)電體化,小型輕量化和智能化提供了重要的技術(shù)基礎(chǔ)。與此同時(shí),給IGBT,功率MOSFET等高頻逆變裝置配套的、且不可缺少的FRED也得到了很快的發(fā)展。因?yàn)?,隨著裝置工作開(kāi)關(guān)頻率的提高,若沒(méi)有FRED給高頻逆變裝置的開(kāi)關(guān)器件作續(xù)流、吸收、箝位、隔離輸出整流器和輸入整流器。那么IGBT、功率MOSFET、IGCT等開(kāi)關(guān)器件就不能發(fā)揮它們的功能和獨(dú)特作用,這是由于FRED的關(guān)斷特性參數(shù)(反向恢復(fù)時(shí)間trr、反向恢復(fù)電荷Qrr,反向峰值電流IRM)的作用所致,合適參數(shù)的FRED與高頻開(kāi)關(guān)器件的協(xié)調(diào)工作。使高頻逆變電路內(nèi)因開(kāi)關(guān)器件換相所引起的過(guò)電壓尖峰,高頻干擾電壓以及EMI降低,使開(kāi)關(guān)器件的功能得到充分發(fā)揮,F(xiàn)RED模塊現(xiàn)已批量在大功率開(kāi)關(guān)電源、高頻逆變電焊機(jī)、高頻逆變開(kāi)關(guān)型電鍍電源、高頻快速充電器以及高頻調(diào)速裝置等場(chǎng)合使用,結(jié)果非常令人滿(mǎn)意。本文將簡(jiǎn)要介紹該FRED模塊的工藝結(jié)構(gòu),技術(shù)參數(shù)。
這種銅底板尚存在一定弧度的焊成品,當(dāng)模塊壓裝在散熱器上時(shí),能保證它們之間的充分接觸,有利于熱傳導(dǎo),從而使模塊的接觸熱阻降低,有利于模塊的出力和可靠性。(3)由于FRED模塊工作于高頻(20kHZ以上),因此,必須在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要充分考慮消除寄生電感等問(wèn)題,為此,在電磁等原理基礎(chǔ)上,充分考慮三個(gè)主電極形狀、布局和走向,同時(shí)對(duì)鍵合鋁絲長(zhǎng)短和走向也作了合適安排。以減少模塊內(nèi)部的分布電感,確保二單元的分布電感一致,從而解決模塊的噪音和發(fā)熱問(wèn)題,提高裝置效率。3.主要技術(shù)參數(shù)圖3是FRED模塊導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖,它顯示了FRED器件從正向?qū)ǖ椒聪蚧謴?fù)的全過(guò)程。其主要關(guān)斷特性參數(shù)為:反向恢復(fù)時(shí)間trr=ta+tb(ta為少數(shù)載流子存儲(chǔ)時(shí)間,tb為少數(shù)載流子復(fù)合時(shí)間);軟度因子S=(表示器件反向恢復(fù)曲線的軟度);反向恢復(fù)峰值電流:;反向恢復(fù)電荷。而導(dǎo)通參數(shù)為:反向重復(fù)峰值電壓URRM.;正向平均電流IF(AV);正向峰值電壓UFM;正向均方根電流IF(RMS)和正向浪涌電流IFSM等。圖2(a)預(yù)彎后的銅底板(b)銅底板與DBC基板焊接后的合格品圖3FRED導(dǎo)通和關(guān)斷期間的電流和電壓波形圖這里需要注意的是:trr隨所加反向電壓UR的增加而增加,例如600V的FRED。MUR1660CS是什么類(lèi)型的管子?
其半導(dǎo)體材質(zhì)使用硅或砷化鎵,多為N型半導(dǎo)體。這種器件是由多數(shù)載流子導(dǎo)電的,所以,其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導(dǎo)電的PN結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應(yīng)甚微,所以其頻率響為RC時(shí)間常數(shù)限制,因而,它是高頻和迅速開(kāi)關(guān)的完美器件。其工作頻率可達(dá)100GHz。并且,MIS(金屬-絕緣體-半導(dǎo)體)肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池組或發(fā)光二極管??旎謴?fù)二極管:有,35-85nS的反向恢復(fù)時(shí)間,在導(dǎo)通和截止之間快速變換,提高了器件的使用頻率并改善了波形??旎謴?fù)二極管在制造工藝上使用摻金,單純的擴(kuò)散等工藝,可獲得較高的開(kāi)關(guān)速度,同時(shí)也能得到較高的耐壓.目前快恢復(fù)二極管主要運(yùn)用在逆變電源中做整流元件.快回復(fù)二極管FRD(FastRecoveryDiode)是近年來(lái)問(wèn)世的新型半導(dǎo)體器件,具開(kāi)關(guān)屬性好,反向回復(fù)時(shí)間短、正向電流大、體積小、安裝簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。超快恢復(fù)二極管SRD(SuperfastRecoveryDiode),則是在快回復(fù)二極管基石上發(fā)展而成的,其反向回復(fù)時(shí)間trr值已接近于肖特基二極管的指標(biāo)。它們可普遍用以開(kāi)關(guān)電源、脈寬調(diào)制器(PWM)、不間斷電源(UPS)、交流電意念變頻調(diào)速(VVVF)、高頻加熱等設(shè)備中,作高頻、大電流的續(xù)流二極管或整流管。MUR2020CD是什么類(lèi)型的管子?上??旎謴?fù)二極管MURB2060CT
MUR3040CT是快恢復(fù)二極管嗎?湖北快恢復(fù)二極管MURF860
有一種二極管叫做SONIC二極管,其反向回復(fù)時(shí)間較為長(zhǎng),約~μs,軟度因子在。在制造中除了使用平面結(jié)終止結(jié)構(gòu),玻璃鈍化并有硅橡膠保護(hù)外,還使用了從硅片背面開(kāi)展深擴(kuò)散磷和控制軸向壽命抑制因素,使迅速二極管的反向恢復(fù)電流衰減較慢,具反向“軟恢復(fù)”特點(diǎn),防范在高頻應(yīng)用時(shí)在硬關(guān)斷過(guò)程中產(chǎn)生過(guò)高的反向尖峰電壓,維護(hù)了開(kāi)關(guān)器件及其二極管自身。該二極管在整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)性能安定,并且對(duì)于溫度的變化正向電壓降的變化可以忽視不計(jì)。該二極管是為高頻應(yīng)用設(shè)計(jì)的,在高頻應(yīng)用時(shí)安定確實(shí)。新的迅速軟恢復(fù)二極管——SONIC二極管系列克服了這些缺陷,它們的優(yōu)點(diǎn)為:1.并聯(lián)二極管工作時(shí)正向電壓降Vf與溫度無(wú)關(guān);2.阻斷電壓平穩(wěn),漏電流比摻金和鉑的??;3.迅速軟恢復(fù)二極管在高溫下反向漏電流從25℃到125℃比摻鉑FRED少50%。SONIC二極管使用磷深擴(kuò)散和軸向壽命抑制因素,電壓從600V至1800V,如圖3所示。在硼中受控的軸向壽命抑制因素用來(lái)支配區(qū)域1中空穴的發(fā)射效率。區(qū)域2所示的軟N區(qū)為軟恢復(fù)提供了額外電荷。空穴的較低的發(fā)射效率使得器件的正向電壓降對(duì)溫度不太敏感,這有利二極管并聯(lián)工作,并且在高溫時(shí)開(kāi)關(guān)損耗很小。運(yùn)用電子輻照作為外加的規(guī)范壽命抑制因素。湖北快恢復(fù)二極管MURF860