SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。ESD靜電保護元件可提供多種封裝形式。重慶天線接口ESD保護元件應(yīng)用
防靜電的四項基本原則是：原則一：等電位連接，與敏感器件接觸的導(dǎo)體實現(xiàn)等電位連接，避免因?qū)珟ъo電發(fā)生放電；原則二：靜電源控制，絕緣材料的靜電通過連接地和等電位連接無法消除，因此必須對敏感器件周邊進(jìn)行靜電源控制；原則三：靜電源包裝，出ESD防護區(qū)的器件必須使用防靜電包裝，以防外界靜電源的影響；原則四，ESD防護措施不能降低安全水準(zhǔn)，如安全與之***，安全第一。靜電是一種客觀的自然現(xiàn)象，產(chǎn)生的方式多種，如接觸、摩擦、剝離等。靜電防護技術(shù)，如電子工業(yè)、半導(dǎo)體、石油工業(yè)、兵器工業(yè)、紡織工業(yè)、橡膠工業(yè)以及興航與***領(lǐng)域的靜電危害，尋求減少靜電造成的損失。重慶天線接口ESD保護元件應(yīng)用常用的ESD保護器件主要有Diode、Resistor、P/NMOS、BJT、SCR等。
人體靜電電壓比較高可達(dá)約50kV以下，因為當(dāng)存在連續(xù)起電過程時，由于電荷泄漏和放電，使得人體比較高電位得以被限制。2、一般生活中，在不同濕度條件下，人體活動產(chǎn)生的靜電電位有所不同。在干燥的季節(jié)，人體靜電可達(dá)幾千伏甚至幾萬伏。3、產(chǎn)生原因：人體靜電是由于人的身體上的衣物等相互摩擦產(chǎn)生的附著于人體上的靜電。靜電的產(chǎn)生是由于原子核對外層電子的吸引力不夠，從而在摩擦或其它因素的作用下失去電子，于是造成摩擦物帶負(fù)電荷。在摩擦物絕緣性能比較好的情況下，這些電荷無法流失，就會聚集起來。并且由于絕緣物的電容性極差，從而造成雖然電荷量不大但電壓很高的狀況。
ESD策略，ESD防護電路的主要功能是盡量在接口位置把ESD脈沖瀉放到地，使傳送到被保護器件的ESD脈沖能量比較低，同時要求防護電路對正常工作信號的損耗和失真**小。因此設(shè)計ESD防護電路的基本指導(dǎo)思想是:對ESD信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量小，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量大;對工作信號來說，接口輸入點和地之間的并聯(lián)阻抗要盡量大，而接口輸入點和被保護器件之間的串聯(lián)阻抗要盡量小。**的電浪涌防護器件主要有壓敏電阻MOV氣體放電管GDT 瞬態(tài)電壓抑制二極管TVS半導(dǎo)體閘流管瞬態(tài)抑制器件TSS、快速開關(guān)二極管等。ESD靜電保護元件具有單向和雙向之分。
靜電ESD保護元件選型注意事項：1.傳輸速率，也就是電容量的控制，現(xiàn)在隨著工藝的不斷完善，電容量越做越低。2.符合測試要求的標(biāo)準(zhǔn)，不是越高越好，而是適合自已的產(chǎn)品，例如：空氣放電15KV 接觸 8KV3.設(shè)計時考慮PCB板的空間條件。4.安全考慮，yint公司首席技術(shù)經(jīng)理，說過一句很經(jīng)典的話，在電路中，假如非萬不得已不要增加多余的器件，每增加一個，就是增加失效風(fēng)險，保護的器件也不例外。ESD器件作為保護器件，它也有失效益機率，所以設(shè)計選型時盡量找些資質(zhì)比較好的供應(yīng)商。SCR的高It2使得器件可以以很小的寬度達(dá)到芯片的抗ESD要求。青海SD卡ESD保護元件應(yīng)用
硅基ESD保護器件的結(jié)電容與其工作電壓成反比關(guān)系。重慶天線接口ESD保護元件應(yīng)用
在高頻高速信號電路中，電路的特征阻抗較低，分布電容和分布電感對電路的阻抗匹配、信號質(zhì)量會產(chǎn)生較大的影響，這要求設(shè)計的ESD防護電路具有很小的寄生參數(shù)，對信號質(zhì)量和阻抗匹配產(chǎn)生**小的影響，即要保證高頻信號盡量無損失地通過防護電路，同時ESD防護電路要對寬頻譜的ESD信號具有較好的吸收和衰減性能，阻止ESD脈沖進(jìn)入被保護電路。在中低頻IC內(nèi)部的I/O端口都可以設(shè)計ESD防護電路以提高器件的抗ESD能力，但是射頻器件和高速數(shù)字IC內(nèi)部的I/0端口一般無法直接設(shè)計ESD防護電路，因為防護電路的寄生參數(shù)(主要是結(jié)電容)將影響I/0端口的阻抗匹配、改變器件的頻響特性。重慶天線接口ESD保護元件應(yīng)用