北京以太網(wǎng)接口ESD保護元件廠家

ESD靜電的來源,在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是**重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件放電；2、人體與大地之間的電容低，約為50一250pF，典型值為150PF，故少量的人體靜電荷即可導(dǎo)致很高的靜電勢；3、人體的電阻較低，相當(dāng)于良導(dǎo)體，如手到腳之間的電阻只有幾百歐姆，手指產(chǎn)生的接觸電阻為幾千至幾十千歐姆，故人體處于靜電場中也容易感應(yīng)起電，而且人體某一部分帶電即可造成全身帶電。MOS與BJT用于ESD放電保護原理基本上是一樣的，均是通過寄生的BJT來釋放ESD電流。北京以太網(wǎng)接口ESD保護元件廠家

根據(jù)高頻電路信號特性和ESD防護能力的要求來選用不同的防護器件和不同的防護中路結(jié)構(gòu)，防護器件的結(jié)電容需要滿足表1的要求，防護電路的開啟電壓(觸發(fā)電壓)和箱位電壓(或二極管導(dǎo)通電壓)應(yīng)大于高頻信號可能的比較大峰值電壓，同時要遠遠小于被保護器件的ESD或值電樂，ESD防護電路的響應(yīng)時間要小于被保護器件的響應(yīng)時間。高頻信號頻率低于1GHz，可以直接選用低容值的雙向TVS管進行ESD防護，如果信號功率小，峰值電平低于二極管的正向?qū)妷?，也可以直接選用低容值的快速開關(guān)二極管兩個反向并聯(lián)后進行雙向ESD防護，如果信號峰值電平高于二極管的正向?qū)妷?，?yīng)采用兩個快速開關(guān)二極管反向串聯(lián)后進行雙向ESD防護。河南低壓ESD保護元件選型ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小。

現(xiàn)代通信技術(shù)和微電子技術(shù)推動半導(dǎo)體器件向微型化、高頻高速、高集成度、微功耗方向發(fā)展，從而促進半導(dǎo)體材料和工藝的不斷更新。具有良好高頻特性的GaAsSiGeInGaPInP以及一些新型半導(dǎo)體化合物材料通常屬于ESD高敏感材料:高集成度芯片內(nèi)部的細引線、小間距、薄膜化使器件尺寸進一步縮小，氧化層進一步減薄，導(dǎo)致器件抗ESD能力越來越低高速數(shù)字電路、高頻模擬電路普遍使用的CMOS、HBT、MESFET、PHEMT、BiCMOS等工藝，采這些工藝制作的器件明顯具有ESD高敏感特性。IC中的線寬和間距越來越窄(從兒un到0.07m)，電源電壓越來越低(從15V到15V)，IC抗ESD損壞的閾值電壓越來越低。例如，現(xiàn)在通信設(shè)備中大量使用的高速CMOS和BiCMOS器件，采用GaAsFETHBT和PHEMT工藝制作的RFIC和MMIC，使用InGaP、InP材料制作的光器件，高頻芯片中集成的MIM電容等，它們的靜電敏感電壓都在數(shù)百伏，低達100V，成為ESD高損傷率器件。

SCR器件是除正向Diode外抗ESD能力**強的器件。當(dāng)陽極出現(xiàn)PositiveESDPulse時，Nwell/Pwell結(jié)發(fā)生雪崩擊穿，擊穿產(chǎn)生的電子電流和空穴電流分別流過電阻RNw和Rpw，使PNP器件和NPN器件開啟，陽極的P+注入大量空穴，陰極的N+注入大量電子，注入的空穴成為NPN器件的基極電流，注入的電子成為PNP器件的基極電流，正反饋過程得以形成，使Nwell和Pwell均出現(xiàn)強烈的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，繼而降低器件兩端的壓降。因此，SCR器件的維持電壓往往很低，并由此導(dǎo)致其抗ESD能力非常強，微分電阻也非常小。在陽極出現(xiàn)NegativeESDPulse時，電流可通過正偏的陰極P+/陽極N+釋放。ESD靜電保護元件有高分子材料制程的間隙放電元件，結(jié)電容可以做到0.1pF以內(nèi)。

MOV具有ns級的快速響應(yīng)，但是結(jié)電容一般在數(shù)十pF以上;GDT具有pF級以下的結(jié)電容，但是響應(yīng)時間在數(shù)百ns以上;TSS的響應(yīng)速度很快，可達ps級，其結(jié)電容一般也在數(shù)十pF以上;TVS的響應(yīng)速度很快，可達ps級，其結(jié)電容目前比較低可以做到兒個pF;快速開關(guān)二極管的響應(yīng)速度與TVS相同，其結(jié)電容可達到1pF以下?？梢?，MOV、GDT和TSS都不能用于高頻電路的ESD防護;TVS可以直接使用在數(shù)百MHz的信號接口進行ESD防護，當(dāng)用于GHz以上的信號接口必須采用降低結(jié)電容的措施:低容值的快速開關(guān)二極管可以直接或采用降低結(jié)電容的優(yōu)化措施后用于數(shù)GHz的信號接口。ESD靜電放電機器模型MM的典型**如帶電絕緣的機器人手臂、車輛、絕緣導(dǎo)體等。河南低壓ESD保護元件選型

ESD靜電保護元器件是為高速數(shù)據(jù)傳輸應(yīng)用的I/O端口保護設(shè)計的器件。北京以太網(wǎng)接口ESD保護元件廠家

ESD防護電路主要采用“過壓防護”的原理，通過隔離電路、箝位(限幅)電路、衰減電路、濾波電路等降低ESD沖擊電壓、限制脈沖電流的大小，使其降低到被保護器件可以承受的程度。ESD脈沖頻譜的高頻信號特征和高頻電路分布參數(shù)的嚴(yán)格約束使得在高頻電路中防護器件的可選擇性很小，在高頻電路中進行ESD防護設(shè)計的難度增火。ESD脈沖具有持續(xù)時間短(ns~數(shù)百ns級)，能量較低(微焦耳級)的特征，頻譜分布在數(shù)百KHz到數(shù)GHz的范圍，其能量主要集中在數(shù)MHz到數(shù)百MHz的范圍內(nèi)，由于ESD的高頻、快速放電特性，其防護電路要求比一般的電浪涌防護電路具有更快的響應(yīng)速度和良好的高頻性能。北京以太網(wǎng)接口ESD保護元件廠家

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