為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種igbt驅(qū)動電路，包括限壓電路、控制電路和限流電路。，所述限壓電路、所述控制電路和所述限流電路相并聯(lián)。，所述限壓電路包括：一齊納二極管；第二齊納二極管，所述第二齊納二極管與所述一齊納二極管串聯(lián)。，所述控制電路包括限壓電路控制輸入lp、電阻r2、下拉電阻r3和控制管n3，所述限壓電路控制輸入lp與所述電阻r2串聯(lián)，所述電阻r2與所述控制管n3相串聯(lián)，所述下拉電阻r3并聯(lián)在所述電阻r2與所述控制管n3之間。，所述限流電路包括電阻r1和正向二極管n22，所述電阻r1與所述正向二極管n22相串聯(lián)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明將分立器件實現(xiàn)的限壓電路集成在芯片中，節(jié)省了面積，降低了成本，將限壓電路與igbt的驅(qū)動電路結(jié)合在一個功能塊里進(jìn)一步節(jié)省了面積和成本，同時借助igbt的驅(qū)動電路中的電阻限制了限壓支路的電流，降低了功耗，保護(hù)了驅(qū)動芯片的安全，lp接收到mcu的信號置高時，限壓電路開始工作，a點電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動輸出限制在12v，此時a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe，b點電壓為u2＝12v+2vbe，終c點電壓為12v，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下。兼有金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠
晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀(jì)六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學(xué)科。“晶閘管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到今，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。天津加工Mitsubishi三菱IGBT模塊代理商GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大。
脈沖的幅值與柵驅(qū)動電路阻抗和dV/dt的實際數(shù)值有直接關(guān)系。IGBT本身的設(shè)計對減小C和C的比例非常重要，它可因此減小dV/dt感生電壓幅值。如果dV/dt感生電壓峰值超過IGBT的閥值，Q1產(chǎn)生集電極電流并產(chǎn)生很大的損耗，因為此時集電極到發(fā)射極的電壓很高。為了減小dV/dt感生電流和防止器件開通，可采取以下措施：關(guān)斷時采用柵極負(fù)偏置，可防止電壓峰值超過V，但問題是驅(qū)動電路會更復(fù)雜。減小IGBT的CGC寄生電容和多晶硅電阻Rg’。減小本征JFET的影響圖3給出了為反向偏置關(guān)斷而設(shè)計的典型IGBT電容曲線。CRES曲線（及其他曲線）表明一個特性，電容一直保持在較高水平，直到V接近15V，然后才下降到較低值。如果減小或消除這種“高原”(plateau)特性，C的實際值就可以進(jìn)一步減小。這種現(xiàn)象是由IGBT內(nèi)部的本征JFET引起的。如果JFET的影響可小化，C和C可隨著VCE的提高而很快下降。這可能減小實際的CRES，即減小dV/dt感生開通對IGBT的影響。圖3需負(fù)偏置關(guān)斷的典型IGBT的寄生電容與V的關(guān)系。IRGP30B120KD-E是一個備較小C和經(jīng)改良JFET的典型IGBT。這是一個1200V，30ANPTIGBT。它是一個Co-Pack器件，與一個反并聯(lián)超快軟恢復(fù)二極管共同配置于TO-247封裝。設(shè)計人員可減小多晶體柵極寬度。
晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時，會使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會損壞管子。2．晶閘管加上正向陽極電壓后，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通。觸發(fā)電流不夠時，管子不會導(dǎo)通，但此時正向漏電流隨著增大而增大。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個狀態(tài)，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性。是一種理想的無觸點功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負(fù)載，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后，加上一定時間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。
下拉電阻r3并聯(lián)在電阻r2與控制管n3之間，控制限壓功能的工作與否；請再次參閱圖1，限流電路300包括電阻r1和正向二極管n22，電阻r1與正向二極管n22相串聯(lián)，限壓電路100、控制電路200和限流電路300相并聯(lián)，限制限壓部分的電流大小，解決了分立器件限壓電路集成在驅(qū)動輸出端導(dǎo)通時出現(xiàn)的較大電流現(xiàn)象，不降低了工作損耗，減小了分立器件的成本、也提高了芯片使用的壽命。使用時，當(dāng)lp接收到mcu的信號置高時，限壓電路開始工作，a點電壓被限壓在設(shè)定所需要的電壓u1，如希望igbt驅(qū)動輸出限制在12v，此時a電壓的設(shè)定u1＝12v+vbe，b點電壓為u2＝12v+2vbe，終c點電壓為12v，此時限壓部分的支路電流被限制在(vcc-u2)/r1以下，在常規(guī)的igbt驅(qū)動中增加了限壓電路的功能結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了對igbt的功耗的降低，保護(hù)了igbt管，將通常分立器件實現(xiàn)方式的限壓電路集成在芯片中，與igbt驅(qū)動電路集成在一起，節(jié)省了面積和成本，同時還能解決分立器件穩(wěn)壓管接在驅(qū)動輸出處，當(dāng)導(dǎo)通時較大電流的問題。雖然在上文中已經(jīng)參考實施例對本發(fā)明進(jìn)行了描述，然而在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對其進(jìn)行各種改進(jìn)并且可以用等效物替換其中的部件。尤其是，只要不存在結(jié)構(gòu)。動態(tài)特性又稱開關(guān)特性，IGBT的開關(guān)特性分為兩大部分。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠
隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場上將越來越多見。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠
所述電荷存儲層14用于阻擋第二導(dǎo)電類載流子從所述漂移區(qū)1中進(jìn)入到所述阱區(qū)2中。多個溝槽101，各所述溝槽101穿過所述阱區(qū)2和所述電荷存儲層14且各所述溝槽101的進(jìn)入到所述漂移區(qū)1中；一個所述igbt器件的單元結(jié)構(gòu)中包括一個柵極結(jié)構(gòu)以及形成于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)的每一側(cè)包括至少一個所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述柵極結(jié)構(gòu)包括形成于一個對應(yīng)的所述溝槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅柵6的疊加結(jié)構(gòu)，所述一屏蔽多晶硅4a組成一屏蔽電極結(jié)構(gòu)。所述多晶硅柵6位于所述一屏蔽多晶硅4a的頂部，所述一屏蔽多晶硅4a和對應(yīng)的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過一屏蔽介質(zhì)層3a隔離3a，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅柵6之間通過多晶硅間介質(zhì)層5a隔離，所述多晶硅柵6和所述溝槽101的側(cè)面之間通過柵介質(zhì)層5隔離。所述第二屏蔽電極結(jié)構(gòu)由填充于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的所述溝槽101中的第二屏蔽多晶硅4b組成。所述第二屏蔽多晶硅4b和對應(yīng)的所述溝槽101的底部表面和側(cè)面之間通過第二屏蔽介質(zhì)層3b隔離。所述一屏蔽介質(zhì)層3a和所述第二屏蔽介質(zhì)層3b的工藝條件相同且同時形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工藝條件相同且同時形成。山東哪里有Mitsubishi三菱IGBT模塊銷售廠