該第二氧化層22的厚度為3000-5000a(如圖5c所示)，根據(jù)應(yīng)用端對器件的開關(guān)特性需求，可以對第二氧化層22的厚度進(jìn)行調(diào)節(jié)；s102：沉積光刻膠3(如圖5d所示)；s104：去除溝道區(qū)的光刻膠3，保留非溝道區(qū)的光刻膠3，從而保護(hù)溝槽內(nèi)非溝道區(qū)的第二氧化層22不被蝕刻；s105：對第二氧化層22進(jìn)行蝕刻(如圖5f所示)，然后去除溝槽內(nèi)非溝道區(qū)保留的光刻膠3(如圖5g所示)；s106：在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(如圖5h所示)；s107:沉積多晶硅層(如圖5i所示)，然后去除表面多余多晶硅層(如圖5j所示)。需要說明的是，本實(shí)施例提供的制作方法形成兩種厚度氧化層2沒有新增光刻流程，從而節(jié)省了光罩制作成本。綜上，本實(shí)施例提供的溝槽柵igbt及其制作方法可以降低現(xiàn)有技術(shù)中結(jié)構(gòu)的結(jié)電容大小、提高了器件的開關(guān)特性，從而使得本實(shí)用新型可以應(yīng)用于高頻場景。盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型，本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。IGBT是先進(jìn)的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路。山東貿(mào)易模塊廠家直銷
發(fā)表于2018-04-0311:03?147次閱讀電壓與電壓降是一個(gè)概念嗎?有什么區(qū)別嗎本文開始介紹了電壓的分類和電壓的作用，其次介紹了電壓降的相關(guān)概念和電壓降產(chǎn)生的原因，**后分析了電壓與...發(fā)表于2018-04-0309:00?154次閱讀***表使用中必須掌握的14個(gè)小技巧能讓你事半功倍我們都知道萬用表是電力作業(yè)人員工作中不可缺少的常用維修工具，正確的使用萬用表不僅能讓我們的工作事半功發(fā)表于2018-04-0308:42?184次閱讀開關(guān)電源傳導(dǎo)、輻射處理案例，通過整改調(diào)整Layo...注：在**初的設(shè)計(jì)中，預(yù)留電感L1、L2，CBB電容C1、C2作為傳導(dǎo)測試元件，預(yù)留磁珠FB1、陶瓷貼...發(fā)表于2018-04-0209:13?268次閱讀關(guān)于儀表電纜電壓等級詳解-銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套圓型電纜(電線)BVVB--銅芯聚氯乙烯絕緣聚氯乙烯護(hù)套平型電纜(電線...發(fā)表于2018-03-3015:42?76次閱讀儀表電纜電壓等級分類詳情儀表電纜電壓，聽到這個(gè)代名詞都覺得非常有深意，是的，除了非專業(yè)人士，我相信，基本沒有人能正確的分析、...發(fā)表于2018-03-3015:38?77次閱讀能威脅人生命的到底是電壓還是電流?我們都知道要遠(yuǎn)離高電壓，因?yàn)楦唠妷簩θ藖碚f是危險(xiǎn)的，這是一個(gè)常識。觸摸到高電壓的東西。遼寧模塊電源IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。
四種IGBT模塊常規(guī)測量儀器作者：微葉科技時(shí)間：2015-10-1516:38看了很多的IGBT測量方法，其中不乏極具精髓的，但不怎么的***。現(xiàn)在我總結(jié)介紹四招，有這四招，足以應(yīng)付日常工作中的要求了。但這是在簡單工具的前提下，只能說是常規(guī)測量吧。下面先擺出四大裝備（排名不分先后）：數(shù)字萬用表：雖然，用它來測量有太多的局限性，但它卻是我們**常用和普遍的工具**。用它測量二極管的管壓降，不僅能在一定程度上判斷其好壞，還能判定它們的離散性。數(shù)字電容表：這個(gè)可能是很多人用的比較少吧，其實(shí)我們都知道，IGBT的容量大小是有規(guī)律的，容量大它的各種等效電容容量也將同比加大，如**重要的Cies就是我們的測量對象。但是，官方給出的多是VGE=0VVCE=10Vf=1MHZ時(shí)的參考數(shù)值，我們根本沒有條件來做直接對比。我們使用的數(shù)字電容表多在800HZ的測試頻率。但這不并不影響我們的測量，我們只要總結(jié)規(guī)律，以我們現(xiàn)有的這種簡單測試儀表也還是具有非大的靠性的，而且在一定程度上能判斷各個(gè)IGBT管的同一性?，F(xiàn)在很多***商以小充大來賺取暴利，所以這是一個(gè)很好的方法。萬一你用上了“來歷不明”的模塊而爆機(jī)時(shí)有可能就是這種情況，不是你技術(shù)不好或是你維修的不夠仔細(xì)。
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，具體涉及一種溝槽柵igbt。背景技術(shù)：igbt隨著結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和工藝技術(shù)的升級，主流產(chǎn)品已經(jīng)從平面柵極(如圖1所示)升級成溝槽柵極(如圖2所示)，現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)的制作方法如圖3所示，先在半導(dǎo)體襯底上光刻出溝槽，接著在該溝槽內(nèi)沉積**氧化層23(圖3a所示)，然后去除該**氧化層23(圖3b所示)，然后繼續(xù)在溝槽內(nèi)沉積***氧化層21(圖3c所示)，接著沉積多晶硅層1(圖3d所示)，接著去除表面多余的多晶硅層1(圖3e所示)，溝槽柵結(jié)構(gòu)雖然相比平面柵結(jié)構(gòu)電流密度大幅度提升，但由于溝槽柵結(jié)構(gòu)帶來的結(jié)電容的大幅度上升，造成目前的溝槽柵igbt不能廣泛應(yīng)用于高頻場景。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容較大的問題，提供了一種新的溝槽柵igbt結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下：一種溝槽柵igbt，包括：半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面內(nèi)設(shè)置兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)；兩個(gè)溝槽柵結(jié)構(gòu)，兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)對稱，溝槽內(nèi)設(shè)置有多晶硅層和包圍所述多晶硅層的氧化層，所述氧化層包括***氧化層和第二氧化層，所述***氧化層設(shè)置在溝道區(qū)，所述第二氧化層設(shè)置在非溝道區(qū)，所述第二氧化層的厚度大于所述***氧化層的厚度。進(jìn)一步地。IGBT模塊是由不同的材料層構(gòu)成，如金屬，陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模塊內(nèi)部用來改善熱性能的硅膠。
交直流電壓還可以測量直流電壓。甚至有的萬用表還可以測量晶體管...發(fā)表于2018-01-1819:18?3013次閱讀驗(yàn)證了LCL型濾波器參數(shù)設(shè)計(jì)及光伏并入配電網(wǎng)的逆...從濾波器的原理入手，對單L型和LCL型濾波器原理進(jìn)行對比分析，在設(shè)計(jì)方法上，對比傳統(tǒng)的分步設(shè)計(jì)法，本...發(fā)表于2018-01-1716:00?1327次閱讀怎么用示波器測功率本文介紹了怎么用示波器測功率，小編為大家總結(jié)了使用示波器執(zhí)行功率測量的七大秘訣。那么，在測量功率時(shí)我...發(fā)表于2018-01-1510:55?699次閱讀示波器如何測量直流電壓_示波器測量直流電壓方法示波器測量直流電壓方法有兩種，一種是直接測量法，一種是比較測量法，這兩種方法都能準(zhǔn)確測出直流電壓。發(fā)表于2018-01-1509:53?2013次閱讀示波器測量電壓范圍_示波器測量電壓**大量程示波器是***應(yīng)用的測試儀器，利用示波器能觀察各種不同信號幅度隨時(shí)間變化的波形曲線，還可以用它測試各種...發(fā)表于2018-01-1509:42?408次閱讀如何用示波器測量交流電壓_示波器測量交流電壓方法在電子測量儀器中，示波器是一種電信號的時(shí)域測量和分析儀器；它顯示信號隨時(shí)間變化的波形。作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。山東推廣模塊
IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動功率小，控制電路簡單，開關(guān)損耗小，通斷速度快。山東貿(mào)易模塊廠家直銷
***，市場發(fā)展的趨勢要求系統(tǒng)的高可靠性，正是這些趨勢是促使焊接雙極模塊發(fā)展的背后動力?，F(xiàn)在這些模塊有了一個(gè)全新的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，焊層更少，采用了角型柵極可控硅以及升級了的彈簧壓接技術(shù)，從而提高可靠性并降低了熱電阻。結(jié)果是輸出電流增大了10％以上。技術(shù)鑒于工業(yè)應(yīng)用中對功率模塊日益增加的功率密度，可靠性和成本效益的要求，功率半導(dǎo)體制造商正不斷努力開發(fā)新模塊，這些新模塊在擁有高度可靠性的同時(shí)成本也低。新模塊中，DBC襯底和柵極輔助陰極端子之間的電氣連接由彈簧壓力觸點(diǎn)提供。機(jī)械設(shè)計(jì)方面更深入的改變是減少了焊層。由于熱阻減小了，使得輸出電流大，并增強(qiáng)了可靠性。雖然新一代模塊擁有眾多的改進(jìn)，新SEMIPACK模塊的外封裝尺寸還和當(dāng)前模塊的尺寸一樣。賽米控公司，作為SEMIPACK1的發(fā)明者，堅(jiān)持采用同樣的模塊尺寸，這意味著，散熱器的大小以及輔助端子的高度和位置都保持不變。對于客戶來說，這意味著無需改變設(shè)計(jì)，例如到直流環(huán)節(jié)的連接或散熱器的鉆孔。在沒有影響機(jī)械設(shè)計(jì)或?qū)﹄姎庑阅苡腥魏瓮讌f(xié)的前提下，新版模塊的層數(shù)更少：新設(shè)計(jì)的DBC襯底上不再有鉬層和銅層；芯片是直接焊到DBC上的。在功率循環(huán)（10000次負(fù)載循環(huán)，△Tj=100k）中。山東貿(mào)易模塊廠家直銷
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大。目前我公司在職員工以90后為主，是一個(gè)有活力有能力有創(chuàng)新精神的團(tuán)隊(duì)。誠實(shí)、守信是對企業(yè)的經(jīng)營要求，也是我們做人的基本準(zhǔn)則。公司致力于打造***的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器。公司憑著雄厚的技術(shù)力量、飽滿的工作態(tài)度、扎實(shí)的工作作風(fēng)、良好的職業(yè)道德，樹立了良好的IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器形象，贏得了社會各界的信任和認(rèn)可。