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    是否受熱損壞。(如果損壞已變形或燒熔)6.檢測(cè)芯片8316是否擊穿:測(cè)量方法:用萬(wàn)用表測(cè)量8316引腳,要求1和2;1和4;7和2;7和4之間不能短路。7.IGBT處熱敏開(kāi)關(guān)絕緣保護(hù)是否損壞。按鍵動(dòng)作不良的檢測(cè)測(cè)量CPU口線是否擊穿:二、按鍵動(dòng)作不良用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量CPU極與接地端,均有,萬(wàn)用表紅筆接“地”;黑筆接“CPU每一極口線”。否則,說(shuō)明CPU口線擊穿。三、功率不能達(dá)到到要求1.線圈盤短路:測(cè)試線圈盤的電感量:PSD系數(shù)為L(zhǎng)=157±5μH,PD系列為L(zhǎng)=140±5μH。2.鍋具與線圈盤距離是否正常。3.鍋具是否是指定的鍋具。四、檢查各元?dú)饧欠袼蓜?dòng),是否齊全。裝配后不良狀況的檢查:1.不加熱:檢查互感器是否斷腳。2.插電后長(zhǎng)鳴:檢查溫度開(kāi)關(guān)端子是否接插良好。樓3.無(wú)法開(kāi)機(jī):檢查熱敏電阻端子是否接插良好。4.無(wú)小物檢知(不報(bào)警):檢查電阻R301~R307是否正常。R301~R302為68KΩR303~R306為130KΩR307為Ω5.風(fēng)扇不轉(zhuǎn);檢查三極管Q2是否燒壞。(一般燒壞三極管引腳跟部已發(fā)黃;也可用萬(wàn)用表二極管檔測(cè)量)[本帖***由嚴(yán)朝基于2009-1-1209:51編輯]贊賞共11人贊賞本站是提供個(gè)人知識(shí)管理的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)空間,所有內(nèi)容均由用戶發(fā)布,不**本站觀點(diǎn)。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容。IGBT功率模塊是電壓型控制,輸入阻抗大,驅(qū)動(dòng)功率小,控制電路簡(jiǎn)單,開(kāi)關(guān)損耗小,通斷速度快,工作頻率高。貴州模塊廠家直銷

    所述***氧化層厚度為1000-1200a。進(jìn)一步地,所述第二氧化層厚度為3000-5000a。進(jìn)一步地,兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)之間設(shè)置有***摻雜區(qū),所述***摻雜區(qū)的摻雜類型與所述半導(dǎo)體襯底的類型相反。進(jìn)一步地,在所述***摻雜區(qū)的內(nèi)表面設(shè)置兩個(gè)第二摻雜區(qū),所述第二摻雜區(qū)的摻雜類型與***摻雜區(qū)的摻雜類型相反,兩個(gè)所述第二摻雜區(qū)分別設(shè)置在靠近兩個(gè)所述溝槽柵結(jié)構(gòu)的一側(cè),所述***摻雜區(qū)和所述第二摻雜區(qū)與發(fā)射極金屬接觸。進(jìn)一步地,所述半導(dǎo)體的底部還設(shè)置有緩沖層和集電極,所述集電極設(shè)置在比較低層。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型提供的溝槽柵igbt通過(guò)在溝槽內(nèi)設(shè)置兩種厚度氧化層,兩種厚度氧化層分別為***氧化層和第二氧化層,該第二氧化層厚度大于***氧化層厚度,因?yàn)榻Y(jié)電容與氧化層的厚度成反比,因此增加氧化層的厚度會(huì)降低器件的結(jié)電容大小,從而解決了現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt結(jié)電容大的問(wèn)題,從而提高了本實(shí)用新型的開(kāi)關(guān)特性,使得本實(shí)用新型可應(yīng)用于高頻場(chǎng)景。附圖說(shuō)明圖1為現(xiàn)有技術(shù)中平面柵igbt的示意圖;圖2為現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵igbt的示意圖;圖3為現(xiàn)有技術(shù)中溝槽柵結(jié)構(gòu)制作方法的流程圖;圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的溝槽柵igbt的示意圖。貿(mào)易模塊技術(shù)指導(dǎo)而PPS材料具有一系列優(yōu)異的特性,使其成為了IGBT模塊的比較好材料選擇。

    光耦u3_out輸出高電平,經(jīng)過(guò)d6和v6后故障信號(hào)fault_p為低電平,對(duì)驅(qū)動(dòng)信號(hào)進(jìn)行***。上管信號(hào)的邏輯關(guān)系是:其中v1_out是v1與非門的輸出信號(hào),u2_out是光耦u2的輸出信號(hào)(上圖對(duì)應(yīng)u2的7腳)死區(qū)邏輯說(shuō)明:當(dāng)模態(tài)2過(guò)渡到模態(tài)3時(shí),中間至少要延時(shí)td互鎖邏輯說(shuō)明:當(dāng)pwm_h和pwm_l同時(shí)為高電平時(shí),u2輸出信號(hào)為低電平,即避免了因emc電磁干擾等因素導(dǎo)致igbt模塊上下管直通短路的情況,提高了原邊電路的抗干擾能力,有效地保護(hù)了igbt模塊。故障狀態(tài)時(shí),pwm_h和pwm_l是任意電平,驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)drv_h為低電平,及時(shí)關(guān)斷igbt模塊;下管信號(hào)的邏輯關(guān)系是:其中v3_out是v3與非門的輸出信號(hào),u4_out是光耦u4的輸出信號(hào)(上圖對(duì)應(yīng)u4的7腳)死區(qū)邏輯說(shuō)明:當(dāng)模態(tài)2過(guò)渡到模態(tài)3時(shí),中間至少要延時(shí)td互鎖邏輯說(shuō)明:當(dāng)pwm_h和pwm_l同時(shí)為高電平時(shí),u4輸出信號(hào)為低電平,即避免了因emc電磁干擾等因素導(dǎo)致igbt模塊上下管直通短路的情況,提高了原邊電路的抗干擾能力,有效地保護(hù)了igbt模塊。故障狀態(tài)時(shí),pwm_h和pwm_l是任意電平,驅(qū)動(dòng)輸出信號(hào)drv_l為低電平,及時(shí)關(guān)斷igbt模塊。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言,顯然本實(shí)用新型不限于上述示范性實(shí)施例的細(xì)節(jié)。

    是一種非常直觀...發(fā)表于2018-01-1509:38?700次閱讀為物聯(lián)網(wǎng)未來(lái)發(fā)聲——物聯(lián)網(wǎng)微功率頻譜應(yīng)用研討會(huì)***上午,來(lái)自全國(guó)各地及海外的一百多家物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)企業(yè)、用戶單位和科研機(jī)構(gòu)**齊聚北京,共同參與了“為...發(fā)表于2018-01-1217:20?1299次閱讀功率和功耗一樣嗎_功耗和功率的區(qū)別功率是指物體在單位時(shí)間內(nèi)所做的功的多少,即功率是描述做功快慢的物理量。功的數(shù)量一定,時(shí)間越短,功率值...發(fā)表于2018-01-1214:43?1024次閱讀浪涌電壓防護(hù)_電解電容浪涌電壓措施在電子設(shè)計(jì)中,浪涌主要指的是電源(只是主要指電源)剛開(kāi)通的那一瞬息產(chǎn)生的強(qiáng)力脈沖,由于電路本身的非線...發(fā)表于2018-01-1111:11?301次閱讀什么是浪涌電壓_浪涌電壓產(chǎn)生原因浪涌也叫突波,就是超出正常電壓的瞬間過(guò)電壓,一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流...發(fā)表于2018-01-1111:09?686次閱讀解析充電IC中的功率管理策略:動(dòng)態(tài)路徑管理***MPS小編要和大家聊一聊充電IC中的功率管理策略:動(dòng)態(tài)路徑管理。當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品,一般所說(shuō)的IGBT也指IGBT模塊。

    線路壓降比平...發(fā)表于2017-08-0111:49?8060次閱讀機(jī)器人要如何實(shí)現(xiàn)辨別不同物體?以看到KIR9008C對(duì)黑色材質(zhì)的識(shí)別距離為20mm,而對(duì)白色材質(zhì)的識(shí)別距離為70mm,這是因?yàn)榘咨?..發(fā)表于2017-07-0409:38?383次閱讀怎樣使用光耦做一個(gè)壓控的電位器光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有...發(fā)表于2017-06-3009:20?692次閱讀電位器在不同條件下該如何選用?電位器變得更小、更簡(jiǎn)易、更精確,它的發(fā)展趨向小型化,高功效,***,低損耗更新。隨著現(xiàn)代電子設(shè)備的應(yīng)...發(fā)表于2017-06-3008:56?285次閱讀青銅劍科技IGBT驅(qū)動(dòng)方案亮相英飛凌汽車電子季度...青銅劍科技與英飛凌深度合作,聯(lián)合開(kāi)發(fā)了多款功能強(qiáng)大、高可靠性的汽車級(jí)IGBT驅(qū)動(dòng),分別是基于英飛凌H...發(fā)表于2017-06-1611:58?482次閱讀電感繞線該怎樣設(shè)計(jì),超前電流、電壓有什么區(qū)別?為了達(dá)到上述目的,在此電路中使用了2個(gè)反射光學(xué)傳感器。一個(gè)用作計(jì)數(shù),另一個(gè)用來(lái)決定計(jì)數(shù)方向-往上...發(fā)表于2017-06-1509:21?457次閱讀電阻抗有何意義?氣敏電阻的應(yīng)用及其工作原理以SnO2氣敏元件為例,它是由**而成,這種晶體是作為N型半導(dǎo)體而工作的。在國(guó)際節(jié)能環(huán)保的大趨勢(shì)下,IGBT下游的風(fēng)電產(chǎn)業(yè)、光伏和新能源汽車等領(lǐng)域還在迅速發(fā)展。重慶電源模塊

在程序操縱下,IGBT模塊通過(guò)變換電源兩端的開(kāi)關(guān)閉合與斷開(kāi),實(shí)現(xiàn)交流直流電的相互轉(zhuǎn)化。貴州模塊廠家直銷

    原標(biāo)題:IGBT功率模塊如何選擇?在說(shuō)IGBT模塊該如何選擇之前,小編先帶著大家了解下什么是IGBT?IGBT全稱為絕緣柵雙極型晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor),所以它是一個(gè)有MOSGate的BJT晶體管,可以簡(jiǎn)單理解為IGBT是MOSFET和BJT的組合體。MOSFET主要是單一載流子(多子)導(dǎo)電,而B(niǎo)JT是兩種載流子導(dǎo)電,所以BJT的驅(qū)動(dòng)電流會(huì)比MOSFET大,但是MOSFET的控制級(jí)柵極是靠場(chǎng)效應(yīng)反型來(lái)控制的,沒(méi)有額外的控制端功率損耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的優(yōu)點(diǎn)組合起來(lái)的,兼有MOSFET的柵極電壓控制晶體管(高輸入阻抗),又利用了BJT的雙載流子達(dá)到大電流(低導(dǎo)通壓降)的目的(Voltage-ControlledBipolarDevice)。從而達(dá)到驅(qū)動(dòng)功率小、飽和壓降低的完美要求,廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。1.在選擇IGBT前需要確定主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),這個(gè)和IGBT選型密切相關(guān)。2.選擇IGBT需要考慮的參數(shù)如下:額定工作電流、過(guò)載系數(shù)、散熱條件決定了IGBT模塊的額定電流參數(shù),額定工作電壓、電壓波動(dòng)、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓參數(shù),引線方式、結(jié)構(gòu)也會(huì)給IGBT選型提出要求。,目前市面上的叫主流的IGBT產(chǎn)品都是進(jìn)口的。貴州模塊廠家直銷

江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司辦公設(shè)施齊全,辦公環(huán)境優(yōu)越,為員工打造良好的辦公環(huán)境。專業(yè)的團(tuán)隊(duì)大多數(shù)員工都有多年工作經(jīng)驗(yàn),熟悉行業(yè)專業(yè)知識(shí)技能,致力于發(fā)展英飛凌,西門康,艾賽斯,巴斯曼的品牌。公司不僅*提供專業(yè)的一般項(xiàng)目:技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣;電子元器件批發(fā);電子元器件零售;電子元器件與機(jī)電組件設(shè)備銷售;電力電子元器件銷售;電子設(shè)備銷售;電子測(cè)量?jī)x器銷售;機(jī)械電氣設(shè)備銷售;風(fēng)動(dòng)和電動(dòng)工具銷售;電氣設(shè)備銷售;光電子器件銷售;集成電路芯片及產(chǎn)品銷售;半導(dǎo)體照明器件銷售;半導(dǎo)體器件設(shè)備銷售;半導(dǎo)體分立器件銷售;集成電路銷售;五金產(chǎn)品批發(fā);五金產(chǎn)品零售;模具銷售;電器輔件銷售;電力設(shè)施器材銷售;電工儀器儀表銷售;電工器材銷售;儀器儀表銷售;辦公設(shè)備銷售;辦公設(shè)備耗材銷售;辦公用品銷售;日用百貨銷售;機(jī)械設(shè)備銷售;超導(dǎo)材料銷售;密封用填料銷售;密封件銷售;高性能密封材料銷售;橡膠制品銷售;塑料制品銷售;文具用品批發(fā);文具用品零售;金屬材料銷售;金屬制品銷售;金屬工具銷售;環(huán)境保護(hù)設(shè)備銷售;生態(tài)環(huán)境材料銷售;集成電路設(shè)計(jì);集成電路芯片設(shè)計(jì)及服務(wù)(除依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目外,憑營(yíng)業(yè)執(zhí)照依法自主開(kāi)展經(jīng)營(yíng)活動(dòng)),同時(shí)還建立了完善的售后服務(wù)體系,為客戶提供良好的產(chǎn)品和服務(wù)。江蘇芯鉆時(shí)代始終以質(zhì)量為發(fā)展,把顧客的滿意作為公司發(fā)展的動(dòng)力,致力于為顧客帶來(lái)***的IGBT模塊,可控硅晶閘管,二極管模塊,熔斷器。