哪里有模塊什么價(jià)格

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-04-04

    且所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸。本實(shí)施例,由于所述壓緊部在工作時(shí),遠(yuǎn)離所述連接板的一端會(huì)抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè),即相比于自然狀態(tài)下,所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)會(huì)略微向上抬起。本實(shí)施例,使所述壓緊部在自然狀態(tài)下,遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸,這樣,可以使所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)仍然能夠可靠地抵設(shè)在所述igbt單管上。如圖2和圖3所示,可選的,所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的一端設(shè)置有工裝槽321。本實(shí)施例,可以通過(guò)所述工裝槽輔助抬起所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端;具體的,可以將與所述工裝槽適配的工裝插入所述工裝槽內(nèi),然后通過(guò)所述工裝向上勾起所述壓緊部的該端部,就可以在該壓緊部的下方布置igbt單管了。本實(shí)施例中所述壓緊部上的工裝槽,與工裝相互配合可以極大的方便所述壓緊件的使用,提高所述igbt單管的安裝效率。如圖2和圖3所示,作為上述實(shí)施例的一可選實(shí)施方式,在所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸的情況下,所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的端部還斜向上翹起。就像我上面說(shuō)的 IGBT 是 BJT 和 MOS管的融合,IGBT 的符號(hào)也**相同。哪里有模塊什么價(jià)格

    所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊,能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示,本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊,包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2,所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3,所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí),只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件,然后將所述igbt單管放置到安裝位上后,再松開(kāi)所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過(guò)螺釘固定所述igbt單管的方法,**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間,并且減少了總裝的零件數(shù)量,提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率,還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。如圖1和圖2所示,可選的,所述壓緊件3包括連接部31和具有彈性的壓緊部32,所述連接部31一端與所述壓緊部32相連,另一端與所述安裝板1相連,所述壓緊部3抵設(shè)在所述igbt單管2的上側(cè),將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例,在使用所述壓緊件時(shí)。私人模塊IGBT 是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種三端半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件,可用于多種電子設(shè)備中的高效快速開(kāi)關(guān)。

    其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容、CGC是柵極-集電極電容或稱(chēng)米勒電容(MillerCapacitor)。門(mén)極輸入電容Cies由CGE和CGC來(lái)表示,它是計(jì)算IGBT驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響,但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies的值,在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù),因?yàn)樗峭ㄟ^(guò)電橋測(cè)得的,在測(cè)量電路中,加在集電極上C的電壓一般只有25V(有些廠(chǎng)家為10V),在這種測(cè)量條件下,所測(cè)得的結(jié)電容要比VCE=600V時(shí)要大一些(如圖2)。由于門(mén)極的測(cè)量電壓太低(VGE=0V)而不是門(mén)極的門(mén)檻電壓,在實(shí)際開(kāi)關(guān)中存在的米勒效應(yīng)(Miller效應(yīng))在測(cè)量中也沒(méi)有被包括在內(nèi),在實(shí)際使用中的門(mén)極電容Cin值要比IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值大很多。因此,在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies值在實(shí)際應(yīng)用中**只能作為一個(gè)參考值使用。贊賞共11人贊賞本站是提供個(gè)人知識(shí)管理的網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)空間,所有內(nèi)容均由用戶(hù)發(fā)布,不**本站觀點(diǎn)。如發(fā)現(xiàn)有害或侵權(quán)內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊這里或撥打24小時(shí)舉報(bào)電話(huà):與我們聯(lián)系。轉(zhuǎn)藏到我的圖書(shū)館獻(xiàn)花(0)+1分享:微信QQ空間QQ好友新浪微博推薦給朋友來(lái)自:王利剛QWE>。

    1可控硅模塊是有PNPN四層半導(dǎo)體構(gòu)成的元件,有三個(gè)電極,陽(yáng)極a,陰極K和控制機(jī)G所構(gòu)成的。21、可控硅模塊的應(yīng)用領(lǐng)域模塊應(yīng)用詳細(xì)說(shuō)明介紹:可控硅模塊應(yīng)用于控溫、調(diào)光、勵(lì)磁、電鍍、電解、充放電、電焊機(jī)、等離子拉弧、逆變電源等需對(duì)電力能量大小進(jìn)行調(diào)整和變換的場(chǎng)合,如工業(yè)、通訊、**等各類(lèi)電氣控制、電源等,根據(jù)還可通過(guò)可控硅模塊的控制端口與多功能控制板連接,實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流、穩(wěn)壓、軟啟動(dòng)等功能,并可實(shí)現(xiàn)過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫、缺相等保護(hù)功能。32、可控硅模塊的控制方式:通過(guò)輸入可控硅模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào),通過(guò)調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)可控硅模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié),實(shí)現(xiàn)可控硅模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過(guò)程。電壓或電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出,電位器直接從直流電源分壓等各種方法;控制信號(hào)采用0~5V,0~10V,4~20mA三種比較常用的控制形式。43、滿(mǎn)足可控硅模塊工作的必要條件:(1)+12V直流電源:可控硅模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。①可控硅模塊輸出電壓要求:+12V電源:12±,紋波電壓小于20mv。②可控硅模塊輸出電流要求:標(biāo)稱(chēng)電流小于500安培產(chǎn)品:I+12V>,標(biāo)稱(chēng)電流大于500安培產(chǎn)品:I+12V>1A。你可以看到輸入側(cè)**具有柵極端子的 MOS管,輸出側(cè)**具有集電極和發(fā)射極的 BJT。

    收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。**早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類(lèi)2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類(lèi)編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi);從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等??煽毓枘K優(yōu)點(diǎn)編輯體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線(xiàn)簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠(chǎng)家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。哪里有模塊什么價(jià)格

這種器件表現(xiàn)為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結(jié)構(gòu)(P-N-P-N四層組成),其特點(diǎn)是通過(guò)強(qiáng)堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。哪里有模塊什么價(jià)格

    螺釘應(yīng)以推薦的夾緊力矩范圍予以?shī)A緊。如果該力矩不足,可能使接觸熱阻變大,或在工作中產(chǎn)生松動(dòng)。反之,如果力矩過(guò)大,可能引起外殼破壞。將IGBT模塊安裝在由擠壓模制作的散熱器上時(shí),IGBT模塊的安裝與散熱器擠壓方向平行,這是為了減小散熱器變形的影響。圖2螺釘?shù)膴A緊方法把模塊焊接到PCB時(shí),應(yīng)注意焊接時(shí)間要短。注意波形焊接機(jī)的溶劑干燥劑的用量,不要使用過(guò)量的溶劑。模塊不能沖洗。用網(wǎng)版印刷技術(shù)在散熱器表面印刷50μm的散熱復(fù)合用螺釘把模塊和PCB安裝在散熱器上。在未上螺釘之前,輕微移動(dòng)模塊可以更好地分布散熱膏。安裝螺釘時(shí)先用合適的力度固定兩個(gè)螺釘,然后用推薦的力度旋緊螺釘。在IGBT模塊的端子上,將柵極驅(qū)動(dòng)電路和控制電路錫焊時(shí),一旦焊錫溫度過(guò)高,可能發(fā)生外殼樹(shù)脂材料熔化等不良情況。一般性產(chǎn)品的端子耐熱性試驗(yàn)條件:焊錫溫度:260±5℃。焊接時(shí)間:10±1s。次數(shù):1次。IGBT模塊安裝中應(yīng)注意的事項(xiàng):1)要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝,裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái),接地地面,接地腕帶等防靜電措施。先讓人體和衣服上所帶的靜電通過(guò)高電阻(1Ωn左右)接地線(xiàn)放電后,再在接地的導(dǎo)電性墊板上進(jìn)行操作。要拿封裝主體,不要直接觸碰端子(特別是控制端子)部。哪里有模塊什么價(jià)格

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